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711.
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)由于高对比度、高亮度、超薄、低功耗、宽视野、快响应速度等特性,日益引起人们的兴趣。通过对部分周边驱动电路集成于衬底的2英寸(5.08cm,64×3×80)有源矩阵显示屏(Active Matrix OLED,AMOLED)上像素驱动电路的仿真,确定彩色OLED显示屏维持白平衡时R、G、B三种OLED所需的驱动电压、电流等工作参数。OLED的发光亮度和电压并不是线性关系,为了维持显示屏的色彩均衡性,对图像数据编码进行校正,保证了灰阶电压与发光亮度呈线性变化。从BMP格式的文件中提取出图像数据部分,进行数据变换,生成符合INTELHEX文件格式并且满足D/A输出要求的数据文件,刻录到E2PROM中,完成外围驱动电路所需要的图像数据准备。AMOLED显示屏采用逐行扫描的显示方式,因此外围驱动电路的目的是要在行、列扫描有效的同时,为每个像素送入相应的灰阶数据。现在,OLED专用驱动芯片比较少见,而液晶驱动芯片具有集成度高,电压输出范围大等优点,尤其是其内部集成了数据移位寄存器、数据锁存器、D/A转换器等电路,所以设计了基于FPGA和TFT-LCD液晶驱动芯片的外围驱动电路,实现了AMOLED显示屏的彩色图像显示。 相似文献
712.
郑彭丹席小忠 《南昌大学学报(理科版)》2021,45(3):224
(3+1)维Boussinesq方程经常用来描述重力波在水面上的传播。本文利用符号计算方法,得到了(3+1)维Boussinesq方程的多怪波解,其中包括1-怪波解,3-怪波解和6-怪波解,这些怪波解的动力学性质也被一些三维图像进行了展示。 相似文献
713.
1H and 13C NMR chemical shifts were determined to investigate the interactions of acetone with a room temperature ionic liquid 1-hexyl-3- methylimidazolium bromide C6mimBr at various mole fractions. Changes in chemical shifts of hydrogen nuclei and of carbon nuclei with the acetone concentration indicated the formation of hydrogen bond between anion of the ionic liquid and methyl protons of acetone. The NMR results were in good agreement with the ab initio computational results. 相似文献
714.
多氟烷氧基取代金属酞菁配合物的简便合成及其光谱特征 总被引:2,自引:0,他引:2
制备了一些氯酞菁金属配合物,研究了它们与多氟醇盐的反应.结果表明,该反应可以方便地在氯酞菁环上引入多氟烷氧基.借此合成了一些多氟烷氧基取代金属酞菁配合物.产物经分离提纯后,用元素分析、IR、UV-Vis及19FNMR谱进行了表征,并观测了多氟烷氧基的引入对其脂溶性、热稳定性及电子光谱性质的影响. 相似文献
715.
716.
氧化锆对铜基甲醇合成催化剂的促进作用(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
采用离子掺杂价态补偿原理,在Cu-Zn-Al甲醇合成催化剂中添加适量氧化锆助剂研制Cu-Zn-Al-Zr催化剂的特性。实验结果表明,最佳反应温度为230℃,比Cu-Zn-Al约低10℃。采用XRD、UVDR、FTIR、TPD和TPR等谱学方法对2种催化剂进行表征显示,铜基催化剂的活性位可能是“Cu0-Cu+-O-Zn2/A2O3-ZrO2”,工作态Cu-Zn-Al-Zr催化剂表面上Cu/Cu0的比值、价态稳定性和对CO的吸附量均大于Cu-Zn-Al,这与该催化剂具有较好的低温活性和较高的热稳定性密切相关。 相似文献
717.
顺-3-己烯-1-醇的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
己二烯酸经酯化后再在 Zn O/Cd O存在下催化氢化合成顺 -3 -己烯 -1 -醇。在 1 50℃ ,1 .2 1× 1 0 7Pa氢压下获得了 50 .6%的收率。 相似文献
718.
Study of far-infrared reflection and Raman scattering spectra in reactive ion, etched ZnTe
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Far-infrared reflection and Raman scattering measurements have been carried out on reactive ion, etched p-ZnTe samples. The averaged thickness of the surface damaged layer is found to be in the range of 1.0-1.5μm, and the, etch-induced defect density is in the order of 10^{18}cm^{-3}. The Raman intensity ratio between the second-order Raman peaks and the first-order longitudinal optical phonons reveals an increase trend with the radio frequency (rf) power. With the aid of related theories, we discuss the effects of the rf plasma power and the concentration of CH_4/H_2 on the damage, disorder, and the second-order Raman structures in p-ZnTe samples. 相似文献
719.
720.