8－羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光

８－羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光马於光,唐建国,沈家骢,刘式墉（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室,集成光电子学国家联合重点实验室,长春,１３００２３）关键词聚合物,光致发光,电致发光,８－羟基喹啉铝某些有机染料作为波长转换介...     

非应变盖层对应变结构中净应力的影响 *

分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .从而进一步完善了描述应变外延层中失配位错的产生和运动机制的理论     

聚合物定向耦合电光开关的模拟和优化

阐述了定向耦合电光开关的基本结构及工作原理,利用耦合模理论和电光调制理论,在1 550 nm波长下,对器件的结构参量进行了优化,并对其传输光谱、开关电压、插入损耗、串扰等特性进行了分析.模拟过程中,考虑了因金属电极和聚合物材料引起的模式损耗.器件的结构参量优化值为：波导芯截面尺寸为1.7×1.7 μm2,波导芯与电极间的限制层厚度为1.5 μm、电极厚度为0.15 μm,波导间的耦合间距为2.0 μm,相应的耦合长度为2 926 μm.模拟结果表明,本文所设计的器件在开关转换电压0和17.4 V下,在1 534到1 565 nm的波长范围内,器件的插入损耗小于0.16 dB,串扰小于－20 dB,耦合区在2 734~3 120 μm范围内,器件的插入损耗小于0.22 dB,串扰小于－20 dB.     

梯度掺杂体异质结对有机太阳能电池光电转换效率的影响

基于传统的体异质结有机太阳能电池结构, 对结构中的混合层改用梯度掺杂的方法, 在AM1.5, 100 mW/cm²光照下, 使得器件的短路电流由原来的7.72 mA/cm²提高到了9.18 mA/cm², 相应的光电转换效率提高了25%. 器件性能的提升归因于梯度掺杂体系的引入使得体异质结混合层中同一材料分子之间形成了较好的连续网络结构, 降低了器件的串联电阻, 提高了电极对载流子的收集效率, 从而提高了器件的光电转换效率. 关键词： 有机太阳能电池 体异质结 梯度掺杂     

一种改善红光顶发射OLED色纯度及角度依赖特性的方法研究

在Si/SiO₂衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III) acetylanetonate(Ir(piq)₂(acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20 nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)₂(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)₂(acac)(1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)₂(acac)(1%, 20 nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标.     

Improvement of Efficiency and Brightness of Red Organic Light－Emitting Devices Using Double－Quantum－Well Configuration

We present red double-quantum-well organic light-emitting devices (DQW-OLEDs), in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-1,1‘-biphenyo-4,4‘-diamine (NPB) is used as potential barriers and hole transport layer, 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7, 7-thtramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) doped tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3 ) as potential wells and emitter, undoped Alq3 as electron transport layer, respectively. The turn-on voltage is about 4 V. The maximum brightness and electroluminescent (EL) efficiency of the DQW device can reach 5916cd m^-2 at 16 V and 2.85cd A^-1 at 7 V, respectively. In addition, the EL efficiency of the DQW deviceis relatively independent of the drive voltage in the range from 5 V to 16 V.     

利用有机层间互相掺杂提高有机电致发光器件的效率

提高器件的发光效率是实现有机电致发光器件实用化的一个关键因素。通过对器件结构和制作工艺的优化设计，将有机电致发光器件的各个功能层进行互相掺杂，在层间形成互掺过渡层达到平衡载流子的注入，使得注入的电子和空穴有效地限制在互掺的有源区内，增加了载流子相遇复合的几率，进而提高器件的发光效率。器件的最大电流效率在外加电压10．5V时达到7．9cd／A，最大发光亮度在35V时达到49000cd／m^2。和一般掺杂器件相比效率提高2倍以上。同时有机层间的互相掺杂也在一定程度上消除了层问的界面，减少了有机层问的缺陷，与没有过渡层的器件相比，器件老化性能有了明显改善。     

Effect of Phosphorescent Sensitizer on White Organic Light-Emitting Devices

We have fabricated high-etficiency white organic light-emitting devices by using the phosphorescent material factris (2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy3)] as a sensitizer. Ir(ppy)3 and the fluorescent dye 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) (DCJTB) are co-doped into 4,4‘‘-N,N’-dicarbazole-biphenyl (CBP) host. N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl )-(1,1‘‘-biphenyl )-4, 4‘‘-diamine ( NP B ) acts as a blue light-emitting as well as hole-transporting layer. The chromaticity of white emission can be tuned by adjusting the concentration of Ir(ppy)3 and DCJTB. The maximum etficiency and luminance of the device with 3-wt.% Ir(ppy)3 and 2-wt.?JTB are 7.5cd A^-1 and 12020cd m^-2, respectively, which produces fairly pure white emission with the commission international De L ‘‘Eclairage coordinates of (0.33, 0.32) at 10 V.     

叔丁基联苯基苯基噁二唑作空穴限制层的掺杂聚合物蓝光发光二极管

叔丁基联苯基苯基噁二唑作空穴限制层的掺杂聚合物蓝光发光二极管马於光,吴军,薛善华,黄劲松,田文晶,刘式墉,沈家骢,刘晓冬（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室,集成光电子学国家重点实验室,长春,１３００２３）（白求恩医科大学基础部）关键词聚合物,发光...     

减少聚合物阵列波导光栅损耗的蒸气回溶技术

阵列波导光栅(AWG)器件是波分复用(WDM)系统的一种关键器件,其中,聚合物阵列波导光栅由于其制备工艺、器件集成等方面的优势而受到人们的日益关注。侧壁散射损耗是聚合物阵列波导光栅损耗的一个主要因素,减少阵列波导光栅波导的侧壁损耗对制备低损耗阵列波导光栅具有重要意义。一种蒸气回溶技术被用来有效地减少硅基聚合物阵列波导光栅的散射损耗,该技术的机理是饱和溶剂分子融入并软化波导侧壁,增加其流动性,从而降低波导侧壁粗糙度。用扫描电镜方法验证了用该技术能获得更光滑的波导侧壁。对直波导和阵列波导光栅样品进行回溶处理,测试后得到直波导的侧壁散射损耗减少2.1 dB/cm,阵列波导光栅中心信道和周边信道的插入损耗分别减少5.5 dB和6.7 dB,串扰减少2.5 dB。