填好东盟自贸区“签证”

东盟自贸区的经济规模可以与欧盟以及北美自由贸易区相匹敌,而人口总数则超过了欧美这两个自贸区。这将对我国及东南亚各国今后的进出口贸易产生重大影响,必须引起CFO们的重视。     

Al-Mg2Si共晶合金在“神舟2号”飞船上定向复合生长

在我国“神舟2号”飞船上进行的Al-Mg₂Si共晶合金的定向生长样品的初步分析结果. 分析表明微重力对Al-Mg₂Si共晶合金的定向生长有影响. 空间凝固样品中的共晶团比地面的粗大, 定向生长效果比地面样品的差, 但片层厚度没有显示出明显差异, 而空间样品中平均片层间距比地面样品中的小. 并就空间环境对Al-Mg₂Si共晶合金的定向生长的影响进行了讨论.     

新型杂多酸阴离子层柱材料的合成、表征及性能的研究

采用离子交换法，将具有Keggin结构的磷钨醛、硅钨酸引入列Mg—Al、Mg—Al-Cu二元和三元的类水滑石(Hydrotalcite-like compounds,HTlcs)层间，成功制备了层有序度高，结晶度好的杂多酸阴离子水滑石，得到了通道高度达1．15nm的大层间的催化材料，并用红外、XRD表征了材料的结构．测定了对NOx的吸附性能．     

前脚掌硅胶鞋垫对女性下楼梯时足底压力影响研究

本研究旨在探究硅胶鞋垫对青年女性穿高跟鞋下楼梯时前脚掌的足底压力因素, 分析硅胶鞋垫对前脚掌压力的影响. 共选取了12名女性受试者, 在高跟鞋前掌部位放置不同的硅胶鞋垫, 发现前置垫硅胶鞋垫后, M4-5处(第4~5跖骨区)的峰值压力、峰值压强、接触面积和冲量均显著减小(P＜0.05), 非蜂窝状前脚掌垫与蜂窝状前脚掌垫相比, M4-5处的峰值压强、冲量和接触面积显著减小(P＜0.05), M2-3区(第2~3跖骨区)的接触面积也显著减小(P＜0.05). 结果表明女性穿着高跟鞋下楼梯时, 非蜂窝状前脚掌垫与蜂窝状相比对前脚掌外侧产生的压力更小, 考虑出现该情况是由2种硅胶鞋垫的不同结构、硬度、厚度和材料引起的, 其原理还需进一步探究.     

Directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy in the SZ2 unmanned spaceship

This paper reports the investigation results on directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy in the SZ2 unmanned spaceship. The analysis shows that microgravity has influence on the directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy. The eutectic colony in space-grown sample is larger than that in ground-grown sample, and the directional effect is not so good as that of terrestrial sample. But there is no obvious difference in the lamellar thickness between these samples, and lamellar interspacing in space sample is smaller than that grown on the ground. A simple discussion is done on the gravity effect on the directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy.     

静电势能模型对类水滑石结构与性能的理论研究

采用晶体学理论建立类水滑石静电势能模型,对由20层且每层2107个阴离子组成的镁铝类水滑石超分子体系中层间阴离子所受的静电势能进行理论计算．研究结果表明,调变层板金属离子摩尔比影响层板电荷密度与层间阴离子间距,计算得到的阴离子静电势能值与其热稳定性相一致:插层阴离子的电荷与尺寸不同直接影响阴离子的势能大小．     

基质隔离红外光谱结合理论计算研究第五族金属原子和硫化氢反应

利用基质隔离红外光谱结合理论计算,研究了激光溅射获得的第五族金属原子和硫化氢分子的反应. 结果表明金属原子插入H₂S的H-S化学键形成HMSH分子(M=V,Nb,Ta). 对Nb和Ta该HMSH分子重排为H₂MS分子. HMSH分子和H₂S进一步反应生成H₂M(SH)₂分子. 通过D₂S和H₂³⁴S同位素标定确定了产物的分子结构,同时我们用DFT(B3LYP和BPW91)理论计算预测了产物分子的能量、结构和振动频率. 通过DFT IRC计算研究了第五族金属原子和₂S分子的反应机理. HVSH分子通过光照解离为VS和H₂,然后通过退火可以发生VS和H₂复合反应. 计算表明HVSH释放H₂需要16.9 kcal/mol的活化能及吸热13.5 kcal/mol.     

低成本溶胶-凝胶法制备SiO2/TiO2双层膜的减反射与自清洁性能

将玻璃基底依次在低成本的SiO₂溶胶和TiO₂溶胶中浸渍后,在500 oC下煅烧制备了同时具备减反射与自清洁性能的SiO₂/TiO₂双层膜．该膜的光学性能与结构特征分别通过紫外-可见分光光度计和场发射扫描电镜进行了表征．同时,源于超亲水性和光催化作用的自清洁性能也凸显出来．实验结果表明制备SiO₂/TiO₂双层膜对光的透射率最高可达到95%,同时具备自清洁性能．     

高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子

利用化学束外延法制备了高迁移率的In_0.53Ga_0.47As/InP量子阱样品. 在样品的低温磁输运测试中, 观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡和零场自旋分裂引起的拍频. 本文提出一种解析的方法, 即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱, 得到有效g因子的大小.     

CRAFT TF Dummy 线圈 VPI 模具设计与分析

环向场(Toroidal Field, TF) 线圈是聚变堆主机关键系统综合研究设施(CRAFT) 的重要组成部分, 由CICC(Cable in Conduit Conductor) 导体完成线圈绕制, 通过真空压力浸渍(Vacuum Pressure Impregnation, VPI)完成线圈绝缘处理. 在树脂浸渍线圈绝缘层, 随后进行较长时间的高温固化, 以完全固化整个绝缘层的树脂. 在浸渍和固化过程中,VPI 模具不仅承受线圈本身的载荷, 还要承受大气压力、 内部打压、 热变形等. 为了保证线圈绝缘质量, 采用 CATIA 软件对 VPI 模具进行3D 建模, 并对 VPI 模具进行了 Ansys Workbench 有限元软件分析与校核. 分析表明,VPI 模具的设计合理, 为工程设计提供了理论和实践依据.