爆米花衍生氮掺杂纳米碳的制备及其电化学性能研究

纳米碳材料被广泛应用于能量存储和催化等领域, 但简便而有效地制备高性能碳材料仍是一个挑战. 本文采用微波法制备爆米花, 经过预碳化、KOH活化后得到高比表面积和高微孔率的氮掺杂纳米碳材料, 并利用SEM、TEM、XRD、Raman、XPS和N2物理吸附表征材料的结构和组成, 并将其用作超级电容器电极材料. 结果表明: 活化样品由于具有发达的孔结构和合适的氮含量而具有优异的电化学性能; 在0.2A?g-1的电流密度下, 比电容高达214F?g-1; 当电流密度20A?g-1时, 其倍率性能保持65%.     

分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子

本文采用分数维方法, 在讨论Al_0.3Ga_0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度L_w<70 Å并且衬底厚度L_b<200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度L_w>70 Å或者衬底厚度L_b>200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考. 关键词： 分数维方法 GaAs薄膜 极化子 低维异质结构     

N粒子W纠缠态的隐形传输

提出使用纠缠交换的方法,采用N对二粒子非最大纠缠态作为量子通道来传输N粒子W纠缠态的方案。传输过程中,发送者对自己所拥有的粒子进行Bell基测量,并将测量结果通过经典通道通知接收者,接收者根据所获取的信息对她的粒子实行相应的幺正变换以恢复最初待传输的粒子态,从而,成功实现该隐形传输。文章还以三粒子的传输为例作了详细介绍。     

Monte Carlo Simulation of Kinesin Movement with a Lattice Model

Kinesin is a processive double-headed molecular motor that moves along a microtubule by taking about 8nm steps. It generally hydrolyzes one ATP molecule for taking each forward step. The processive movement of the kinesin molecular motors is numerically simulated with a lattice model. The motors are considered as Brownian particles and the ATPase processes of both heads are taken into account. The Monte Carlo simulation results agree well with recent experimental observations, especially on the relation of velocity versus ATP and ADP concentrations.     

Numerical Study on a Lateral Double-Gate Tunnelling Field Effect Transistor

A novel lateral double-gate tunnelling field effect transistor （DG-TFET） is studied and its performance is presented by a two-dimensional device simulation with code ISE. The result demonstrates that this new tunnelling transistor allows for the steeper sub-threshold swing below 60mV/dec, the super low supply voltage （operable at VDD 〈 0.3 V） and the rail-to-rail logic （significant on-state current at the drain-source voltage VDS = 50mV） for the aggressive technology assumptions of the availability of high-k/metal stack with equivalent gate oxide thickness EOT =0.24 nm and the work function difference 4.5 eV of materials.     

氦,氖,氩气体压力对氖光谱和能级填充的影响

以＾２３８Ｐｕ为激发源，测量了不同压力下Ｎｅ、Ｈｅ－Ｎｅ、Ｈｅ－Ｎｅ－Ａｒ体系的氖光谱，并以此为基础计算了Ｎｅ的２ｐ＾５３ｐ的１０个２ｐ能级的辐射率Ⅰ、相对集居数Ｎ、填充率Ｗ，总结出相应的Ｎｅ压力、Ｈｅ压力和Ａｒ压力对Ｎｅ的５８５．２ｎｍ谱线强度和１０个２ｐ能级填充的影响规律。     

战略导弹研制风险分析的仿真技术

本文以战略导弹研制风险分析为背景，对随机网络数据仿真技术原理进行了探讨，分析了曾广泛应用的仿真软件ＶＥＲＴＳＬＡＭ等的不足，并提出了改进方法，文中给出一种含信息流多层次综合网络仿真的构模框架，并用该构模框架对战略导弹风险分析的仿真模型作了研究。     

退化矩阵Liouville,Beta,Dirichlet分布

该文引进和讨论了退化矩阵Liouville分布，由此导出退化矩阵Beta分布、退化矩阵Dirichlet分布．推广了文献［1］关于退化Wishart分布和秩为1的退化矩阵Beta分布的结果。     

光折变晶体中光互联的研究

对光折变晶体中的光互联进行了研究，提出一种利用桥式互泵浦位相共轭器在同一种光路下实现光开关、广播式、合成式及点点式光互联的方法，同时研究了利用光折变两波耦合进行光互联的强度和时间特性     

α-蒎烯+对伞花烃和β-蒎烯+对伞花烃二元体系超额焓的测定

采用BT2.15型Calvet微量量热计常压下测定了α-蒎烯+对伞花烃和β-蒎烯+对伞花烃两个二元体系在298.15 K、308.15 K及318.15 K下的超额焓. 实验数据采用Redlich-Kister方程进行关联, 标准偏差较小. 该两个二元体系的超额焓在全浓度范围内均为正值, 其最大值在摩尔分数x1=0.5附近. 温度对超额焓有一定的影响, 超额焓随温度的升高而增大. 相同温度下, α-蒎烯+对伞花烃体系的超额焓比β-蒎烯+对伞花烃体系的大.