燃烧烟气汞反应的量子化学计算方法研究

应用量子化学理论的不同方法和典型ECP基组分别计算含汞燃烧烟气中分子的几何结构和反应的焓变及熵变,并与美国国家标准技术局的实验数据相比较,以验证量子化学计算所用的理论水平和基组的有效性.结果表明QCISD方法/Stevens基组的组合最好,其次为B3PW91方法/Stevens基组、B3LYP方法/Stuttgart RSC1997基组.研究结果为进一步应用量子化学方法计算汞相关反应的动力学参数奠定基础.     

未燃尽炭表面吸附汞的机理研究

本文应用量子化学密度泛函理论B3PW91方法,在lanl2dz基组水平上研究了飞灰中未燃尽炭表面对汞的微观吸附机理.建立了表征未燃尽炭的饱和簇模型,讨论了该簇模型在不同的情况下对汞的吸附作用,计算得出吸附能,并做出了相关的实验解释.结果表明量子化学的理论计算是揭示汞等痕量元素的吸附机理以及筛选合适吸附剂的一种有效方法.     

安普那韦的合成

以(2S,3S)-1,2-环氧基-3-叔丁氧酰胺基-4-苯丁烷为原料,经过异丁基胺化、N-对硝基苯磺酰化、还原、脱保护后再与(S)-3-羟基四氢呋喃-琥珀酰亚胺基碳酸酯(7)缩合制得安普那韦,总收率73%,其结构经1H NMR 和MS确证.     

新型蛋白酶抑制剂的合成

以(2S,3S)-1,2-环氧基-3-叔丁氧酰胺基-4-苯丁烷为原料,经N-烷基化、对硝基苯磺酰化、脱去氨基保护基,再与3-叠氮基-3-脱氧胸(腺嘧啶核)苷5-单琥珀酸缩合,合成了新型具有芳香磺酰胺基氨基醇骨架的HIV-1蛋白酶抑制剂--N-{3-[3-叠氮基-3-脱氧胸(腺嘧啶核)苷5-单琥珀酰胺基]-2-羟基-4-苯基丁基}-N-异丁基-4-硝基苯磺酰胺,总收率55.2%,其结构经1H NMR和MS确证.     

乙烷在V2O5(001)表面深度氧化反应机理的周期性密度泛函理论研究

采用周期密度泛函理论研究了V₂O₅ (001)表面乙烷深度氧化过程.结果表明,乙醛是主要的副产物,且脱附态的乙醛能很容易被氧化成乙酸,但多数乙醛在从表面脱附前已被氧化成CO_x.显然,在乙烷氧化脱氢反应的最终产物CO_x主要来源于乙醛.     

双向光泵浦XeF(C-A)激光

 讨论了双向光泵浦XeF(C-A)激光技术,给出了双向泵浦情况下的XeF₂光解离波图像。在双向泵浦条件下XeF(C-A)激光输出能量提高了近3倍,最大输出达到3.3 J,激光脉宽增加到1 100 ns。激光输出特性受XeF2初始浓度的显著影响,激光形成时间随XeF₂初始浓度增大而加长,激光脉宽先增大后减小,激光近场光斑呈现出不同的形状,由方形变化为“X”形状。     

HPLC-MS/MS法检测化妆品中的萘酚

建立了多反应监测法测定化妆品中α-萘酚和β-萘酚2种禁用着色剂的高效液相色谱-二级质谱联用(HPLC-MS/MS)的分析方法.针对几类美妆用品进行了样品前处理、色谱分离条件和二级质谱条件的研究.色谱条件经优化后确定:以常用的反相键合的十八烷基为固定相,以乙腈和水的二元流动相进行梯度洗脱,以配有电喷雾离子源的二级质谱为检测器等.考察了膏霜类、油状液体类和水类不同基质化妆品中两种萘酚异构体的加标回收率,标准偏差和变异系数.在0.05~10.0mg/L的范围内,2种目标物均有良好的线性关系,检测限(S/N≥10)均为0.2ng/g.6个样品的高、中、低3个标准添加水平下,回收率为81.95%~98.30%,相对标准偏差为0.001 5%~0.078%,变异系数为0.83%~8.2%.样品中均未发现禁用着色剂萘酚的2种异构体.该方法可用于化妆品中α-萘酚和β-萘酚的检测.     

高比表面积介孔Cr_2O_3:制备及高效催化氧化去除甲苯

采用Cr(NO3)3·9H2O作金属源,葡萄糖作模板剂,通过葡萄糖辅助固态热分解法制备得到高比表面积的虫孔状介孔Cr2O3,采用XRD、TEM、TPR和N2吸脱附技术表征其物理化学性质,并考察了介孔Cr2O3上催化氧化去除甲苯的性能。结果表明,经过500℃灼烧处理的m-Cr-5催化剂比表面积高达162 m2·g-1,平均孔径为6.2 nm,且具有优良的低温还原性和多价态铬物种并存,使其催化氧化去除甲苯的活性最好。     

Effect of electrical contact on performance of WSe2 field effect transistors

Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDCs) such as tungsten diselenide (WSe₂) have spead many interesting physical properties, which may become ideal candidates to develop new generation electronic and optoelectronic devices. In order to reveal essential features of 2D TMDCs, it is necessary to fabricate high-quality devices with reliable electrical contact. We systematically analyze the effect of graphene and metal contacts on performance of multi-layered WSe₂ field effect transistors (FETs). The temperature-dependent transport characteristics of both devices are tested. Only graphene-contacted WSe₂ FETs are observed with the metal-insulator transition phenomenon which mainly attributes to the ultra-clean contact interface and lowered contact barrier. Further characterization on contact barrier demonstrates that graphene contact enables lower contact barrier with WSe₂ than metal contact, since the Fermi level of graphene can be modulated by the gate bias to match the Fermi level of the channel material. We also analyze the carrier mobility of both devices under different temperatures, revealing that graphene contact can reduce the charge scattering of the device caused by ionized impurities and phonon vibrations in low and room temperature regions, respectively. This work is expected to provide reference for fabricating 2D material devices with decent performances.