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在不同的表面活性剂和硫源的条件下,采用水热法制备了多种形貌的SnS2纳米材料,详细讨论了反应条件对其形貌和性质的影响,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、和BET比表面积法对制备的样品的物相、形貌和组成进行了表征,通过光催化降解罗丹明B研究了所得样品的光催化性能。结果表明:表面活性剂和硫源对产物的结构和形貌起到了重要的作用。当Sn4+与表面活性剂的物质量的比为1∶1时,样品均为纯的六方相SnS2。采用柠檬酸三钠为表面活性剂、硫脲为硫源时制得的SnS2纳米片具有最大的比表面积,同时表现出了最优的光催化性能。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备了LiGd(MoO_4)_2∶Dy~(3+),Eu~(3+)系列荧光粉。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、荧光光谱仪等对所得样品的结构、形貌和发光性能进行了表征,并研究了其能量传递机理。结果表明:白钨矿结构的Li Gd(Mo O_4)_2∶Dy~(3+),Eu~(3+)荧光粉的形貌为不规则颗粒,其粒径为1.8μm。在354 nm近紫外光激发下,该荧光粉显示出Dy~(3+)的特征黄、蓝光发射和Eu~(3+)的特征红光发射。计算Dy~(3+)和Eu~(3+)的临界距离为1.383 nm,Dy~(3+)→Eu~(3+)之间能量传递机理为偶极-四极相互作用。通过调节Dy~(3+)、Eu~(3+)的掺杂浓度,荧光粉可实现暖白光发射。此外,详细研究了稀土离子(Dy~(3+),Eu~(3+))的掺杂浓度与荧光粉的色温值之间的关系。 相似文献
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采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,采用同轴三喷嘴实验装置代替传统的单喷嘴实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[Al(NO3)3+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出了NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆. 采用差热-热重(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征. 结果表明,所得产物为NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆. 纳米电缆芯层为NiO,直径大约为137.83±8.85 nm;中间层为Al2O3,厚度大约为215.11±8.66 nm;壳层为TiO2,厚度大约为156.26±16.50 nm. 对NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论. 相似文献
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以稀土硝酸盐-葡萄糖的混合溶液作为前驱体,采用一步水热法和随后的热处理得到了多层核壳结构Gd_2O_3:Eu~(3+)空心微球,并用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X-射线能量色散光谱(EDS)和荧光光谱等测试手段对所得样品进行了表征.结果表明:所得空心球样品为纯的立方相的Gd_2O_3.具有规则的多层核壳空心结构,空心球的直径在2~3μm左右,壁厚约为100 nml,并且Gd_2O_3:Eu~(3+)空心球是由尺寸约为30 nm的球形纳米颗粒白组装而成.样品中含有Gd、Eu、O元素.该空心球样品具有强的Eu~(3+)的特征红光发射以及长的荧光寿命,可以用来作为时间分辨荧光标记物. 相似文献
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采用同轴静电纺丝技术,以硝酸锌、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为原料,成功制备出大量的ZnO@SiO2同轴纳米电缆。用TG-DTA,XRD,SEM,TEM,FTIR等分析技术对样品进行了表征。结果表明,得到的ZnO@SiO2同轴纳米电缆的壳层为无定型SiO2,厚度为50nm,芯轴为晶态ZnO,电缆直径为300~450nm,长度大于300μm。探讨了ZnO@SiO2同轴纳米电缆的形成机理。 相似文献
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芳香族重氮盐可与肟反应,得到芳香醛和芳香酮[1-4]。本文报道利用重氮盐与肟的反应合成对-乙酰基苯甲醛(1a)、对-乙酰氨基苯甲醛(1b)、对-溴苯乙酮(1c)、对-硝基苯乙酮(1d)、邻-氯苯甲腈(2a)以及2,4-二硝基苯甲腈(2b)的实验结果。这些化合物均为有机合成原料及重要中间体。 相似文献
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微波辐射下,以芳香醛和芳香酮为起始原料首先合成2,4,6-三芳基吡喃盐,再在NaOH水溶液中与盐酸羟胺发生开环、缩环和脱苯甲酰基反应,一步生成3,5-二芳基异噁唑衍生物。 考察了微波辐射功率和辐射时间对目标产物收率的影响,2,4,6-三芳基吡喃盐与盐酸羟胺反应生成3,5-二芳基异噁唑衍生物的最佳微波辐射功率为600 W,辐射时间为8 min,最大收率为83%。 该法不仅避免了使用高氯酸造成的环境污染,而且以水作为反应介质,使后处理简便。 该工艺具有操作安全、反应条件温和和产率高等优点,是一种环境友好的合成工艺。 产物经元素分析、1H NMR和MS测试技术表征了其结构。 相似文献
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采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料,成功制备出大量的Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆.用TG-DTA,XRD,SEM,TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征.结果表明,得到的产物为Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆,以无定型SiO2为壳层,晶态Y2O3:Eu3+球为芯,电缆直径约为200nm,内部球平均直径约150nm,壳层厚度约为25nm,电缆长度300μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆在246nm紫外光激发下,发射出Eu3+离子特征的波长为614nm的明亮红光.对其形成机理进行了初步讨论. 相似文献
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采用水热法制备出了均匀有序的球形YVO4∶Eu3+发光材料,并用该法在其表面包覆一层基质材料GdVO4。XRD分析表明包覆前后的样品均为四方晶系锆英石结构的YVO4,且晶体发育良好。FTIR谱图观测到了V-O、Y-O伸缩振动吸收峰。SEM照片表明包覆前后样品均为均匀分散的纳米片组装的有序球形结构。XPS分析进一步证明形成了核壳结构的YVO4∶Eu3+@GdVO4发光材料。荧光光谱表明,YVO4∶Eu3+表面包覆GdVO4之后,发射光强度比未包覆的YVO4:Eu3+有所增强。 相似文献