联用色谱数据的多尺度分析

引入基于正交小波基的多尺度分析，并将其用于色谱／光谱二维数据压缩和消除背景影响的研究，结果表明，该法不但成功地消除了复杂的色谱／光谱背景有同时大计压缩数据量，对模拟和实际体系的均获得满意的结果。     

亚甲蓝为作酶电极电子传递介体的性能研究

研究了亚甲蓝修饰的玻璃电极的催化性能，并以此电极为基础电极研制了介体修饰型多酚氧化酶电极，对多巴胺测定的检出限为５×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ，较空白电极降低了４００倍，而对维生素Ｃ的响应同显著减小，其电流值降低至空白电极的十分之一，因此不仅显著提高了灵敏度，选择性也得到很大的改善。     

多巴胺在维生素B1修饰碳黑微电极上的电化学行为研究

多巴胺(DA)是儿茶酚胺类化合物之一，是生物体内的重要神经递质。自20世纪70年代初，分析化学家发现神经递质的电化学性质以来，其行为一直是生命科学研究的热点之一。因此，对其测定方法的研究无论是在生理功能研究方面，还是在临床应用方面都有重要意义。本实验首次将VB1修饰到碳黑微电极上，研究在该电极上的电化学行为。实验证明，DA在该电极上反应基本可逆，且灵敏度高。同时，由于该电极完全消除抗坏血酸(AA)的干扰，用这种电极测定DA的含量，方法简单、准确、结果满意。     

偶偶核~(168)Hf高自旋态的截断的壳模型描述

从壳模型组态及核子-核子有效相互作用出发,提出了一种在截断的态空间中研究偶偶核高自旋态的理论方案。在中子自由度和质子自由度明确加以区分的情况下,以~(168)Hf核为例进行了计算和讨论。结果表明:该理论方案提供了一种偶偶核高自旋态研究的新途径。     

基于混沌的自嵌入安全水印算法

利用混沌系统的伪随机性和初值敏感性，提出一种基于混沌的自嵌入安全水印算法.该算法以混沌初值为密钥生成混沌序列，根据混沌序列的索引有序序列随机生成图像块的水印嵌入位置.与现有的自嵌入算法相比，该算法实现了水印嵌入位置的随机选取，有效扩大了算法的密钥空间，且解决了自嵌入水印算法如何准确定位篡改块的问题.理论分析和仿真结果表明，该算法不仅提高了自嵌入水印算法的篡改定位的能力，而且进一步增强了算法抵抗向量量化攻击和同步伪造攻击的能力. 关键词： 数字水印 混沌 脆弱水印 自嵌入     

反应堆退役石墨中36Cl的分析

在反应堆退役中,为有效开展放射性石墨的处理,需对石墨中放射性核素进行测量。~(36)Cl是石墨中一种重要的放射性核素,其半衰期长、环境中易迁移,无法直接测量其活度。为建立满足反应堆退役石墨中~(36)Cl分析的方法,本文将堆退役石墨样品完全溶解后,再通过共沉淀和离子交换去除干扰核素,获得~(36)Cl待测液,然后用液闪测量~(36)Cl的活度。当石墨样品量为0.2g时,该方法的化学回收率为88.7%,最低可探测活度为67mBq·g~(-1),对主要干扰核素有较高的去除能力。该方法可用于反应堆退役石墨中~(36)Cl的分析。     

基于滤波成像的大视角数字全息技术

为提高数字全息再现像视角,提出一种基于滤波成像的数字全息技术来实现大视角的三维物体面型测量.利用离轴像面数字全息技术,通过在4F相干图像处理系统的空间频谱面处放置可移动的低通滤波器,使满足CCD分辨率的物光波与参考光波干涉形成全息图,并控制低通滤波及成像区域分别记录不同谱段的子全息图.再现时,首先对子全息图进行数字傅里叶变换,重构对应频谱段,并对频谱段进行拼接形成完整的物光频谱|而后通过数字再现获得大视角的数字全息再现像.利用该方法测量了圆柱形表面（光滑的缝纫针）的三维形貌,并取得了较好的实验结果.     

极化子效应对核壳量子点中光学克尔效应的影响

在有效质量近似下利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.从理论上计算了考虑极化子效应后,在导带子带间跃迁时ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率.通过数值计算,分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率的影响.结果表明：极化子效应对光学克尔效应的三阶极化率 有很大影响,并且影响的大小与量子点的尺寸大小有关.       

高精度数字全息显微衍射层析成像

采用样品转动结构的光学衍射层析技术存在"苹果核频谱缺失"的问题,为此,本文提出傅里叶衍射映射正约束迭代算法以恢复缺失频谱,实现高精度折射率层析成像.首先基于光学衍射层析成像原理,采用带有样品转动装置的数字全息显微成像系统记录下360°视角内各个角度的显微全息图,计算得到每个角度的复振幅像分布;然后运用傅里叶衍射映射和正约束迭代相结合的衍射层析成像算法,计算得到样品内部折射率的三维分布.实验结果表明,该方法能有效地恢复缺失频谱,高精度地测量微小样品内部的折射率三维分布.     

器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)

基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压.