塑料梯度折射率透镜棒的色差

本文从光线理论出发,讨论了塑料梯度折射率透镜棒的色差,得到了M₁—M₂共聚体的一组色差方程式。并在五种特殊情况下讨论了色差方程式的解。     

认购证发行总数的估计

利用发行的认购证有编号１，２，……，Ｎ，，本文通过随机抽取的几个认购证号码，给出了认购证发行总数的最大似然估计，一致最小方差无偏估计和Ｂａｙｅｓ估计。     

L—fuzzyLocale理论与分配格的L—fuzzy拓扑表示

首先文中引入了Ｌ—ｆｕｚｚｙｌｏｃａｌｅ范畴，并证明了该范畴与满层Ｌ—ｆｕｚｚｙ拓扑空间范畴的关系类似于ｌｏｃａｌｅ与拓扑空间的联系．其次，文中建立了分配格的ｌｏｃａｌｅ式ｆｕｚｚｙＳｔｏｎｅ表示，并且与经典结果一致，任一分配格的Ｌ—ｆｕｚｚｙｌｏｃａｌｅ表示的点空间就是它的Ｌ—ｆｕｚｚｙ谱空间．     

彩色编码分析超声心动图在心脏病临床中应用价值的初步探讨

近来超声心动图已被证实为临床切实可用的诊断检查技术,它已逐渐成为心脏病诊断的主要根据之一.对某些复杂先天性心脏病及心脏结构异常可与有创检查方法心血管造影术互为补充,对某些病已可用无创方法逐步取代或部分取代有创检查方法.目前,人们期待更高质量和更多性能的超声检查心脏设备,以充分发挥这种以分析图象为根据的技术之潜在能力.提高分辨力是重要的途径.为此,人们改进探头形态、晶体片质量、扫描方式等,以更真实地传输被探查目标的原形,同时也采用先进的信息处理技术改进显示方法.为此,采用了灰阶显示.曾有人试用彩色编码显示M型超声心动图,但未有更深入的资料报告.我们对二维扇扫超声心动图的录象及图片,进行了彩色编码的初步分析,得到初步印象,认为本技术可以提高二维超声心动图,特别是静止心脏显示图象的分辨力,值得进一步研究及临床试用.     

非智力因素在教学中的作用

什么是非智力因素?先着两个小实验。实验1 教师向甲、乙两班分别布置了学习任务。说法、目的要求基本相同,唯一的区别是他向乙班加了一句话:这节所讲的内容下节课要测验。实验表明,听到这句话的乙班学生,上课注意力集中,测验题中凡讲到的内容,基本上答对了,速度也比较快,而甲班则不如。实验2 一次数学测验,A、B两个学业差不多的学生都得了52分,教师在班上批评了A生,对B生不但没批评,还表扬他对某道题的解法有独特见解。实验发现,B生以后上数学课兴趣很高,并能积极思考;而A生则情绪低落,丧失信心。待期末考试时,A生只得了27分,而B生却增加到79分。两则小实验告诉我们;学生的一种随动机所诱发     

基于八面体理论的岩石循环加-卸载本构模型及修正

探究岩石的受力特点及破坏特性是研究岩石地下工程安全性的关键,诸多学者都期望能在岩石本构模型的研究上取得突破性进展。在此背景下,提出了一种能够描述循环加-卸载条件下岩石的本构模型。首先,假设岩石的微元强度服从八面体剪应力理论并且微元破坏服从Weibull概率公式,将岩石本构中的损伤变量以及岩石微元强度表达式里包含的损伤因子进行本构变换,得到关于应力、应变等其他表现加-卸载下岩石损伤本构模型的参数,表示出岩石微元强度和损伤变量,再将得到的岩石微元强度和损伤变量代入所提出的岩石本构模型中,并进行等式变换得到一个函数表达式。通过将其与实验数据进行拟合对比分析,得出修正后的拟合参数,将其代入函数式中,得到损伤本构模型的修正式。最后将拟合参数进行必要的敏感性分析,得出各拟合参数的实际物理意义。     

一维方势阱的光学模拟

将一维方势阱中的粒子与约束在平面波导内传播的光波类比，用光学模拟来演示一维势阱中能量量子化现象．     

彩色莫尔等高术

本文提出了用棱镜色散产生莫尔等高线条纹假彩色编码的方法.研究了单棱镜和互补双棱镜两种典型系统.给出了实验验证.     

进口原油、天然气检验监管的安全、环保和反欺诈技术

讨论了进口原油和天然气检验监管工作、包括科研工作重点应该转移到从安全、环保、卫生、反欺诈等方面把好国门的必要性和紧迫性。提出了加快研制和开发现场、快速、高通量检测仪器、装置和传感器等建议。     

Improvement of breakdown characteristics of an A1GaN/GaN HEMT with a U-type gate foot for millimeter-wave power application

<正>In this study,the physics-based device simulation tool Silvaco ATLAS is used to characterize the electrical properties of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) with a U-type gate foot.The U-gate AlGaN/GaN HEMT mainly features a gradually changed sidewall angle,which effectively mitigates the electric field in the channel, thus obtaining enhanced off-state breakdown characteristics.At the same time,only a small additional gate capacitance and decreased gate resistance ensure excellent RF characteristics for the U-gate device.U-gate AlGaN/GaN HEMTs are feasible through adjusting the etching conditions of an inductively coupled plasma system,without introducing any extra process steps.The simulation results are confirmed by experimental measurements.These features indicate that U-gate AlGaN/GaN HEMTs might be promising candidates for use in miltimeter-wave power applications.