掺杂对随机分布团簇粒子缪勒矩阵的影响

文章分析了不同含量的杂质对随机分布团簇粒子缪勒矩阵的影响.利用Bruggeman有效介质理论得到了含有不同体积份额杂质的硅酸盐粒子的等效复折射率.采用离散偶极子近似方法对包含有不同化学成分的随机分布团簇粒子的缪勒矩阵进行了数值计算,给出了各个缪勒矩阵元素的散射角分布曲线,探讨了不同含量的杂质对随机分布团簇粒子缪勒矩阵的影响.研究表明,掺杂对随机分布团簇粒子的缪勒矩阵存在着不同程度的影响,并且此影响随着粒子尺度参数的变化而显著变化. 关键词： 团簇粒子 缪勒矩阵 Bruggeman有效介质理论 离散偶极子近似方法     

FRINGE EFFECT ON CRITICAL CURRENT OF A GOLD FILM PERCOLATION SYSTEM

In this paper, the fringe effect on critical current has been studied systematically by measuring the electric transport characteristics of a Au-film system with diffuse fringe structure. It is found experimentally that, when the fringe effect becomes obvious, the film will exhibit strange I-R charac-teristics, in which exist a balance current and a critical current. We find that the critical exponents are related lo the diffuse fringe structure of the Films. The detailed analysis shows that the character- biles result from the thermionic-activating conductive effect in the diffuse fringe film sytem.     

弥散边缘型分形金簿膜的临界特性

研究了沉积在分形基底上的弥散边缘型分形金薄膜的边缘对三次谐波系数以及临界电流的影响．结果表明，该薄膜系统的三次谐波系数、电阻率以及临界电流之间仍存在指数式临界关系．但由于边缘的影响，其临界指数与其它薄膜系统的相应值之间存在着较大差别．还对这些临界规律的普适性问题进行了讨论     

HL-2A托卡马克超声分子束注入深度和加料效果研究

超声分子束注入深度与加料效率是分子束加料研究中的基本课题.在近期开展的超声分子束注入实验中，发现分子束注入深度与等离子体电子温度和密度、分子束源的气压和温度有直接关系，获得了分子束注入深度的定标律.在低温气体源(液氮冷却)的分子束注入实验中，发现分子束流中形成了团簇，其注入深度超过30 cm，分析了在低温气源分子束注入实验中的团簇现象. 关键词： 超声分子束注入 注入深度 加料效率 团簇     

用U(4)群研究氘代乙炔分子的振动激发态能谱

氘代乙炔分子的动力学对称群是三个U(4)群的直积群,找到一个适当群链,其中各子群的卡塞米尔算子组成分子的哈密顿,组合系数由该分子的实验光谱数据确定.利用这个代数哈密顿计算的能谱与实验值相符.实验上尚未观测的光谱也可以计算出来.     

六方碳化硅中的深能级缺陷

文章作者利用深能级瞬态谱(DLTS)，正电子湮灭谱(PAS)和光致荧光谱(PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷、这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照，或氦离子注入等产生．经过研究和分析各种实验测试的相关图谱，作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据．     

From Claringbullite to a New Spin Liquid Candidate Cu_3Zn(OH)_6FCl

The search for quantum spin liquid(QSL) materials has attracted significant attention in the field of condensed matter physics in recent years, however so far only a handful of them are considered as candidates hosting QSL ground state. Owning to their geometrically frustrated structures, Kagome materials are ideal systems to realize QSL. We synthesize the kagome structured material claringbullite(Cu_4(OH)_6FCl) and then replace inter-layer Cu with Zn to form Cu_3Zn(OH)_6FCl. Comprehensive measurements reveal that doping Zn~(2+) ions transforms magnetically ordered Cu_4(OH)_6FCl into a non-magnetic QSL candidate Cu_3Zn(OH)_6FCl. Therefore,the successful syntheses of Cu_4(OH)_6FCl and Cu_3Zn(OH)_6FCl provide not only a new platform for the study of QSL but also a novel pathway of investigating the transition between QSL and magnetically ordered systems.     

在预刻蚀的衬底上通过分子束外延直接生长出拓扑绝缘体薄膜的微器件

在利用光刻将拓扑绝缘体外延薄膜加工成微米尺寸结构的过程中,所用的各种化学物质会导致薄膜质量的下降.在实验中,通过在钛酸锶衬底上预先光刻出Hall bar形状的凸平台并以此为模板进行拓扑绝缘体(Bi x Sb1-x)2Te3薄膜的分子束外延生长,直接获得了薄膜的Hall bar微器件,从而避免了光刻过程对材料质量的影响.原子力显微镜和输运测量结果均显示该微器件保持了(Bi x Sb1-x)2Te3外延薄膜原有的性质.这种新的微器件制备方法有助于在拓扑绝缘体中实现各种新奇的量子效应,并可推广于其他外延生长的低维系统.     

t →cγ and t →cg in Local Gauged Baryon and Lepton Numbers

In this paper, we calculate the top quark rare decays t →cγ and v in an extension of the standard model, where baryon number and lepton number are local gauge symmetries. Adopting reasonable assumptions on the parameter space, we find that the branching ratios of t →cγ and t →cg can reach 10^-6 and 10^-5 respectively, which can be detected in near future.     

n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

在Ar+O2气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn2O2和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调了弛豫时间的重要性.为了提高导电膜的透射率,还分析了Burstein-Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度T8≈280℃.实验表明,在氧分压为8％左右时制备的薄膜质量较好,热处理后的指标大约为迁移率μH=31×10-4m2/V·s,电阻率ρ=1.89×10-5Ω·m.