稠密颗粒介质热辐射传输特性的边界效应

稠密颗粒介质在自然界和工业生产中广泛存在。在高温条件下，辐射对传热过程有十分重要的影响，并且在实际工程应用中，边界的作用不可忽略。本文采用辐射传递函数(RDF)作为表征体系内辐射换热的特性参数，它是辐射传递因子(RD)从离散尺度到连续尺度的扩展，不仅包含几何信息还包含辐射能量信息。因此它可以完全表征体系中的辐射换热，从而有助于直观地分析边界对颗粒热辐射传输特性(以RDF分布进行表征)的影响。分析了在靠近反射性边界时颗粒填充率和颗粒表面发射率对颗粒热辐射传输的影响，结果表明，边界对于由RDF表征的系统内颗粒热辐射传输有重要影响，颗粒填充率和颗粒表面发射率对该影响具有调节作用。研究结果有助于深入理解稠密颗粒介质中的热辐射传输机制。     

硒化铜/硒化锌复合物的制备及性能表征

<正>硒化物半导体具有可控的形貌和相结构，在热电、激光、光学滤波器、太阳能电池和传感器等领域有着广泛应用。1996年，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究人员首次提出并验证了过渡金属元素表面掺杂Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体作为中红外激光增益介质的可能性。经过表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料具有优异的中红外光学性能，已经投入工业生产^[1]。2000年，铜掺杂硒化锌(Cu:ZnSe)半导体纳米晶体被首次报道(量子产率2%～4%)^[2]。2005年，彭笑刚团队^[3]将掺杂方法分为生长掺杂和成核掺杂两种，并采用生长掺杂法制备了高质量的Cu:ZnSe量子点(量子产率10%～30%)，该量子点会发出明亮的翠绿色光。然而，上述材料的合成路线对环境有害，在生物医药领域并不适用。2006年，中国科学院某实验室采用宽带隙的ZnSe修饰硒化镉(CdSe)纳米粒子，可以有效地去除CdSe表面缺陷^[4]。     

环丁烯酮化合物高效合成喹啉衍生物的应用研究

在酸催化作用下,成功实现了3-氨基-2-环丁烯酮开环重排一步合成喹啉类化合物,对反应溶剂、催化剂、温度、投料比等影响因素进行了考察,在优化反应条件下催化合成了一系列喹啉类化合物,获得了较好的产率.该合成方法具有反应温度低、产率高以及反应迅速等优点,为喹啉类衍生物的合成建立了一种简单有效的新方法.