电致发光显示究研动向

继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL,     

在课堂上培养学生对物理的兴趣

任何一门学科的教学成绩,都有赖于学生对它发生兴趣的程度。象物理、数学、文学这样本身就能引起学生兴趣的学科,并不需要特别致力于引起学生的兴趣。特别是与各种自然现象和技术直接联系着的物理学,更是这样。但是,不能就这样认为,只要学生一旦有了兴趣,他们就会永久有兴趣,实际上     

有存贮性能的薄膜电致发光文字显示器(日本霞浦公司中心研究实验室在1976年信息显示会议上的报告摘要)

前言 作者需制成具有存贮功能的稳定的高亮度EL薄膜显示屏,可显示160×120mm大小的图象,具有320×240个象元。 随后又用上述显示屏制做了一种字母数字符号显示器,其优点是用将一个电感L与EL屏的有效电容C串连的方法降低脉冲驱动器的功耗,也即通过C.L和维持脉冲频率     

TiMnSi2结构的高分辨电镜研究

利用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）研究了ＴｉＭｎＳｉ_２（硅化钛锰）相的原子结构及其平面缺陷。通过大角度倾转的电子衍射分析，揭示ＴｉＭｎＳｉ_２相具有简单正交结构，空间群为Ｐｂａｍ。高分辨电子显微分析发现，ＴｉＭｎＳｉ_２相具有３￣２４３４网格特征，并接近于五角σ相的网格特征。在ＴｉＭｎＳｉ_２相中还观察到Ｓｔｅｉｎｍｅｔｚ等提出的假想结构，并证实它具有类似于六角反棱锥并置的Ｈ相网格特征，但由于只有２～３层，因而只能看成是ＴｉＭｎＳｉ_２中的Ｕ、Ｄ层错。     

斜入射脉冲X射线产生电流实验

 针对斜入射脉冲X射线与金属的几种可能相互作用机制,设计了实验布局,测量了斜入射X射线在金属靶上产生的脉冲电流,建立了相应的理论模型。结果显示,当X射线入射强度低于10⁵ W/cm²时,以光电效应为主,高于此值时,以热电效应为主导。这表明,X射线加载强度较弱时,电子表现出个体行为,而增大X射线入射强度,电子表现出弱关联集体行为。由此可以预测,超强X射线辐照下,金属表面将出现宏观尺度的电荷密度调制,在退激发过程中,这种调制状态可能以较高的效率辐射定向的微波电磁脉冲。