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12.
命题若复数z_1,z_2,z_3满足z_1+z_2+z_3=0,|z_1|=|z_2|=|z_3|=1,则复平面内以z_1,z_2,z_3所对应的点为顶点的三角形是内接于单位圆的正三角形。文[1]的作者给出了该命题的一种证法。并探讨了该命题的逆命题。若复平面内以模为1的复数z_1,z_2,z_3所对应的点为顶点的三角形是正三角形,则z_1+z_2+z_3=0。容易证明此命题也正确(略)。作者还对该命题进行了推广,笔者读后受益非浅。本文将进一步探讨以上两个命题在解题中的应用。下面以例示明。例1 (1986年苏州市数学竞赛题) 已知复数z满足|z|=1,z~(11)+z=1,求z。解∵ |z|=1, ∴|z~(11)|=|z|=|-1|=1 又z~(11)+z+(-1)=0 ∴z~(11),z,-1所对应的三点构成一个正三角形。故z=(-1)(cos120°±sin120°)=(1/2)±3~(1/2)/2i 例2 (1987年第二届全国高中数学冬令营赛题) 相似文献
13.
本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH2CH2COOH·H2C2O4)屏蔽张量的测量。 相似文献
14.
15.
We demonstrated a femtosecond mode-locked Er:Zr F4-Ba F2-La F3-Al F3-Na F(Er:ZBLAN)fiber laser at 2.8μm based on the nonlinear polarization rotation technique.The laser generated an average output power of 317 m W with a repetition rate of 107 MHz and pulse duration as short as 131 fs.To the best of our knowledge,this is the shortest pulse generated directly from a mid-infrared mode-locked Er:ZBLAN fiber laser to date.Numerical simulation and experimental results confirm that reducing the gain fiber length is an effective way to shorten the mode-locked pulse duration in the Er:ZBLAN fiber laser.The work takes an important step towards sub-100-fs mid-infrared pulse generation from mode-locked Er:ZBLAN fiber lasers. 相似文献
16.
采用改进的两步高温固相熔融法制备了Yb^3+、Eu^3+、La^3+共掺杂CaF 2的上转换荧光粉。基于荧光猝灭原理,通过改变La^3+掺杂浓度来调节CaF 2∶Yb^3+/Eu^3+材料的发光性能,并在980 nm近红外光激发下,获得了该材料的白色上转换发光(UCL)。在该发光体系中,Yb^3+不仅起到了敏化Eu^3+的作用,同时,Yb^3+二聚体(Yb^3+-dimer)自身合作发出波长范围480~540 nm的绿色荧光。而白光三基色中的绿光正是来自Yb^3+二聚体的合作发光。Eu^3+则作为激活剂,同时发出红色和蓝色荧光。荧光寿命测试结果表明Yb^3+-dimer与Eu^3+之间存在有效的能量传递。值得注意的是,在980 nm激光激发下,1%La^3+掺杂的样品表现出最佳的红、绿、蓝三基色光比列,实现了材料的上转换白光发射,其色度坐标为(0.311,0.340)。 相似文献
17.
砷化镓是当前除硅之外应用最广泛的半导体材料之一。尤其在微波器件、半导体激光器及光电器件等领域占有重要的地位。在器件的设计及制备中,少数载流子扩散长度是一项重要参数。用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度,具有测试装置比较简单,又有非破坏性的特点。这里,虽然仅对于光电器件进行讨论,但可供其它有关方面参考。 相似文献
18.
Microstructure evolution and passivation quality of hydrogenated amorphous silicon oxide(a-SiOx:H) on〈100〉- and 〈111〉-orientated c-Si wafers 下载免费PDF全文
Hydrogenated amorphous silicon oxide(a-SiOx:H) is an attractive passivation material to suppress epitaxial growth and reduce the parasitic absorption loss in silicon heterojunction(SHJ) solar cells. In this paper, a-SiOx:H layers on different orientated c-Si substrates are fabricated. An optimal effective lifetime(τ(eff)) of 4743 μs and corresponding implied opencircuit voltage(iV(oc)) of 724 mV are obtained on〈100〉-orientated c-Si wafers. While τ(eff) of 2429 μs and iVoc of 699 mV are achieved on 111-orientated substrate. The FTIR and XPS results indicate that the a-SiOx:H network consists of SiOx(Si-rich), Si–OH, Si–O–SiHx, SiO2 ≡ Si–Si, and O3 ≡ Si–Si. A passivation evolution mechanism is proposed to explain the different passivation results on different c-Si wafers. By modulating the a-SiOx:H layer, the planar silicon heterojunction solar cell can achieve an efficiency of 18.15%. 相似文献
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