用定比分点解题的常见类型

在定比分点定义中 ,P1 ,P ,P2 是数轴上三点 ,其坐标分别为x1 ,x ,x2 则P分P1 P2 之比λ =P1 PPP2 =x -x1 x2 -x,当P内分P1 P2 时 ,λ>0 ;当P外分P1 P2 时 ,λ<0且λ≠- 1 ;当P与P1 P2 的左端点P1 重合时 ,λ =0时 ;当P与P1 P2 的右端点P2重合时 ,λ→∞ ,或者说λ不存在 .对于以上几种情况 ,反之也成立 .我们正是利用理论中的可逆性来合理的求解某些数学问题 .下面举几例予以说明 .1　比较数或式值的大小例 1　已知a>0 ,b>0 ,0 相似文献   

Solc型双折射滤波器离轴消光比的研究

提出了一种Solc型双折射滤波器的离轴消光比的一般性计算方法，利用所得结果模拟出了Solc型双折射滤波器的锥光干涉图以及发散光积分消光比与波长和发散角的关系曲线，实验结果证实了理论推算的合理性，此外本方法也适用于计算各种类型双折射滤波器的离轴消光比。     

G(F4′)条件与加强形式的停止定理

首次提出了Ｇ（Ｆ４′）条件，给出了Ｇ（Ｆ４′）条件的两个等价关系，得到了加强形式的停止定理和强鞅的一个等价关系．     

Evolution of Weighted Networks by Duplication-Divergence Mechanism

The duplication and divergence process is ubiquitous in nature and man-made networks. Motivated by the duplication-divergence mechanism which depicts the growth of protein networks, we propose a weighted network model in which topological evolution is coupled with weight dynamics. Large scale numerical results indicate that our model can naturally generate networks with power-law-like distributions of degree, strength and weight. The degree-strength correlation is illustrated as well. These properties are in agreement well with empirical data observed in real-world systems. Furthermore, by altering the retention probability δ, weighted, structured exponential networks are realized.     

空心材料导热性能预测研究

本文建立了一种预测空心材料导热性的方法。研究了空习材料的导热性。用柱形空心材料分析了体分比和孔洞的排列方式对整体材料导热性的影响，用圆柱形，方柱形空心材料和含裂纹材料，分析了空心形状对材料导热性的影响。同他人的实验结果和某些现有的理论模型比较表明，本文方法是有效的。本文的结果很好地解释实验结果。     

一个包含Smarandache函数的方程

对于任意正整数n,我们用S(n)表示Smarandache函数,即S(n)=min{m:n|m!}.本文的主要目的是运用初等方法研究方程∑_(d|n)S(d)=n的可解性,并给出它的所有正整数解.     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

衡量网络可靠性的新模型

本文分析了传统的网络可靠性优化设计方法所存在的问题 ,给出了网络的通信通路数的定义 ,并基于网络的通信通路数给出了更能反映网络运行的实际情况的网络可靠性的定量模型 ,从而解决了传统网络可靠性优化设计方法所存在的问题 .     

珠心算手工拟题方法（一）

中国珠算协会于1999年颁发了《中国珠算协会珠算式心算鉴定标准》，其中：普通级分为十个级别，即10～1级，10级最低，1级最高。段位也分十个段位，初段～10段，初段最低，10段最高。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.