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脑内有数种内源性吗啡样物质,它们的分布和功能意义不尽相同.为阐明内源性吗啡样物质与针刺镇痛的关系有必要对它们分别进行研究.本文采用灵敏和专一的放射免疫分析法测定了家兔和大白鼠在针麻过程中各脑区及脑脊液中两种脑啡肽的含量变化.主要结果为:(1)针刺镇痛过程中下丘脑及纹状体两种脑啡肽均明显升高;(2)家兔侧脑室注射杆菌肽能够显著增强针效和提高脑内及脑脊液中脑啡肽的含量;(3)蛋白合成抑制剂环己亚胺可以削弱针刺升高脑啡肽含量的作用,说明加速生物合成是针刺增加脑啡肽含量的机制之一;(4)手术游离下丘脑后大白鼠电针效应削弱,提示下丘脑参与了针刺镇痛过程. 相似文献
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本文合成了三个噻吩桥联香豆素衍生物,7-N,N-二乙氨基-3-(5-(芘-1-基)噻吩-2-基)-香豆素(Py-Th-NC),7-(N,N-二乙氨基)-3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NCTh-Ph-NC)和3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NC-Th-Ph-C),分别采用HRMS、1H NMR和IR对其结构进行了表征,并研究了三个化合物的发光性能、电化学性能及热稳定性。结果表明,这些香豆素衍生物具备很好的热稳定性,并在二氯甲烷溶液中显示蓝绿色或绿色荧光。 相似文献
446.
一维二嵌段高聚物中电荷输运的分子弹性效应 总被引:1,自引:1,他引:0
基于扩展SSH(Su-Schrieffer-Heeger)模型并采用动力学方法讨论了一维二嵌段高聚物中分子弹性对电荷输运的影响。我们发现,由于两嵌段高聚物中分子弹性的差异,在其交界处会形成一个载流子跃迁势垒。增大注入电子的动能将有效降低电子隧穿的临界电场,而加大两段高聚物弹性的差别将增大临界电场的强度。 相似文献
447.
Partially-depleted Silicon-On-Insulator Negative Channel Metal Oxide Semiconductor (SOI NMOS) transistors with different layouts are fabricated on radiation hard Separation by IMplanted OXygen (SIMOX) substrate and tested using 10keV X-ray radiation sources. The radiation performance is characterized by transistor threshold voltage shift and transistor leakage currents as a function of the total dose up to 2.0×106 rad(Si). The results show that the total dose radiation effects on NMOS devices are very sensitive to their layout structures. 相似文献
448.
在低温强磁场条件下,对In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的
关键词:
二维电子气
正磁电阻
子带散射 相似文献
449.
450.