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22.
研究光在微纳结构中的分布与传播, 实现在纳米范围内操纵光子, 对于微型光学芯片的设计有着重要意义. 本文利用聚焦离子束刻蚀方法, 在基底为石英玻璃的150 nm厚金膜上刻制了不同参数的阿基米德螺旋微纳狭缝结构, 通过改变入射光波长、手性、及螺旋结构手性和螺距等方式, 在理论和实验上系统地研究了阿基米德螺旋微纳结构中的表面等离激元聚焦性质. 我们发现, 除了入射激光偏振态、螺旋结构手性之外, 结构螺距与表面等离激元波长的比值也可以用来控制结构表面电场分布, 进而在结构中心形成0阶、1阶乃至更高阶符合隐失贝塞尔函数的涡旋电场. 通过相位分析, 我们对涡旋电场的成因进行了解释. 并利用有限时域差分的模拟方法计算了不同螺距时, 结构中形成的电场及相应空间相位分布. 最后利用扫描近场光学显微镜, 观测结构中不同的光场分布, 在结构中心得到了亚波长的聚焦光斑及符合不同阶贝塞尔函数的涡旋形表面等离激元聚焦环. 相似文献
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The Dugdale—Barenblatt model is used to analyze the adhesion of graded elastic materials at the nanoscale with Young's modulus E varying with depth z according to a power law E = E0(z/c0)k (0 〈 k 〈 1) while Poisson's ratio v remains a constant, where E0 is a referenced Young's modulus, k is the gradient exponent and c0 is a characteristic length describing the variation rate of Young's modulus. We show that, when the size of a rigid punch becomes smaller than a critical length, the adhesive interface between the punch and the graded material detaches due to rupture with uniform stresses, rather than by crack propagation with stress concentration. The critical length can be reduced to the one for isotropic elastic materials only if the gradient exponent k vanishes. 相似文献
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为实现小于10 ns光脉冲上升时间的超高速声光调制,该文提出一种光纤耦合声光调制器光脉冲时域响应的理论设计仿真方法。利用该方法对1064 nm和1550 nm工作波长光纤耦合声光调制器进行了仿真,结果预测器件的光脉冲上升时间分别为9.4 ns和9.1 ns;通过器件制作和测试验证,两个波长的器件实测光脉冲上升时间分别为9.74 ns和9.22 ns,实测与理论仿真结果偏差较小。文章最后对器件在超快光纤激光器种子源光脉冲选单、光纤水听阵列时分复用及潜在的宽带移频应用进行了介绍。 相似文献
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刚体转动惯量实验中时间测量的改进方法 总被引:9,自引:0,他引:9
对传统的刚体转动实验仪时间的测量方法进行了改进,提高了实验测量的精度,拓展了实验内容.同时也可以作为开放、设计性实验. 相似文献
27.
采用固相反应法制备了TiO2掺杂的ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷.采用X射线衍射、扫描电镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响.结果表明:掺杂1.0mol;TiO2时综合电性能最好,压敏电压梯度为21.6 V/ mm,漏电流密度为0.02 μA/ mm2,非线性系数为33;掺杂最大于1.0 mol;时,压敏电压梯度降低的同时也使非线性系数降低,漏电流密度增大;Cole-Cole形式的复阻抗谱图表明掺杂1.0 mol;TiO2的晶界电阻最大,晶界电阻对ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2系低压压敏陶瓷电阻的贡献最为明显. 相似文献
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A Multiple Resonant Mode Film Bulk Acoustic Resonator Based on Silicon-on-Insulator Structures 下载免费PDF全文
With the rapid development of wireless technol- ogy, the demand for integrating multi-band devices has spurred substantial research interest. Research on CMOS compatible radio-frequency (rf) devices has also attracted significant attention. The resonant frequency of film bulk acoustic resonators (FBARs) is mainly determined by the thickness of the piezo- electric film, complicating the integration of differ- ent frequencies on a single chip. One report real- ized multiple resonant frequencies around 2.0 GHz by changing the quality of the electrode. Another re- port obtained the 2.5 GHz main frequency response with a quality factor (Q) of 101.8 and some spuri- ous resonances, while these spurious resonances were irregular. 相似文献
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