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21.
通过两道例题对动生电动势的概念, 以及对电磁感应定律、 动生电动势和感生电动势的等效性进行了 讨论  相似文献   
22.
何燕  李蛟 《光谱实验室》2005,22(5):1040-1043
基于磷酸三丁酯/煤油/液体石蜡所构成的液膜萃取体系,建立了在线液膜萃取富集流动注射分光光度法测定水中铬()的新方法。对实验条件进行了优化。在最优条件下,方法的检出限为2.1μg/L,线性范围为5.0—50μg/L。应用于河水及工业废水中铬()的检测,结果满意。  相似文献   
23.
3ω实验方法是一种可以对薄膜热导率进行瞬时测量的方法。根据3ω方法测试原理,搭建了薄膜导热系数测试平台,并且分别测试低频率段和高频段薄膜与基底的温升以及薄膜热导率。测试结果表明:Si3N4薄膜的热导率随温度的升高而增大;高频段下,热导率受频率影响大,误差大;在低频段下薄膜热导率与频率变化基本无关;基于电子与声子的局部热平衡运输方程假设,S i3N4薄膜的热导率具有极度非平衡性;通过比较电阻、热导率与温度的关系可以看出加热器的尺寸大小会影响薄膜的热导率,最佳加热器的宽度选用20μm左右。  相似文献   
24.
采用石墨炉原子吸收光谱法测定蜂花粉中总砷.利用微波消解法处理样品,用基体改进剂直接定容消解液,测得方法回收率为92.1%-95.2%,相对标准偏差为2.11%-3.03%,相关系数r=0.9993,检出限为o.15μg/L,本方法操作简便、快速、灵敏度高、结果准确.  相似文献   
25.
二维共价有机骨架(COFs)是由有机小分子结构单元通过共价键连接形成的一类新型的、具有周期性多孔网络框架结构的结晶性聚合物,在未来的光电功能材料领域有着优异的应用前景.因此,研究COFs结构与性质之间的内在关系,并以此反馈分子设计,将对此类光电功能材料的发展有着至关重要的意义.以共价有机框架66(COF66)和共价有机框架366(COF366)为例,分析了有机构建单元、COFs片段分子和周期性二维平面聚合物前线轨道能级/分布以及电子性质,阐述了有机构建单元与COFs电子结构之间的内在关系.计算结果表明,有机构建单元小分子的几何构型会影响其二维周期性平面聚合物的结构.另外,有机构建单元自身的前线轨道能级的相对位置会直接影响到COFs片段分子前线轨道的能级和分布,也决定了片段分子的电离势和电子亲和能.COFs周期性结构的电子性质与片段分子相似.因此,有机构建单元的前线轨道能级以及匹配情况决定了COFs周期性结构的电子性质.除此之外,中心分子和连接分子之间的共轭相互作用越大,电子耦合作用也相应较大,价带顶和导带底则会相对比较分散,会更有助于载流子在二维平面结构内的迁移.  相似文献   
26.
“组块”策略就是将零散的构件组成有意义的单元,在数学解题中,绕过基本量的求解,将基本量拼凑成“组块”来求解的策略.如果能在数学解题中注意运用“组块”的解题策略,可以化繁为简.笔者以高中数学为例,对“组块”策略在数学解题中给予运用.  相似文献   
27.
二氧化硅纳米薄膜非平衡热导率研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
二氧化硅纳米绝缘薄膜的传热是靠声子在薄膜的振动实现的.声子在纳米薄膜结构中传输的非平衡性影响了薄膜的热导率,3ω实验方法是一种可以对薄膜热导率进行瞬时测量的方法,本文采用3ω方法分别测量低频率段和高频段的二氧化硅薄膜温升及二氧化硅薄膜的热导率,对二氧化硅薄膜的非平衡热导率进行了分析.  相似文献   
28.
何燕  邓言波  王良友 《合成化学》2013,21(1):99-102
将比伐卢定(BVLD)多肽链7-甘氨酸(Gly)用半胱氨酸(Cys)取代,以聚乙二醇(PEG)定点修饰巯基,采用多肽固相合成法制得[Cys]7-BVLD(2);2与mPEG-MAL(3a~3c)偶联合成了三个聚乙二醇化修饰的比伐卢定衍生物——[Cys(mPEG2000-MAL)]7-BVLD(1a),[Cys(mPEG5000-MAL)]7-BVLD(1b)和[Cys(mPEG10000-MAL)]7-BVLD(1c),其结构经MS确证。PT和TT评价结果表明,1a~1c均表现出良好的抗凝活性,尤其是1b的抗凝活性优于比伐卢定。  相似文献   
29.
概括了十余年来中医领域中运用微量元素先进测试方法对中医有关证、辨病辨证、舌象、辨证施治等方面作的大量研究,证实微量元素与它们之间有密切关系,既可作为中医有关诊断的客观指标,又可作为指导师辩证施治选 方用药的一个依据,但纵观全局,目前研究还不够深入,停留在表象推测为主动,无重大理论突破,需要中西医及理化多学科研究人员携手协同研究,以期获得新的成就。  相似文献   
30.
中子辐照直拉硅中的本征吸除效应   总被引:6,自引:2,他引:6       下载免费PDF全文
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位 关键词: 本征吸除 中子辐照 直拉硅  相似文献   
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