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11.
12.
方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕鳌合物Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2 .用TPD作空穴传输材料、Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2作发光材料和载流子传输材料、 8-羟基喹啉和铝(AlQ)作电子传输材料,设计了不同电致发光电特性,结果表明 Eu_2(DBM)_4(Sq)phen_2是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光 材料,在器件结构为ITO/TPD,50nm/Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen2,20nm/ALQ,50nm/LiF, 1nm/Al,200nm时,获得了在16V,6.9mA下有最大亮度91cd/m~2的电致发光器件. 相似文献
13.
制备了Ag@SiO2纳米复合物,罗丹明B通过物理掺杂结合在SiO2壳层。由于金属增强荧光效应,罗
丹明B的荧光增强到4.7倍。Ag核易被H2O2氧化,Ag核氧化后产生荧光增强释放效应。基于金属增强荧光
释放建立了一种新型葡萄糖检测方法,采用交联法在罗丹明B掺杂的Ag@SO2纳米复合物的SiO2壳层固定
葡萄糖氧化酶。检测浓度范围为0.2~6.8 mmol/L,检测限可达0.06 mmol/L。由于H2O2氧化Ag核反应迅
速,检测体系对葡萄糖的响应快速。 相似文献
14.
在酸性条件下, 分别合成了四氯合钯(II)离子与2种喹诺酮(诺氟沙星, NFLX=C16H18N3O3F; 环丙沙星, CPLX=C17H18N3O3F)离子形成的配合物(NFLXH)2[PdCl4]8226;2H2O (1)和(CPLXH)2[PdCl4]8226;2H2O (2). 用元素分析、IR、UV以及摩尔电导测定等方法对其进行了表征. 配合物1的晶体结构经X射线单晶衍射确定, 结构参数: 三斜晶系, P-1空间群, a=0.84561(17) nm, b=0.94191(19) nm, c=1.2832(3) nm; α=111.26(3)°, β=97.23(3)°, g=96.38(3)°, V=0.9312(4) nm3, Z=1, 最后吻合因子R=0.040, wR=0.088. 利用紫外光谱法、荧光光谱法对配合物与小牛胸腺DNA (ct-DNA)的作用进行了研究, 研究表明, 配合物对DNA的作用模式为插入作用, 与DNA的结合常数Kb分别为: Kb(1)=2.06×104, Kb(2)=2.43×104. 其后测试了配合物对体外肿瘤细胞的抗增殖活性. 经采用四甲基偶氮唑蓝分析法(MTT法)测试后发现配合物1和2对人肺腺癌A549细胞、人原髓细胞白血病HL-60细胞的增殖抑制作用显著强于相应的喹诺酮分子本身, 其中配合物2对人肺腺癌A549细胞增殖有明显的抑制作用, 抑制率可高达(95.4±3.7)%, 半数抑制浓度(IC50, 72 h)为(124.5±10.3) μmol8226;L-1. 相似文献
15.
16.
采用Ar^ 离子溅射源进行XPS和AES剖面分析,结果发现,Ar^ 对MoS2分子中的S原子产生“择优”选择刻蚀并随之生成非化学计量比的MoSx,Mo原子被还原,Mo3d结合能值向低端位移约1.7eV。应该注意的是,采用Ar^ 溅射进行XPS剖面分析时不能确定材料表面和界面元素的化学价态,S/Mo原子比同实验值之间亦存在差异,故应采用有关软件对实验结果进行修正。 相似文献
17.
陶蕴芝王芳贵李建鸿 《南昌大学学报(理科版)》2022,46(5):500
设R是交换环,M是R-模,J是R的有限生成正则理想,若自然同态φ:R→J~*=HomR(J,R)是同构,则J称为R的GV~*-理想。用GV~*-理想定义了GV~*-无挠模,证明了无挠模是GV~*-无挠模。接着引入了w~*-模,模的w~*-包络,得到了正则w~*-理想与正则w-理想的等价性。作为应用,对w-Noether环和SM环进行了新的刻画,并证明了相应的w~*-版本的Cartan-Eilenberg-Bass定理。 相似文献
18.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献
19.
20.
关于椭圆,双曲线及抛物线离心率的几何性质 总被引:2,自引:0,他引:2
平面解析几何中关于椭圆、双曲线及抛物线的离心率的定义分别是这样给出的:椭圆的焦距与长轴长的比e=ca,叫做椭圆的离心率.双曲线的焦距与实轴长的比e=ca,叫做双曲线的离心率,抛物线上的点与焦点的距离和准线的距离的比,叫做抛物线的离心率,用e表示,按抛... 相似文献