Surface States in the AlxGa1-xN Barrier in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures

Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively.     

弱Silnikov现象中的全局分支问题

本文考虑在一条同宿于具一对纯虚特征值的鞍－焦点的轨道邻域内的分支问题，证明了在同宿分支值的邻域内，存在着可数无穷多个鞍结点分支值，倍周期分支值和２－脉冲同宿分支值，并且两相邻鞍结点分支值的比趋于常数１。     

间隔不变性与相对论拉格朗日力学

文章证明由时空和速度间隔不变性可以导出相对论哈密顿和拉格朗日力学，由此说明哈密顿或拉格朗日为洛仑兹不变量是时空和速度间隔不变性的必然结果。     

新型亲核NO共体Diazeniumdiolate及其靶向性控释材料

新型亲核NO供体diazeniumdiolate独特的化学结构和性质，使其成为目前NO供体研究的一个热点。要使其成为更有效的药物，它的靶向性和控释性能是当前研究的重点，减小亲核试剂（多胺）的细胞毒性和亚硝胺的生成是研究的难点。本文对增强靶向性释放所采取的三个措施（聚合物控释、特定酶代谢释放和光降解释放）的近十几年国外的研究情况进行了综述。     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.     

激光沉积大面积均匀薄膜数学模型与实验

由于激光烧蚀靶材产生的等离子体呈高斯分布,其中所包含粒子密度及性能的空间分布极不均匀,因此脉冲激光沉积法难以制备性能与膜厚均匀的大面积薄膜。提出并构建了衬底自转与一维变速平移机构,衬底匀速自转的同时,进行一维平移,越靠近等离子体中心平移速率越大、反之越小,达到均匀镀膜的目的;在此基础上建立了机构运动参数对膜厚影响的数学模型,通过仿真模拟分析关键参数对膜厚分布的影响;通过运动参数优化指导实验,最终获得了直径为200mm、不均匀性不超过±4%的大面积类金刚石膜,与仿真优化结果吻合。     

22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究

利用计算机辅助设计技术数值仿真工具, 研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应, 系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响. 模拟结果表明, 掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小, 重离子入射产生大量电荷, 屏蔽了初始电荷分布的差异性. 单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关, 超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端. 当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时, 单粒子瞬态电流峰值从564 μA减小到509 μA, 收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC. 超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制, 但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关. 关键词： 超薄体全耗尽绝缘体上硅 单粒子瞬态效应 电荷收集 数值仿真     

浅谈环境物理学

环境物理学是一门新兴的学科，它包括物理学的各个分支，文章从物理与环境的关系出发，介绍了环境物理学的产生，学科体系以及当前的研究领域。     

Br^—2,Cl^—2.诱导氧化磷酰化甲硫氨酸水溶液的脉冲辐解研究

采用脉冲辐解动态吸收光谱法研究了Ｂｒ＾－２和Ｃｌ＾－２自由在诱导氧化Ｎ－二异丙基磷酰化甲硫氨酸（ＮＤＭ）水溶液的过程，结果表明：Ｂｒ＾－２和Ｃｌ＾－２进攻ＮＤＭ中的硫原子形成含硫三电子键ＮＤＭ（Ｓ∴Ｘ）（Ｘ＝Ｂｒ，Ｃｌ）它们分别在４００ｎｍ和３９０ｎｍ处有最大吸收峰，形成和衰变均呈一级反应，测定了不同条件下氧化反应的速率常数，推导了反应机理，并从分子结构观点与甲硫氨酸水溶液的Ｂｒ＾－２．Ｃｌ＾－２