Y1-xPrxBa2Cu3O7+δ的红外反射谱

测量了温度范围为4.2—300K的Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ(x=0,0.1,0.2,0.4,0.5,0.61.0)的红外反射谱,发现在低温下Ba模有双模行为,随着x值增大双模强度反转,在YBa₂Cu₃O_7+δ中已被判定为Y模的位于194cm^-1的反射峰的位置与Pr的含量无关,即用Pr部份或全部替代Y时此峰不发生频移。建议Pr在Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ,中是正4价,Pr的替代使原来可移动的空穴被定域在Pr的周围,使超导电性受到压制。 关键词：     

辐照损伤对钨晶格热导率影响的分子动力学研究

钨是最具应用前景的面向等离子体候选材料,但核聚变堆内强烈的辐照环境会使钨的近表面区域产生辐照损伤,进而影响其关键的导热性能.本文构建了包含辐照损伤相关缺陷的晶体钨模型,并采用非平衡分子动力学的方法定量研究了这些缺陷对钨导热性能的影响.结果表明,随中子辐射能量的增加,晶体内部留下的Frenkel缺陷数目增多进而导致钨的晶格热导率降低;间隙原子比空位更易于向晶界偏聚,且钨中的间隙钨原子与空位相比,使晶格热导率下降程度更大.纳米级氦气泡导致晶格热导率的显著降低,气孔率为2.1%时晶格热导率降至完美晶体的约25%.这些不同的缺陷造成不同程度的周围晶格扭曲,增加了声子散射几率,是导致晶格热导率下降的根源.     

科学家找到大规模生产纳米石墨烯薄片新方法

 据美国物理学家组织网3 月26 日报道,韩国和美国的研究人员近日表示,通过混合固态二氧化碳和相应溶剂,能简单、经济地大规模生产出高质量的纳米石墨烯薄片.相关研究报告发布在本周出版的美国《国家科学院院报》网络版上.     

导热系数测量实验中平衡温度的测量技巧

测量不良导体导热系数实验中的稳定导热条件下的温度时,在选取温度范围内通过反复升温降温的方法,即可迅速准确测得平衡温度,加快了实验速度,减小了实验测量误差。     

纳米银/二甲基砜/聚乳酸-乙醇酸静电纺丝人工敷料的制备及生物评价

采用静电纺丝方法制备了纳米银(n-Ag)/二甲基砜(MSM)/聚乳酸-乙醇酸(PLGA)抗菌人工敷料. 通过场发射扫描电子显微镜(ESEM)和能量离散X射线光谱(EDX)研究敷料的微观结构及表面元素组成. 同时对敷料的力学性能、 吸水性、 细胞相容性及抗菌性进行测试, 结果表明, 该敷料内部纤维呈交叉的网格状结构, 互相连结, 随着n-Ag含量的增加, 纤维的力学强度逐渐增大, 吸水性能逐渐增强. 当n-Ag质量分数达到1%以上时, 敷料对革兰氏阳性菌金黄色葡萄球菌和革兰氏阴性大肠杆菌具有良好的抗菌活性. 细胞实验结果表明, 当n-Ag含量在0.01%～10%之间时, 敷料属无毒性或低毒性; 当其含量小于1%时, 有助于细胞的生长和增殖. 因此, 该敷料具有良好的细胞相容性和抗菌性能.     

NMR和分子模拟研究二乙基丙二酸茚类衍生物中二乙基官能团的CH2CH3自旋系统

在研究用炔基丙二酸亲电环化反应来高区域选择性和立体选择性合成丙二酸茚类衍生物的过程中,发现一些二乙基丙二酸茚衍生物二乙基官能团上的CH2和CH3质子显示出非常有趣的自旋-自旋耦合以及信号裂分现象,以往没有相关文献对这种现象给予报道.为阐述这些发现,在本文中我们合成了几个二乙基丙二酸茚类衍生物,并用NMR和分子模拟研究了这几个化合物二乙基上的CH2CH3自旋系统.结果显示：在这些化合物中,二乙基上的CH2CH3自旋系统可以以各种类型存在（AMX3,ABX3以及A2X3）,而且炔基末端取代的苯基的芳香环电流效应是引起这些有趣的自旋现象的主要原因.     

电流对Mo2C改性C/C-Cu复合材料载流摩擦磨损性能的影响

通过对炭/炭坯体Mo_2C涂层改性并熔渗Cu制备了Mo_2C改性C/C-Cu复合材料,测试复合材料的载流摩擦磨损性能,研究电流强度对复合材料载流摩擦磨损性能的影响.结果表明电流由0增大至15A时,摩擦系数先减小后增大,5A时达最小值;复合材料体积磨损率逐渐增大;对偶磨损量在0~7.5A范围内较低,然后随电流增大而逐渐增大.电流较低时,磨损机制以磨粒磨损为主,随电流增大氧化磨损及黏着磨损程度提高,电流高至15A时,表现出了较明显的电弧侵蚀作用.     

考虑弹丸侵蚀的垂直侵彻混凝土模型及算法研究

现有试验表明:当弹丸侵彻速度低于1000m/s时,因侵彻过程中与混凝土会发生摩擦碰撞,其中损失的质量的总量与弹丸初始侵彻的动能成线性关系。本文利用此侵蚀规律提出了一种考虑弹丸侵蚀的垂直侵彻混凝土靶侵彻模型及算法,此模型中弹丸侵彻阻力由空腔膨胀理论模型计算。采用本文的模型预测了弹丸侵彻混凝土过程中的弹丸头部形状的变化、质量损失、侵彻深度等,将模型计算结果与实验数据对比发现,侵彻深度误差小于10%,质量损失误差在15%以内,表明了模型具有良好的精度和实用性。     

一种新型等离子体磁控溅射镀膜电源设计

磁控溅射镀膜电源是磁控溅射系统中的关键设备之一。根据铌靶和锡靶溅射处理装置的技术要求,研制了一套输出电压0~800 V可调、脉冲宽度5~200 μs可调、频率0~60 Hz可调、在脉冲电流最大幅值约150 A的磁控溅射镀膜电源,分别给出了该电源在铌靶负载和锡靶负载下的实验结果。设计上采用高压短脉冲预电离一体化高功率双极性脉冲形成电路方法,解决了高功率磁控溅射在重复频率工作下有时不能成功溅射粒子、电离时刻不一致、溅射起弧打火靶面中毒、溅射效率低等问题,降低了磁控溅射装置内气体的工作气压,实现低气压溅射镀膜,提高了靶材的溅射效率,减小薄膜表面粗糙度。通过大量实验论证,该电源达到了理想的溅射效果,满足了指标要求。