全钒液流电池用导电高分子材料集流体的研究

以炭黑、石墨、碳纤维等炭系与基体树脂复合改性得到体积电阻率小于0．1的导电高分子材料。研究了不同复合体系及不同配方的复合材料的导电性能，其中尤以SIS／PP体系中碳纤维占填料量32．5％的材料导电率高、力学性能和加工性能良好，并与石墨毡有较好的粘接性。选用该体系作为钒电池集流板，考察了电池性能，研究结果表明，导电高分子材料可以作为钒电池集流体材料，并在钒电池中具有良好的应用前景。     

污染气体红外光谱特征的快速提取与识别

利用小波变换的多尺度分析对污染气体红外光谱数据进行处理,并使用神经网络对红外光谱数据进行分类识别。实验结果表明：小波变换与神经网络的有机结合,有利于污染气体红外光谱的快速特征提取和识别, 并具有较高的识别率,是一个有效的识别系统。     

微纳结构富锂锰基层状正极材料的形貌调控与储锂性能

以金属醋酸盐为原料, 尿素为沉淀剂, 采用水热法辅助高温煅烧制备了三维微纳结构富锂锰基层状材料Li_1.2Mn_0.54Ni_0.13Co_0.13O₂. 通过调整反应溶剂实现了镍钴锰碳酸盐前驱体向球状和纺锤体状的导向性生长. 其中纺锤体状富锂材料在0.1C倍率下首次放电容量接近300 mA·h/g, 在5C大倍率下放电容量能够达到92 mA·h/g, 在0.5C倍率下循环70周容量保留率能够达到85%.     

聚丙烯等温结晶实验教学设计——使学生更全面深入地理解聚合物的结晶过程

聚丙烯等温结晶实验是《高分子物理实验》教学中的一个重要项目。针对本科生在学习“偏光显微镜法观察聚丙烯球晶生长过程”中对实验结果可能存在的认识误区,笔者通过引导学生将差示扫描量热法所得到的聚丙烯等温结晶全过程与偏光显微镜实验结果进行比较,进一步帮助学生充分理解球晶生长不同阶段结晶速率差异及内在原因,使学生对聚合物结晶过程有更加全面深刻的认识,做到理论和实验的有机结合。     

CH_2Cl_2对离子液体BmimPF_6中二茂铁电化学行为的影响

应用循环伏安和交流阻抗法研究有机溶剂二氯甲烷对二茂铁在离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(Bm imPF6)中电化学行为的影响.实验表明,二氯甲烷可促进离子液体的离子解离,减小离子液体粘度,增加离子液体电导率,加速二茂铁在离子液体中的扩散,增大氧化还原峰电流.由于电极界面双电层结构的变化,导致双电层电容增大,电极反应电阻减小,从而加速了界面电子传递反应.     

新型C/C-Cu复合滑动导电材料电摩擦磨损行为研究

采用无压熔渗工艺制备一种新型的具有自润滑耐磨性能的炭纤维整体织物/炭-铜(C/C-Cu)复合材料,在改装的MM-2000型环-块摩擦磨损试验机上考察其载流摩擦磨损性能,探讨外加直流电对摩擦磨损行为的影响并分析其作用机理.结果表明:电流方向决定了复合材料摩擦面磨屑层存在与否,对摩擦系数有较大影响.正接条件下复合材料的摩擦系数和磨损率高于负接条件下.电流强度对C/C-Cu复合材料磨损率影响较为显著.随电流强度增大,磨损率增大,磨损机制由犁削磨损向黏着磨损转变.摩擦系数随电流强度的增大先升高后降低.     

地表潜在断错位移的概率评价方法

目前跨活动断层的线状工程的抗断设防一般是以断层位错确定性评价为基础 ,考虑的是最大位错量 ,与抗御灾害的风险设计的实际要求不相符。本文将走滑断层上最大位错点的位置分布及最大位错点两侧的位错展布 ,与可产生地表断错位移的强震复发模型联合 ,构造出评估走滑活动断层各部位地表潜在断错位移的概率性评价方法。最后 ,以鲜水河走滑断裂中带西北部的松林口 -乾宁段为例 ,对其未来 10 0年潜在断错位移的危险性做出定量评估 ,可给出断层段上各点不同超越概率水平下的潜在位移。这一研究结果 ,可为跨断裂的线形工程进行抗御地表潜在断错位移的风险设计提供科学依据.     

Measurement of the half-life of ~(79)Se with accelerator mass spectrometry

The accelerator mass spectrometry(AMS) is an effective method for the determination of the half-life of long-lived radionuclides. In this paper, we report a method for measurement of the half-life of79 Se. The number of79 Se atoms was determined from measured79Se/Se absolute ratios with the AMS system at the China Institute of Atomic Energy and the decay rate of79 Se was determined by counting the emitted β-rays with a liquid scintillation spectrometer. The major improvements of our measurements include using the high abundance of an79 Se sample which was cooled for many years to exclude the interference of short-lived nuclides, the extraction of SeO-2molecular ions, that results in a suppression of the79 Br background by as much as about five orders of magnitude. Also, an AMS measurement of the absolute ratio of79Se/Se was developed to avoid systematic errors. The results show that79Se/Se is(2.35±0.12)×10-7in the reference sample and the radioactivity of79 Se is(1.24±0.05) Bq/g, so the half-life of79 Se is(2.78±0.18)×105a.     

多载波微放电中二次电子横向扩散的概率分析

长周期多载波微放电是近年来新发现的、主要发生在宽带、大功率真空微波部件中的二次电子倍增放电现象. 与发生在单个载波周期中的多载波微放电相比, 长周期多载波微放电来源于多个载波周期间的二次电子累积, 具有相对较低的放电阈值和不可预测性, 对空间和加速器应用中宽带大功率微波部件的长期可靠性带来了新的隐患. 为解决长周期多载波微放电阈值分析中非均匀场激励下二次电子累积的理论计算问题, 本文采用概率方法, 通过引入随机漫步和Branching Levy漫步模型, 对微放电过程中二次电子横向扩散所需遵循的概率模型进行了严格的推导, 并采用所得的概率密度函数, 给出了主模为TE₁₀模的矩形波导中多载波激励下二次电子积累过程的纯理论计算. 与相同条件下采用粒子仿真所得的结果对比, 本文给出的计算结果与仿真结果相符合, 同时计算耗时减少了接近一个数量级. 本文报道的二次电子横向扩散的概率描述可广泛应用于高功率真空电子和电磁器件领域. 关键词： 多载波微放电 二次电子 随机漫步 概率密度     

菲涅耳波带板X射线成像的快速计算方法

菲涅耳波带板直接成像,应用到激光等离子体或惯性约束聚变靶的X射线成像诊断,可实现μm甚至亚μm的空间分辨能力。在对成像进行数值模拟时,考虑到光源的光谱带宽和几何尺度对成像的影响,要进行菲涅耳-基尔霍夫衍射积分与卷积等数值计算,需占用大量计算机内存并且耗费运行机时。改进了数值计算方法,采用了蒙特卡罗积分法和新的卷积算法。模拟了菲涅耳波带板对大尺度多色X射线源的二维成像,新算法与以往算法相比,可显著减少运算机时,在台式机上实现模拟成像的快速计算。结果表明随着光源尺度增大、光谱带宽增加,像的背景增强,导致反衬度与成像质量下降。