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201.
本文放宽人口结构平稳假设,将总人口增长率与劳动人口增长率之差定义为老龄化率,在此基础上构建老龄经济模型,分析税收政策对老龄经济的影响。基于一定假设,老龄经济存在鞍型收敛路径,平衡增长路径上的人均收入增长率取决于技术进步率与老龄化率之差,技术进步率在积极应对人口老龄化方面至关重要。从税收角度看,资产收入税与企业利润税对老龄经济的扭曲程度较高,而劳动收入税与消费税的扭曲程度相对较低。通过削减政府支出与调整税收结构,减税不仅可以提高均衡的资本水平,若能够激励经济主体积极创新,还将会提高平衡路径上人均收入的增长速度。一定条件下,老龄经济中将会存在正的最优税率。 相似文献
202.
首先分别在595℃、610℃、670℃下进行了P92钢的单轴蠕变拉伸实验。结果表明:当实验温度高于600℃时,应力和应变在双对数坐标下呈现非线性特征,蠕变过程无法通过Norton指数模型进行描述。为了进一步解决高温下蠕变寿命的计算和预测问题,本文提出了一种改进的蠕变本构模型;并在此基础上,引入损伤变量描述第三阶段蠕变。利用新的蠕变模型对P92钢在595℃、610℃温度条件下的蠕变过程进行了模拟,结果表明模型预测的蠕变寿命和实验值误差在5%之内,符合工程评估要求。 相似文献
203.
204.
205.
基于嵌入原子势考察体心立方(bcc)金属Ta的广义层错能和广义孪晶能并获得广义层错能和广义孪晶能曲线. 研究表明,bcc Ta的广义层错能曲线与面心立方金属的广义层错能曲线有明显差异,Ta的广义层错能曲线不存在明显的能量极小值,位错主要以全位错的形式发射. 不同原子厚度的广义孪晶能曲线表明4个原子层的孪晶能曲线开始出现亚稳定的能量极小值,5个原子层的孪晶能曲线出现稳定的能量极小值. 为进一步验证广义层错能和广义孪晶能曲线揭示的塑性变形机理,采用准连续介质力学多尺度方法研究Ⅱ型裂纹尖端的初始塑性变形过程.
关键词:
广义层错能
广义孪晶能
体心立方金属钽
Ⅱ型裂纹 相似文献
206.
207.
208.
高效液相色谱法同时测定苏木中的巴西苏木素和原苏木素B 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了同时测定苏木中巴西苏木素和原苏木素B的高效液相色谱检测方法。采用Agela Venusil XBP-C18(4.6 mm×150 mm,5μm)色谱柱,以甲醇-0.2%甲酸溶液为流动相,梯度洗脱,流速1.0 mL/min,测定温度为35℃,检测波长285 nm。巴西苏木素和原苏木素B的质量浓度均在0.005~1.0 mg/mL时与色谱峰面积之间线性关系良好,相关系数都为0.9999;回收率范围分别为96.7%~101.4%和99.4%~103.0%,相对标准偏差(RSD)为2.0%和1.3%。该法可以用于苏木药材的鉴定。 相似文献
209.
针对量子点场效应单光子探测器(QDFET)光吸收效率低下的问题, 提出了一种新型量子点场效应增强型单光子探测器(QDFEE-SPD). QDFEE-SPD增加了共振腔的设计, 并采用了GaAs/AlAs多层膜作为下反射镜; 对QDFEE-SPD的光吸收增强效应和光响应度进行了理论分析和模拟, 结果表明, 与没有共振腔时相比, QDFEE-SPD的吸收效率和光相应度都有了大幅度的提升, 同时为了光吸收的最优化, 吸收层厚度一般应在0.1–0.5 μm; 对QDFEE-SPD的材料样品进行了生长和测试实验, 反射谱测试和PL谱测试结果表明, QDFEE-SPD对入射光的吸收具有了明显的增强效应. 文章成果为高效率量子点场效应单光子探测技术的研究提供了新的思路.
关键词:
QDFEE-SPD
共振腔
吸收效率
光吸收增强效应 相似文献
210.
High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
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The GaSb-based laser shows its superiority in the 3–4 μm wavelength range. However, for a quantum well(QW) laser structure of InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well(MQW) grown on GaSb, uniform content and high compressive strain in InGaAsSb/AlGaInAsSb are not easy to control. In this paper, the influences of the growth temperature and compressive strain on the photoluminescence(PL) property of a 3.0-μm InGaAsSb/AlGaInAsSb MQW sample are analyzed to optimize the growth parameters. Comparisons among the PL spectra of the samples indicate that the In0.485GaAs0.184Sb/Al0.3Ga0.45In0.25As0.22Sb0.78MQW with 1.72% compressive strain grown at 460 C posseses the optimum optical property. Moreover, the wavelength range of the MQW structure is extended to 3.83 μm by optimizing the parameters. 相似文献