直流负偏压对类金刚石薄膜结构的影响

在不同的直流负偏压下利用直流射频等离子体辅助化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积得到了类金刚石薄膜,用拉曼光谱、红外光谱和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明:无偏压时,沉积得到的薄膜呈现类聚合物结构且表面比较粗糙,而叠加了偏压后,薄膜表现出类金刚石薄膜的结构特征,随着偏压的增大,膜中的氢含量和sp3碳含量均逐渐减小,且薄膜的表面粗糙度逐渐减小.     

射频功率对类金刚石薄膜结构和性能的影响

利用直流-射频-等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜，采用原子力显微镜、Raman光谱、x射线光电子能谱、红外光谱和纳米压痕仪考察了射频功率对类金刚石薄膜表面形貌、微观结构、硬度和弹性模量的影响.结果表明，制备的薄膜具有典型的含H类金刚石结构特征，薄膜致密均匀，表面粗糙度很小.随着射频功率的升高，薄膜中成键H的含量逐渐降低，而薄膜的sp3³含量、硬度以及弹性模量先升高， 后降低，并在射频功率为100W时达到最大. 关键词： 等离子增强化学气相沉积 类金刚石薄膜 射频功率 结构和性