不同SnO2晶体结构的力学性能及电子结构

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函,对高压相变产生五种不同 SnO2晶体结构的电子结构和力学性质进行了第一性原理计算.计算结果表明,Pnam型SnO2的形成相对困难,体模量较大,Pbca和Pnam型SnO2的维氏硬度值相差不明显.不同晶体结构的带隙存在差异,导带区域电子分布和弥散程度大于价带区域,局域性差.五种SnO2晶体结构的价带部分约在-10-0 eV和-20--15 eV处,主要贡献来自于O2p、2s轨道.光学性质计算表明,Pnam结构对紫外波段光的吸收最明显,同时给出电子轨道跃迁规律.     

有机电致发光材料分子与器件结构设计

有机电致发光器件是当今显示器件的研究热点，越来越多的人们致力于开发高性能的发光材料和研制高效率的器件结构。本文就有机发光材料的分子结构设计，以及提高有机发光器件性能的主要途径作一简要论述。     

利用奇异酉几何构造新的带仲裁的认证码

带仲裁的认证码既要防止敌人的欺骗,又要防止收方和发方的相互欺骗.文章利用有限域上奇异酉几何构造了一个新的带仲裁的认证码,计算了这个码的各种参数.当收方和发方的编码规则按等概率分布选取时,计算出了各种攻击成功的概率.