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631.
Undoped and Al-doped 3C-SiC films are deposited on Si(100) substrates by low-pressure chemical vapour deposition. Effects of aluminium incorporation on crystallinity, strain stress, surface morphology and growth rate of SiC films have been investigated. The x-ray diffraction patterns and rocking curves indicate that the crystallinity is improved with aluminium doping. Raman scatting patterns also demonstrate that the strain stress in SiC films is released due to the incorporation of Al ions and the increase of film thickness. Furthermore, due to the catalysis of surface reaction which is induced by trimethylaluminium, the growth rate is increased greatly and the growth process varies from three-dimensional island-growth mode to step-flow growth mode.  相似文献   
632.
利用直流反应溅射方法在p型Si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关. 关键词: ZnO薄膜 异质结 光电转换 光谱响应  相似文献   
633.
采用振荡萃取法,以凝胶渗透色谱净化浓缩液,用戊基溴化镁衍生;衍生物经弗罗里硅土净化后,用气相色谱-脉冲火焰光度法(GC-PFPD)测定,以内标法定量,建立了鱼贝类水产品中8种有机锡的分析方法。方法的线性范围在10-500μg/mL之间,检出限为1.0μg/kg左右。以牡蛎干粉为基质,在10和40μg/kg水平下加标,各有机锡的平均回收率在82.0%-104%之间,相对标准差(RSD)为1.4%-13.3%,牡蛎标准参考物测定结果落在定值范围内。  相似文献   
634.
为了使改进的Hummers法制备氧化石墨烯(GO)的制备过程更容易控制,以反应温度、KMnO4加入时间、KMnO4全部加入后继续反应时间、超声时间为考察因素,亚甲基蓝(MB)的吸附容量为评价指标,在单因素实验基础上,利用响应曲面法对所制备的氧化石墨烯(CGO)的制备工艺进行优化,建立二次多项式回归模型。结果表明,多项式模型的四因素对MB去除效果的影响顺序为:反应温度>KMnO4加入时间>超声时间>KMnO4全部加入后继续反应的时间。最佳制备条件为反应温度25℃、KMnO4加入时间113.25min、t为25min、超声时间6.21h,MB的吸附容量为150mg·g-1。  相似文献   
635.
Sm是生产钐钴永磁材料的重要原料,其采用真空镧热还原Sm2O3制备。Sm的生产过程周期长、生产效率低。采用数值方法研究了真空镧热还原Sm2O3过程团块床层传热对Sm提取率的影响。结果表明提高加热温度能够有效提高Sm的提取率;床层存在较大的温度梯度,越靠近中心区域温度越低,还原反应速度越慢,物料的还原率越低。辐射传热对床层温度影响较大,改变团块堆装方式有助于强化辐射传热。采用立方堆积的床层能够有效提高还原率,比斜方紧密堆积的床层还原率提高10%。立方堆积的床层装料量少、原料利用率高,单位体积床层产生Sm的质量与斜方紧密堆积的床层相当。  相似文献   
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