关于Reggeon的结构

从强子组分夸克具有结构的观点出发，根据高能强作用软过程中的最大非微扰强作用反应假定,提出了关于Reggeon(IR)的结构模型.高能时对撞强子中的一对组分夸克-反夸克在最大反应下有一定的几率先分解为非微扰胶子和旋量团(反旋量团).此旋量团对将进一步演化而放射出一系列的非微扰胶子(和夸克对)并最终湮没.将这种过程与其逆向(厄米共轭)过程并合,就可得出有关的IR的场论结构图象.它是以旋量团为竖线,胶子为横线的一系列切割梯形图之和所代表.本文在系统能量大而动量转移很小的多重Regge运动学区间和只保留Ins的领头阶近似下,计算了这组切割梯形图相应的散射振幅,求出了它们的总和,得出了与轻夸克介子对应的典型Regge极点轨迹的简洁表达式,对结果进行了简单的讨论.     

第48届国际数学奥林匹克概况及试题赏析

第48届IMO于2007年7月19日-31日在越南首都河内举行，来自95个国家与地区的520名选手参加了本届IMO．经过两天的角逐，共产生金牌39枚，银牌83枚，铜牌131枚．中国代表队表现依旧突出，中国队6名队员中4名选手获得金牌，2名选手获得银牌，团体总分第二名，与第一名俄罗斯队仅相差3分．本届IMO金牌分数线29分，银牌分数线21分，铜牌分数线14分．     

Influence of Interface Charge on Electrical Properties of ZnO／Si Heterojunction

The capacitance-voltage and current-voltage properties of the samples before and after annealing are investigated at 300 K and 195K. It is found that the interface charge plays an important role for the heterojunction properties. After annealing, the samples exhibit typical junction properties. The heterojunction shows a built-in potential 0.62eV consistent with the theoretical result 0.67eV. However, the sample exhibits more complex behaviour before annealing. The experimental results can be explained by heterojunction theory when, introducing interface charge, which suggests that the annealing can reduce interface charge and can improve the junction properties of the samples.     

高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明：能反映材料晶化程度的I_［SiH^*］/I_［Hβ^*］比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量T_fl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I 关键词： 高速沉积 微晶硅薄膜 电子温度     

SiO2半波覆盖层对HfO2／SiO2高反射膜激光损伤的影响

研究了SiO2半波覆盖层对HfO2／SiO2高反射膜1064nm激光损伤的影响,分析薄膜的激光损伤特性及图貌得出-对于单脉冲(1-ON-1)激光损伤,SiO2半波覆盖层能提高HfO2／SiO2高反射膜的激光损伤厨值,可显著降低激光损伤程度,减小灾难性损伤发生的概率,可大幅度提高FIfO2／SiO2高反射膜的抗激光损伤能力。     

能量范围从20ke到34kev的锆元素K壳层电离截面

用20～34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特-卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3μg cm     

HfO_2/SiO_2高反射膜的缺陷及其激光损伤

用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力大不相同 ,节瘤缺陷最低 ,约为 1 5 J/ cm2 ,薄膜的损伤阈值主要由其决定 ,孔洞的激光损伤能力与节瘤相比较高 ,约为节瘤的 2～ 3倍。节瘤缺陷在低能量密度的激光损伤所形成的孔洞 ,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似 ,激光再损伤能力也相似。低能量密度的激光把节瘤缺陷变为孔洞缺陷是激光预处理提高薄膜损伤阈值的原因之一     

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.     

Sm3+∶Na5Y(MoO4)4材料的多晶合成与性能表征

本文采用高温固相法合成了Sm3+掺杂的Na5Y( MoO4)4粉末样品.利用X射线衍射仪(XRD)、同步热分析仪(DSC-TG)、荧光光谱仪等分析测试仪器,对多晶材料Sm3+∶Na5 Y0.95( MoO4)4的结构、热学特性与光谱性能进行了研究.研究发现:合成品相属于四方晶系,空间群为I41/a(88),熔点约为704.68℃,最强的两个吸收峰分别在404nm和465 nm处,最强的两个发射峰分别在603 nm和644nm处,是一种很用应用前景的LED用红色荧光材料.