面心立方铝剪切变形的准连续介质模拟

采用准连续介质多尺度方法模拟了纳米尺度单晶铝的剪切变形.分别采用三种不同晶体取向(分别为x[1-10],y[001],z[-1-10]; x[-1-12],y[111],z[-110]; x[-110],y[-1-12],z[111])和三种不同长宽比的几何模型(分别为1:1,2:1,4:1)进行模拟,得出各模型应力一应变响应曲线.加载过程中,对晶体内部变形比较剧烈的部分画出原子图,并从微观角度分析了产生剧烈变形的原因;讨论了三种晶体取向下的尺寸效应:单晶铝的剪切屈服应力随模型几何尺寸的增加而降低,并且随晶体取向的不同变化很大.最后,使用指数法则来描述模型的尺寸效应,提出了针对不同取向的指数法则参数,表明了晶体不同取向对剪切屈服应力的大小有影响.     

GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

A bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure grown by molecular beam epitaxy on an In0.05Ga0.95As metamorphic buffer is investigated. By introducing a InGaAs：Sb cover layer on the upper InAs quantum dots （QDs） layers, the emission wavelength of the QDs is extended successfully to 1.533 μm at room temperature, and the density of the QDs is in the range of 4× 10^9-8 ×10^9cm^-2. Strong photoluminescence （PL） intensity with a full width at half maximum of 28.6meV of the PL spectrum shows good optical quality of the bilayer QDs. The growth of bilayer QDs on metamorphic buffers offers a useful way to extend the wavelengths of GaAs-based materials for potential applications in optoeleetronic and quantum functional devices.     

喷泉演示装置

喷泉实验是中学物理实验中比较有趣的实验之一,用来演示大气压强的存在.通常多是在密封的容器中进行,由于受到容器的限制,形象不够生动.本实验装置和实际生活中见到的喷泉一样生动有趣,同时还可以调节喷泉水柱的高度。实验装置如图所示,它是由三只5000ml     

近晶相液晶的织构和缺陷

最近几年,对于近晶相(smectic phase)液晶的研究在国外蓬勃开展起来.主要有三个方面吸引着探索者:一是人们对近晶相物理性质的了解比向列相(nematic phase)和胆甾相(cholesteric phase)更不清楚,有大量值得研究的问题;二是从结构上来讲近晶相比其它两种相更与晶体、生物膜相关,进一步探索近晶相的物理化学性质与晶体、生物膜所特有的某些功能的关系是很有意义的;三是1980年在两个国际学术会上分别提出了利用近晶相液晶解决其它两类液晶在电视显示上所造成电光响应速度慢的问题,引起了人们的注视. 在由X射线衍射数据分析所获得的近晶相液晶…     

并列双方柱绕流的Lattice Boltzmann模拟分析

采用Lattice Boltzmann方法对并列双方柱绕流问题进行数值模拟.对方柱间距比s/D=0.2、0.3、0.4、0.5、1.0、1.4、1.5、1.6、1.8、2.0、2.5共11种情况下的流场分别进行计算,给出了对应的流线图、方柱的升力图及阻力图,同时计算了方柱各边中点的压力,给出了压力与间距比的变化曲线,并对各个流线图、升力图、阻力图及压力图进行了分析讨论.结果表明:当s/D≤1.5时,流动呈偏流型,形成周期漩涡;当s/D＞1.5时,流动呈对称型,形成对称漩涡;s/D=1.5为流动从偏流型向对称型转换的临界间距比.该结果对工程中建筑物位置的安排及其安全系数的提高有一定的参考价值.     

介绍一套材料科学方面的连续出版物

由H.赫尔曼(H.Herman)主编、Academic出版社出版的《材料科学与工艺论丛(Treatise on Mater ials Science and Technology)》,是一套综述材料科学与工艺方面的进展、成果及发展趋势的连续出版物。内容包括从简单固休到多相系统;从金属材料、合金到非金属材料以及复合材料;从高性能新材料的研     

考虑弹性地基切向抗力的变截面圆弧壳梁分析

本文根据弹性薄壳理论,考虑了弹性地基径向和切向抗力的影响,解决了变截面圆弧壳地基梁的难题,作者所提出的近似解析法和加权余量法、传递矩阵法较有限单元法简便.     

High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy

The GaSb-based laser shows its superiority in the 3-4 ~tm wavelength range. However, for a quantum well （QW） laser structure of InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well （MQW） grown on GaSb, uniform content and high com- pressive strain in InGaAsSb/A1GaInAsSb are not easy to control. In this paper, the influences of the growth tempera- ture and compressive strain on the photoluminescence （PL） property of a 3.0μm lnGaAsSb/A1GaInAsSb MQW sample are analyzed to optimize the growth parameters. Comparisons among the PL spectra of the samples indicate that the Ino.485GaAso.184Sb/Alo.3Gao.45Ino.25Aso.22Sbo.78 MQW with 1.72% compressive strain grown at 460 ~C posseses the op- timum optical property. Moreover, the wavelength range of the MQW structure is extended to 3.83 μm by optimizing the parameters.     

卤离子导向合成配位聚合物[Hg2X4（ppt）]n（X=I和Br;ppt=1-（4-吡啶基）-吡啶铵-4-硫醇盐）及不同的一维链状结构和三阶非线性光学响应

通过HgX2(X=I,Br)与4,4’-二吡啶基二硫化物(dpds)在乙腈中的溶剂热反应,得到二个含1-(4-吡啶基)-吡啶铵-4-硫醇盐(ppt)的一维配位聚合物:[Hg2I4(ppt)]n(1)和[Hg2Br4(ppt)]n(2).在化合物1和2结构中ppt配体是由dpds在溶剂热反应条件下通过dpds的S—S键和S—C键切断然后进行重排在原位形成的.化合物1具有非中心对称的一维Z字型链状结构,化合物2则具有中心对称的一维Z字型链状结构.用飞秒简并四波混频法测定了1和2溶液的三阶非线性光学性质,化合物1具有较强的非线性光学响应,而化合物2却没有非线性光学响应,这种性质的差异可能由于碘离子是较溴离子更好的电子授体,化合物1有较小的HOMO-LUMO能级,更易发生电子在体系间跃迁,更有效使用三线激发态吸收.