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41.
采用量子级联激光器的可调谐半导体激光吸收光谱技术及可移动开放式光路系统在线检测泄露区域的SF_6气体.光路系统位于高压组合电器间隔周围,与传感系统通过非接触组合.中红外激光器的工作温度在10℃且注入电流为680 mA时发射频率范围可覆盖SF_6气体的选择波长.通过对大区域实验舱的内环境进行多次抽取分离,得到二次谐波吸收的精确背景吸收,利用10.55μm的可调谐激光传感系统对泄露扩散平衡后的SF_6气体进行测量,扣减背景吸收后得到泄露SF_6气体的二次谐波吸收光谱.研究结果表明:14.3 m的开放式光路下,气相色谱-热导率检测器溯源校准数据与可调谐半导体激光吸收光谱技术检测一致性良好,最大偏差为2.26%,二次谐波最大信号幅值与测量浓度具有较高拟合度,拟合系数为0.998,SF_6体积浓度的检测下限为1.8×10~(-6).该研究可为SF_6气体泄露提供一种全新的检测方法,从而实现高压组合电器大区域环境下SF_6气体实时在线监测. 相似文献
42.
介绍了回归分析计算原理,LINEST(known_y’s,known_x’s,const,stats)语法。通过补加一组方程,Excel回归分析可解多元线性方程,列举了解多元线性方程实例。 相似文献
43.
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。 相似文献
44.
45.
1 引 言 DBC-偶氮氯膦全称为:2-(4-氯-2-膦酸基苯偶氮)-7-(2,6-二溴-4-氯苯偶氮)-1,8-二羟基3,6-萘H磺酸,简写为DBC-CPA。它已用于稀土、钡、锶、钙和钐的测定。作者在研究了该试剂与铁显色反应的基础上,又研究了与铋的显色反应,发现在1.2moL/L HClO4的介质中,于少量乙醇存在下,试剂与铋生成2:1的络合物,络合物稳定性好,灵敏度高,其表观摩尔吸光系数 1.08× 105 L·mol-1·cm-1,常见离子:银、镁、镉、钴、镍、铜、锰、铝、锌、铁、铬、硅等允许共… 相似文献
46.
在pH 7.4 NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液中, Eu(Ⅲ)与环丙沙星反应形成1∶2的稳定缔合物, 产生稀土敏化荧光现象, 其最佳激发、发射波长分别为λex=355 nm、λem=612 nm. 在该反应体系中加入适量维生素M溶液, 使Eu(Ⅲ)与环丙沙星缔合物的荧光发生猝灭. 利用这一现象, 建立了测定维生素M的荧光分析方法. 该方法保持了维生素M结构的完整性, 维生素M浓度在1.0×10-7~7.0×10-6 mol/L范围内符合线性关系, 检出限4.4×10-8 mol/L. 该方法用于片剂及胶囊中维生素M含量的测定, 6次平行测定回收率为95.7%~103.0%, 相对标准偏差为0.99%~1.4%. 相似文献
47.
48.
49.
1 INTRODUCTION Self-assembly of coordination polymers fromthe basic building blocks is of considerable interestdue to their intriguing diverse architectures and po-tential applications in catalysis and advanced mater-ials, such as magnetic, optical a… 相似文献
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