高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制

采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口（直径为300 μm）InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作（脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz）,并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试.器件阈值电流为460mA,器件的最大光输出功率为100mW,发射波长为978.6nm, 光谱半功率全宽度为1.0 nm,远场发散角小于10°,垂直方向的发散角θ_⊥为8°,水平方向的发散角θ_∥为9°,基本为圆形对称光束.     

LB膜的XPS光谱及其电致发光

采用X射线光电子能谱 (XPS)和UV Vis光谱研究了 2个以 8 氨基喹啉为亲水头基的两亲配体 ;2 长链烷基丙二酸二 (8 氨基喹啉 )酰胺 (H2 A) (H2 A1 2 :长链烷基为十二烷基 ;H2 A1 6 :十六烷基 )在气 /水界面与Cu2 离子的配位作用。配位后H2 A1 2 和H2 A1 6 单分子膜的崩溃压分别由 12 5和 15 6mN·m- 1 增加至 2 8 0和33 8mN·m- 1 。从含Cu2 离子亚相表面组装的LB膜出现了Cu2 离子的特征XPS峰 ,Cu2p为 935和 95 5eV ,XPS表明H2 A与Cu2 的配位比为 1∶1。H2 A的LB膜可以用作电致发光 (EL)器件的空穴传输材料 ,三层EL器件ITO/TPD/LB膜 /Alq3/Al(LB膜分别为 15层H2 A1 2 和 15层H2 A1 6 )的驱动电压分别为 6 5和 7 5V ,最大亮度分别为 6 2 1和 2 0 1cd·m- 2 。     

基于高效液相色谱的喹啉类药物对刺参DNA甲基化水平的影响研究

建立了高效液相色谱/紫外法测定刺参组织全基因组DNA甲基化水平的方法,并运用此方法对喹噁啉药物处理过的刺参样品DNA甲基化水平进行分析。色谱条件为:色谱柱为ZORBAX SB-Aq(4.6 mm×250mm;5μm);柱温为30℃;检测波长为280 nm;进样量20μL;流动相为甲醇-7 mmol/L乙酸铵(7∶93),流速为1.0 mL/min。5-甲基脱氧胞苷和脱氧胞苷的质量浓度在0.05~1.0 mg/L范围内时,线性关系良好,相关系数(r)均为0.999 9。5-甲基脱氧胞苷和脱氧胞苷的检出限均为0.05 mg/L,在加标浓度为0.05,0.25,1.0 mg/L时,回收率为90.4%~100.6%,批内、批间相对标准偏差均小于4%。采用CTAB法提取刺参组织DNA,酶解后进行HPLC测定,结果表明:喹噁啉药物处理过的组织样品DNA甲基化水平低于对照组,该类药物通过改变DNA甲基化水平而影响基因的正常表达,可能是其产生遗传毒性的一种机制,建立的方法可以很好地用于全基因组DNA总甲基化水平的检测。     

系统最佳维修策略研究

一个复杂系统通常由多个不同部件组成，考虑到这些部件有各自不同的失效率及维修时间，本提出了一种新的维修策略模型，该模型考虑了不同部件的差异性及对系统的不同重要性，在一定可用度要求下，使系统总平均费用达到最小的最佳预防维修周期，并给出了相应的仿真算法。     

基于多重氢键组装的双杯冠合成及对铯离子的络合

合成了一种基于多重氧键组装形成的新型双杯冠化合物,利用核磁共振氢谱(1H NMR)和碳谱(13C NMR)以及高分辨质谱(ESI-HRMS)对组装前体分子结构进行了表征.通过一维和二维核磁共振氢谱(2D NOESY)研究了该双杯冠的的自组装结构,并采用核磁共振和紫外-可见光谱的方法测定了其对铯离子的络合.实验表明,通过氢键组装形成的双杯冠化合物,由于阻止了单杯冠分子内组装而限制了冠醚环构象改变,其萃取率由单杯冠的82％提高到96％.     

超导单光子探测技术

单光子探测是弱光测量技术的核心,在量子信息、物理、生物、化学和天文学领域具有关键性的作用。传统以光电倍增管或雪崩二极管为基础的单光子探测器的低灵敏度和高暗计数限制了信噪比的提高,低计数率限制了测量速度和动态范围。本文综述了以超导材料作为光敏感器件的单光子探测技术,其量子效率、暗计数率和计数率远高于传统的单光子探测器,它们的出现势必给单光子测量相关学科带来巨大影响。     

高功率垂直腔面发射激光器的光束准直特性

基于高斯光束的准直原理,针对不同结构参数的大功率垂直腔面发射激光器光束特征,通过选用合适参数的透镜,研究了不同连续和脉冲电流条件激励下光束的准直特性.对于出光口径为200 μm的器件,通过f=3.1 mm,NA =0.68的透镜,连续工作条件下,准直后的最小发散角达到1°;在电流为40A、脉宽60 ns、重复频率1 k...     

850nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器

制备了具有低红暴优势的850 nm大功率高亮度锥形半导体激光器,获得了近衍射极限的激光输出.当连续输功率为200 mW时,光束质量因子M2仅为1.7,亮度高达16.3 MW·cm-2·sr-1;当功率提高到1W时,M2因子和亮度仍分别达到2.8和9.9 MW·cm-2· sr-1.此外,研究了锥形激光器的功率、光谱、远...     

用菲涅耳理论研究衍射光路可逆性

 用菲涅耳衍射理论研究了光栅及双光栅成像系统衍射光路的可逆性。首先用菲涅耳衍射理论分析单片光栅衍射光的复振幅分布,根据其复振幅分布的相位关系研究其可逆性;再根据单片光栅衍射光路所具有的结论来分析双光栅衍射成像效应的衍射光路可逆性,得到了光栅衍射光路及双光栅成像系统光路具有部分可逆性;应用衍射光路的部分可逆性诠释了双光栅成像效应的本质及光栅的汇合光谱特性是色散光谱特性的逆效应,并根据衍射光路具有部分可逆性的特性实现了图像处理。     

The improved output performance of a broad-area vertical-cavity surface-emitting laser with an optimized electrode diameter

The output performance of a 980-nm broad-area vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) is improved by optimizing the p-electrode diameter in this study.Based on a three-dimensional finite-element method,the current density distribution within the active region of the VCSEL is optimized through the appropriate adjustment of the p-electrode diameter,and uniform current-density distribution is achieved.Then,the effects of this optimization are studied experimentally.The L-I-V characteristics under different temperatures of the VCSELs with different p-electrode diameters are investigated,and better temperature stability is demonstrated in the VCSEL with an optimized p-electrode diameter.The far-field measurements show that with an injected current of 2 A,the far-field divergence angle of the VCSEL with an optimized p-electrode diameter is 9°,which is much lower than the far-field angle of the VCSEL without this optimization.Also the VCSEL with an optimized p-electrode diameter shows a better near-field distribution.