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罗兰是美国一名杰出的实验物理学家。他所做的实验,对电磁学、热学、光学等理论的发展都有重要的推动作用。由于他在物理学界的重要贡献,使他在人类文明发展史上留下了光彩的一页。一、罗兰生平H.A.罗兰(HenryAugustusRowland,1848~1901)美国物理学家。1948年11月27日生于宾夕法尼亚州洪尼斯代尔。他的父亲曾是新教徒教士,他的母亲也希望他学习神学。17岁时,随母去耶尔学习,在那里他对化学、电学等实验发生了浓厚的兴趣。不久既赴纽约伦塞勒综合科技大学攻读土木工程学,并于1870年毕业,获土木工程学士学位,当时年仅二十二岁。 相似文献
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Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱.解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”. 相似文献
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35.
中值定理中间值的渐近性公式 总被引:1,自引:0,他引:1
<正> 中值定理是高等数学中的重要定理,自从1982年B.Jacobson 与A、G、Agpeitia 在文[1]、[2]中分别讨论了积分中值定理、Taylor 中值定理中间值的渐近性以来,关于中值定理中间值 相似文献
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讨论了复相导电陶瓷改性问题的研究,详细介绍了N型、P型、电子离子弥补型以及加入连通导电相型导电陶瓷各自典型的机理和电阻率的变化.分析表明:非半导体导电陶瓷是通过加入掺杂物引起基体晶格畸变或发生取代引起电子、离子的浓度变化来影响电阻率的变化;半导体导电陶瓷是通过掺杂第五主族元素或第三主族元素分别形成N型半导体或P型半导体,产生大量的多余电子或可移动空穴,明显降低了材料的电阻率;连通导电相型导电陶瓷是在基体中掺杂导电相形成网状的导电连通相,从而为电子的转移提供了导电通道;最后对ZrB2改性SiC基导电陶瓷进行了展望. 相似文献
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以ZrB2和SiC为烧结助剂,采用流延-叠层-热压工艺制备高取向石墨基复合材料,并对其抗弯强度、断裂韧性、断裂行为以及微观结构进行了研究.结果表明:该石墨基复合材料结构完整,其中片状石墨颗粒平行热压面高度定向排列.弯曲强度和断裂性能及致密度都得到大幅度提高,垂直片层和平行片层方向测试的抗弯强度和断裂韧性分别为104 MPa、2.07 MPa·m1/2和84 MPa、1.97 MPa·m”2.高取向石墨基复合材料受到不同方向力冲击时的断裂行为显著不同,垂直层面加压时断裂由脆性破坏变为非脆性破坏行为,断裂功达到145 J/m2为平行层面测试的2倍.非脆性破坏行为主要归因于层界和高度定向的片状石墨颗粒诱导裂纹偏转分叉以及片状石墨颗粒桥联拔出. 相似文献
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