量子纠缠态的普适远程克隆

提出一种任意两粒子纠缠态1→2普适远程克隆方案. 此方案仅需一个特殊的四粒子纠缠态作为量子信道, 就可使处于空间不同位置的两个接收者分别以5/6的保真度得到任意输入态的近似拷贝, 该保真度远高于已有方案中的保真度. 将方案推广到任意两粒子纠缠态1→N(N>2)普适远程克隆的情况, 可使处于不同地点的N个接收者分别以(2N+1)/(3N)的保真度得到输入态的近似拷贝. 另外, 提出一种以上述单个特殊四粒子纠缠态作为量子信道, 在多目标量子比特受控非门和 关键词： 量子纠缠态 普适远程克隆 保真度     

微波强场中的光谱激发现象

本文报道了元素，化合物和放电灯在微波强场产生的激发现象。介绍了一种在微波强场中产生原子发射光谱的新方法。采用作者自行改制的微波激发装置，即可使固态的元素和化合物产生光谱辐射，也可使各种放电灯和气体光谱管得以激发，用一种装置实现了几种装置的功能，对于该方法存在的问题，文中也作了一定的说明。     

LiTaO_3和LiNbO_3中超声传播时间及等效弹性模量的温度系数

应用脉冲回波重合法(Pulse-Echo-Overlap Method),在—100℃— 100℃温度范围内,精确地测量了钽酸锂和铌酸锂晶体中八种体波模式超声传播时间随温度的变化关系,并由此计算了声速温度系数和等效弹性模量的一级、二级温度系数。     

旋转压电纳米梁的振动分析

本文基于非局部弹性理论，对旋转压电纳米梁模型的振动进行了分析．首先由哈密顿原理导出旋转压电纳米梁的动力学控制方程及相应的边界条件；再通过微分求积法对控制方程和两类边界条件进行离散；最后通过数值计算分析振动特性．通过改变旋转角速度、轮毂半径、非局部参数以及外部电压分析它们对压电纳米梁振动频率的影响关系．数值结果表明这些参数对压电纳米梁固有频率有不可忽略的影响，本文进一步讨论了旋转角速度对结构模态的影响．     

压力场中光纤应变测量方法研究

本文对压力场环境下的光纤应变测量方法进行了研究，在理论上分析了由于测试环境的压力变化产生虚假应变的原因，提出了采用补偿的方法消除虚假应变。通过具有补偿功能的马赫－泽得干涉系统对应变场进行了测量，证明了补偿法的可靠性，为光纤应变测量方法向实用化转变进行了有益的探讨。     

高效液相色谱法测定全血中直链烷基苯磺酸钠

提出了高效液相色谱法测定全血中直链烷基苯磺酸钠同系物的含量。全血样品用酸性提取溶液稀释,过Bakerbond SPE C18固相萃取小柱,经甲醇-乙酸-水(49+2+49)混合溶液淋洗后用甲醇-氨水(98+2)混合溶液洗脱。经纯化后的洗脱液在Wakopak WS AS-Aqua(250 mm×4.6 mm,5μm)柱上进行分离,流动相为乙腈与水(60+40)混合溶液,检测波长为228 nm。5种n-ABS同系物的C10~C14的质量分数在10.0~100.0 ng.g-1范围内与其峰面积呈线性关系,全血中各同系物回收率为78%~107%;日内相对标准偏差(n=5)≤10%,日间相对标准偏差(n=5)≤13%。     

关于Rankin-Selberg问题: Riesz余项的高次均值

设$\Delta_1(x;\varphi)$ 表示Rankin-Selberg问题中的第1 Riesz余项, 研究其高次积分均值. 利用大值估计及其他技巧得到了$\Delta_1(x;\varphi)$的3次、4次和5次积分均值的渐近公式.     

Stark效应对双光子Jaynes－Cummings模型中原子的压缩效应的影响

本文研究了包括Ｓｔａｒｋ效应时任意初态的双光子Ｊａｙｎｅｓ－ＣＵｍｍｉｎｇｓ模型的一般演化规律，应用到具体问题，讨论了初始时刻有效二能级原子处于基态而光场为二项式分布时原子的压缩效应。     

算符(f(“非汉字符号”))k正交归一本征态的非经典特性

证明了算符(a^f(n^))k(k≥3)的k个正交归一本征态的完备性,引入了反聚束效应和一种新的高阶压缩,研究了算符(a^f(n^))k的k个本征态的反聚束效应和高阶压缩特性.结果表明,这些态可以构成一个完备的希尔伯特(Hilbert)空间,它们均可呈现反聚束效应,且当k为偶数时它们可呈现M阶[M=(n+12)k;n=0,1,2,…]压缩效应 关键词： 算符(a^f(n^))k的本征态 完备性 反聚束效应 高阶压缩     

含Kerr介质的Fock态和相干态腔场中耦合双原子辐射谱

研究了在充满Kerr介质的高Q腔中两个具有偶极-偶极相互作用的二能级原子辐射谱,给出了初始光场为Fock态和相干态时辐射谱的数值结果.讨论了Kerr效应对谱结构的影响.在初始注入光场为较强的相干态时,辐射谱除中心单峰外,两侧各出现一个多峰梳状边带,峰的个数随初始场平均光子数-n的增大而增多,峰间距随Kerr介质与光场的耦合系数X的增大而增大,两个边带则随Xn-的增大逐渐远离.