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11.
以碳化硅为主要原料,以羟丙基甲基纤维素(HPMC)为粘结剂,以Al2O3和Y2O3作为复合烧结助剂,采用挤出成型工艺制备出碳化硅多孔蜂窝陶瓷.探究了复合助剂Al2O3/Y2O3的加入量对蜂窝陶瓷物相组成和微观形貌的影响;研究了烧结温度对碳化硅陶瓷物相、微观形貌以及孔隙率、线收缩率、体积密度、抗压强度的影响规律.结果表明:Al2O3/Y2O3复合助剂的加入量增大和烧结温度的提高,陶瓷液相量增多;在钇铝石榴石(YAG)的共晶点1760 ℃附近,更易于析出结晶形成YAG相.烧结温度升高,陶瓷收缩率增大;体积密度和抗压强随烧结温度变化规律接近;体积密度和抗压强度在1750℃达到最大值分别为1.8 g/cm3和14.09 MPa. 相似文献
12.
目前我国东部陆上油田大部分已进入特高含水采油期,绝大多数油井综合含水率已超过85%,部分油井已达到95%。油-气-水三相流型是特高含水混输技术界限确定、水力热力计算方法研究及集输系统科学运行管理的基础。为了研究大庆低渗透油田环状集输水平管道内油-气-水三相流型,研制一套流型试验装置,进行了一系列试验研究,获得了1360组油气水三相流型图及相应的流动参数。对采集到的流型及试验数据进行分析,首次总结出水平环状集输管道中油-气-水三相流的五种流型,分别为分层流、三层扰动流、波浪冲击流、气弹掺混流和完全掺混流。同时给出了每种流型对应的参数范围,并对每种流动形态及典型特征进行了解释。 相似文献
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本文提出了一种简便、可规模化制备CoO纳米线@C/碳布(CC)复合材料的方法,该复合材料可用作无粘结剂锂离子电池负极。首先通过简单的水热和煅烧法制备了CoO纳米线@碳布复合材料,再通过葡萄糖溶液浸渍和煅烧获得具有三维立体结构的CoO纳米线@C/CC复合电极材料。碳包覆的CoO纳米线均匀地分散在碳布上,形成导电的碳网络。在碳布上原位生长的CoO纳米线可以有效缩短锂离子的转移路径,降低接触电阻。碳涂层厚度约为1 nm,显著抑制了锂离子嵌入/嵌出过程中活性材料的粉碎,以及CoO在电解液中的直接暴露。结果表明CoO纳米线@C/CC复合材料用作锂离子电池的无粘结剂负极时,具有良好的充放电性能和循环稳定性。电流密度为1 A·cm-2时,200次循环后的比容量为863 mAh·cm-2(容量保持率75.83%)。本研究为柔性锂离子电池负极材料的制备提供了一种可行的新选择。 相似文献
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15.
采用远紫外圆二色光谱法系统地研究了细胞红蛋白(cytoglobin, Cygb)的浓度、环境温度、溶液的pH值和溶剂性质对细胞红蛋白二级结构的影响.结果表明: 当Cygb浓度<1 μmol/L时,它主要以α-螺旋形式存在,其α-螺旋含量>60%; 当Cygb浓度从0.3 μmol/L增大到2.0 μmol/L时,其α-螺旋含量迅速降低;当Cygb浓度>2.0 μmol/L时,其α-螺旋含量随浓度的增大变化很小(约30%).随着温度的升高,Cygb的α-螺旋含量逐渐减小,但既使温度达到368 K,它仍保持有20%的α-螺旋结构,说明该蛋白具有较高的热稳定性.在弱酸性和弱碱性溶液中,Cygb的二级结构都会有不同程度的破坏.在甲醇和乙醇中,Cygb的α-螺旋含量明显增加,这说明醇类可以诱导其α-螺旋的生成. 相似文献
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Fabrication and investigation of ferroelectric memristors with various synaptic plasticities 下载免费PDF全文
In the post-Moore era, neuromorphic computing has been mainly focused on breaking the von Neumann bottlenecks. Memristors have been proposed as a key part of neuromorphic computing architectures, and can be used to emulate the synaptic plasticities of the human brain. Ferroelectric memristors represent a breakthrough for memristive devices on account of their reliable nonvolatile storage, low write/read latency and tunable conductive states. However, among the reported ferroelectric memristors, the mechanisms of resistive switching are still under debate. In addition, there needs to be more research on emulation of the brain synapses using ferroelectric memristors. Herein, Cu/PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)/Pt ferroelectric memristors have been fabricated. The devices are able to realize the transformation from threshold switching behavior to resistive switching behavior. The synaptic plasticities, including excitatory post-synaptic current, paired-pulse facilitation, paired-pulse depression and spike time-dependent plasticity, have been mimicked by the PZT devices. Furthermore, the mechanisms of PZT devices have been investigated by first-principles calculations based on the interface barrier and conductive filament models. This work may contribute to the application of ferroelectric memristors in neuromorphic computing systems. 相似文献
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