光的分子散射及其應用

光的分子散射問题自上世紀末年由瑞利的研究工作提出以後,經過50年順利的發展,在解决分子物理学的基本問題方面带來了丰富的果實。回顧過去,我們僅指出,在瑞利得到的基本結果——其中最重要的是天空藍色的解釋——之后。1907年曼德爾斯坦指出只有在介質的光學均勻性被破壞之後介質才能散射光。若依瑞利的看法,分子運動定將破壇受光照射分子所發射的次波的相干性。但是,如果介質各部分等體積中含等數目的同樣分子的話,分子運動本身並不足以解釋光由介質散射的現象。因此曼德爾斯坦指出瑞利對散射所持見解是錯誤的,而且蒲朗克的色散理論也是不正確的。曼德爾斯坦所作判斷的根據很快地     

光子、轻子、层子及胶子

本文总结了马克杰(Mark-J)合作组1979年内在西德电子同步加速器研究所(DESY)的正负电子对撞机(PETRA)上所作实验的结果.本合作组的物理目标是通过研究正负电子对撞实验中的几个纯粹电磁过程和强子终态,来增进我们对物质的基本组分以及它们之间的强相互作用、电磁相互作用和弱相互作用本质的认识.文中首先从设计、功能和性能特点诸方面介绍了探测器的基本特点和主要组成部分.然后介绍了实验数据在线收集和离线分析的若干方面成果.主要的物理结果有:用e~+e~-→e~+e~-,μ~+μ~-,τ~+τ~-,等纯电磁相互作用过程验证量子电动力学(QED);测量强子终态产生截面与类点μ子对产生截面之比值——R;寻找新味道的层子;发现量子色动力学(QCD)所预言的非共线硬胶子辐射所产生的三喷注事例;测定强相互作用耦合常数α_s.     

推移质扩散的随机模型及统计规律

本文给出了一般条件下的推移质扩散模型.对忽略运动时间和考虑运动时间,固定参数和变动参数等不同情况,研究了点源、线源与面源的扩散,并得到了相应的分布函数.     

利用吸附有双硫腙的微晶萘萃取色层富集--火焰原子吸收光谱法测定天然水中痕量铜

本文利用吸附有双硫腙的微晶萘作富集柱富集天然水中痕量铜，甲酰二甲胺洗脱，火焰原子吸收光谱法测定。对最佳吸附酸度，过柱流速，洗脱剂，共存离子干扰等进行了探讨。该方法的相对标准偏差为２．３％，加标回收率为９６％～１０３％。通过对国家标准水样及实际天然水样的分析测定，结果令人满意。     

纳米硅薄膜的光致发光特性

用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si∶H)薄膜.讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响.用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si∶H的PL.研究了PL谱的温度特性.温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级. 关键词：     

高能强子在铁中的衰减

利用强子探测效率高的厚型甘巴拉山铁乳胶室,观测了能量大于4TeV强子流的衰减长度.分别对无伴随的单个强子、ΣE_γ>500TeV、100TeV≤ΣE_γ≤500TeV和30TeV≤ΣE_γ<100TeV的族事例中的强子作了测量. 初步结果表明,四种情况的衰减长度是有差异的,对此作了讨论.     

纳米硅薄膜退火特性

对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g~(o 关键词：     

甲壳素色谱柱富集—柱前显色分光光度法快速测定痕量铜

本文研究了甲壳素柱快速吸附Ｃｕ（Ｉ）－２，９－二甲基－４，７－二苯基－１，１０－邻菲罗啉－十二烷基苯磺酸钠橙红色的缔合物，用乙醇－乙酸的混合液洗脱后，在分光光度计上直接测定洗脱液的吸光度，方法简便、快速，富集倍数高，可用于水样中痕量铜的测定。     

临界电流密度的分布对高温超导体中传输交流损耗的影响

基于Norris方程和Bean临界态模型,假定临界电流密度沿高温超导圆柱体半径的非均匀分布方式,从定量的角度研究了临界电流密度沿高温超导圆柱体径向分布方式的不同对传输交流损耗的影响.考虑临界电流密度沿径向的包括阶梯式和逐点变化式等多种分布方式,通过引进表征超导体内临界电流密度非均匀分布的强弱差异程度的无量纲参数λ推导出临界电流密度非均匀分布方式下高温超导体中传输交流损耗的解析表达式.结果表明临界电流密度阶梯式分布对损耗的影响和临界电流密度逐点变化式分布的情况在损耗曲线的变化趋势和量级上有明显的区别并且随着传输电流的增加临界电流密度的非均匀分布方式对传输损耗的影响也越显著.