4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺掺杂MoOx作为空穴传输层对有机太阳电池性能的影响

通过采用4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺 (m-MTDATA)掺入MoO_x作为器件的空穴传输层来提高酞菁铜(CuPc)/C₆₀小分子 有机太阳电池的效率. 采用真空蒸镀的方法制备了一系列器件, 其中结构为铟锡氧化物 (ITO)/m-MTDATA:MoO_x(3:1)(30 nm)/CuPc(20 nm)/C₆₀(40 nm)/4,7-二苯 基-1,10-菲罗啉 (Bphen)(8 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的器件, 在AM1.5 (100 mW/cm²)模拟太阳光的照射条件下, 开路电压V_oc=0.40 V, 短路电流J_sc=6.59 mA/cm², 填充因子为0.55, 光电转换效率达1.46%, 比没有空穴传输层的器件ITO/CuPc(20 nm)/C₆₀(40 nm)/Bphen(8 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm) 光电转换效率提高了38%. 研究表明, 加入m-MTDATA:MoO_x(3:1)(30 nm)空穴传输层减小了有机层和ITO电极之间的接触电阻, 从而减小了整个器件的串联电阻, 提高了器件的光电转换效率.     

Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善

研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。     

多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究

在采用精确的模型基础上,利用AIM-Spice软件对有源OLED poly-Si薄膜晶体管(TFT)驱动电路和1×4矩阵电路进行分析研究。最后得到合理的电路参数,使OLED能够达到一定的显示亮度要求。在每帧时间内维持电流恒定,并且在时变的灰度信号作用下能够良好地跟踪响应,最大程度上消除了TFT的一些非线性特性对OLED驱动电流的影响。为OLED显示器像素驱动电路的设计、参数选取、性能分析等提供依据。     

聚合物阵列波导光栅复用器关键技术的研究

介绍了阵列波导光栅(AWG)复用器的工作原理;运用光栅衍射理论和马卡提里近似法,对中心波长为1.55 μm,波长间隔为1.6 nm的聚合物AWG进行参量设计,通过数值模拟验证了设计的正确性.用甲基丙烯酸甲酯类聚合物对AWG的制备工艺进行了研究,用铝作掩模制作了聚合物光波导,测试结果表明在1.55 μm处波导实现单模传输.     

有机电致发光研究与应用进展

在十多年的时间里，有机电致发光的研究和应用取得了长足的进展．有机电致发光器件具有许多优点，例如：自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低、成本低等．因此有机电致发光器件极有可能成为下一代的平板显示终端．文章介绍了最近几年这方面的研究及应用的进展．     

一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)驱动电路的设计

介绍一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)的驱动电路的设计方法。像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底的设计方法和电路结构。采用互补的多晶硅TFT管设计屏上移位寄存器,传输门等模块,将部分外围驱动电路集成于OLED显示屏的衬底上,极大地减小了数据信号线的数目,降低了屏内信号线布线和屏外驱动电路的复杂程度。进一步讨论了利用复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计驱动AM-OLED显示屏专用集成芯片的设计方案。     

宽沟道SI-GaAs衬底上适于光发射机的BH激光器

目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用两次液相外延生长BH激光器,实现了表面平面化。在800℃一次外延生长四层。第一层n⁺-GaAs缓冲层,第二层N-GaAlAs下限制层,第三层非掺杂构GaAs有源层,第四层为P-GaAlAs上限制层。采用适当的腐蚀条件刻蚀出有源区最窄的燕尾形隐埋条。在二次外延中,我们仅装一槽GaAlAs源液,在晶片上仅停留一次便生长出两个掩埋层,且层间界面与有源区自对准。上层为N-GaAlAs,载流子浓度为10¹⁶cm^-3,下层为高阻伴随生长层。由于高阻伴随层的存在对电流产生了有有效的侧向限制作用,因此避免了通常的SiO₂膜沉积等一系列工艺,提高了成品率,减化了工艺程序。利用n型掩埋层和隐埋条区P型上限制层之间铝组分及载流子类型、浓度的差异,虽然做一种宽接触电极,但由于隐埋条区上有良好的欧姆接触,而在掩埋层上为非良欧姆接触,所以起到了一定的电流外限制作用。n型电极是从n⁺-GaAs层引出的。 这种沟道SI-GaAs衬底正装GaAlAs/GaAs BH激光器室温连续工作阈值电流为55mA,P-I曲线在100℃仍有良好的线性关系。     

高热稳定性氟化聚醚砜的合成及其在阵列波导光栅复用器中的应用

用合成的3-三氟甲基苯侧基聚醚砜(3F-PES)作为波导芯层材料制作了新型硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器.采用DSC,TGA和AFM等方法对3F-PES的光学性质和热稳定性进行了表征.DSC和TGA结果显示,3F-PES的玻璃化转变温度为170℃,在空气中5%的热失重温度为542℃,表明具有非常好的热稳定性.3F-PES溶液在旋涂时具有很好的成膜性,AFM照片显示,粗糙度起伏为0.35nm.近红外吸收谱表明,3F-PES在光通讯波段有较小的吸收,适合用来制作低损耗的光波导器件.用3F-PES作为波导芯层材料制作的八通道硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器的通道间隔为1.603nm,中心波长为1550.15nm.     

有机发光材料DPVBi的空穴阻挡特性

讨论了有机发光材料4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl(DPVBi),在结构为ITO/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)/DPVBi/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq₃)/LiF/Al的有机电致发光器件中所表现出来的空穴阻挡特性。通过实验可以看到,当NPB的厚度小于DPVBi的厚度时,DPVBi对空穴的阻挡作用和其自身的厚度有关,厚度越大阻挡能力越强。DPVBi的厚度一定(120nm)且不足以将空穴完全限制于DPVBi层内时,其对空穴的阻挡能力,随着NPB厚度(30~60nm)的增加而相对减弱。当NPB的厚度大于DPVBi的厚度时,进入DPVBi层的空穴,随着它们之间厚度差别的增大而增加,从而使器件的光谱半峰全宽加大。这几条规律对于制作基于DPVBi的有机蓝光和有机白光器件具有一定的指导意义。     

TBVB用作蓝光发光层的非掺杂有机电致蓝光和白光器件

利用一种来源于PPV的发蓝光的齐聚物材料2,5,2',5'-tetra(4'-biphenylenevinyl)-biphenyl(TBVB)制作非掺杂的有机电致蓝光和白光器件。蓝光器件的结构为ITO/NPB/TBVB/Alq₃/LiF/Al,其中TBVB用作发光层;白光器件的结构为ITO/NPB/TBVB/rubrene/Alq₃/LiF/Al,其中TBVB与超薄层(平均“厚度”0.05~0.20nm)的Rubrene相结合用作发光层,二者分别发蓝光和黄光。在蓝光器件中,当TBVB的厚度为30nm时,器件发出色坐标为(0.20,0.26)的蓝光,其最大亮度和效率分别达到2154cd/m²和1.62cd/A。在白光器件中,可通过调节TBVB和Rubrene的厚度实现对器件发光色度的调节。当TBVB和Rubrene的厚度分别为10,0.15nm时,器件在亮度为4000cd/m²时发光色坐标为(0.33,0.34),非常接近白光等能点,且随着电压的变化始终处于白光区。当电压为16V时该器件达到最高亮度4025cd/m²;当电压为6V时器件有最高的效率3.2cd/A。