提升液流电池能量密度的策略

液流电池因为具有高储能效率,低成本,以及可解耦的能源储存和功率输出设计,被广泛认为是适用于大型储能的首选技术。但是长期以来,液流电池在电网中的大规模部署一直受限于现有的金属基活性材料的高成本和较低的储能密度。因其潜在的低成本,丰富的原材料来源,高度可调的分子结构,具有氧化还原活性的有机分子作为潜在的液流电池活性材料,受到越来越多的关注。本文首先介绍了液流电池的工作机制,以提升非水系有机液流电池的储能密度的策略为重点,总结了非水系液流电池中有机活性材料的研究进展。并讨论了这些策略存在的问题和未来的发展方向。     

羟基葫芦[6]脲与孟加拉红包结作用的荧光光谱研究

采用荧光光谱法研究了羟基葫芦[6]脲(HOCB[6])对孟加拉红(TSS)的包结作用,考察了HOCB[6]浓度、缓冲液pH、温度、包结时间、有机溶剂等因素对包结作用的影响,结果表明,体系的荧光强度随着HOCB[6]浓度的升高而增强,呈现显著荧光增敏现象,同时荧光峰位有一定蓝移,Hildebrand-Benesi法计算结果显示HOCB[6]与TSS形成了1∶1的包结配合物,包结反应的热力学参数表明该包结过程为自发放热过程,这可能是主客体分子之间的疏水作用与离子偶极作用所引起的。     

掺持TGS系列晶体的生长形态与表征的研究

采用水溶液缓慢降温法生长了８种掺质ＴＧＳ系列晶体，即ＬＶＡＴＧＳ，ＬＨＩＴＧＳ，ＬＡＳＴＧＳ，ＣＲＴＧＳ，ＤＬＳＥＴＧＳ，ＬＣＹＴＧＳ，ＬＭＥＴＧＳ和ＬＴＹＴＧＳ晶体。系统地研究了这８种掺质ＴＧＳ系列晶体的生长形态，并分别与纯ＴＧＳ进行了对比。利用Ｘ射线粉末衍射 外光谱分析确定掺质均已进入晶体。当掺质进入ＴＧＳ晶体后，虽然只引起民结构的微小变化，但显著地改变了晶体的生长形态，证明ＴＧＳ晶体结构在质     

包括电子间相关势谐函数的CFPHGLF方法

包括电子间相关势谐函数的ＣＦＰＨＧＬＦ方法王沂轩,邓从豪（山东大学化学院,济南,２５０１００）关键词超球坐标,势谐函数,快速收敛前文［１,２］吸收相关函数（ＣＦ）的思想,与势谐函数－广义Ｌａｇｕｅｒｒｅ函数（ＧＬＦ）方法（ＰＨＧＬＦ）［３,４］相结合...     

本刊论文按SCI被引频次排序（前10名）表

据美国 ISI(科技信息研究所 )网络版刊载的 1985～ 2000年的文章引用情况,我们对在我刊发表的论文的有关情况进行了统计,并按作者总被引频次顺序整理出来 (见表 )。是否可以说,这个结果从一个侧面反映出,这些作者对我刊走向世界,扩大影响作出了突出的贡献。同时,我们也要对每一位向本刊投稿的作者、稿件评审人,以及关心、帮助过我们的各方人士表示衷心的感谢。我刊刊出文章按作者被引频次排序（前 10名）表(根据 1985～ 2000年 SCI网络版提供的数据 ) 作者总被引频次在我刊发表论文数名次作者总被引频次在我刊发表论文数名次赵新…     

双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究

本文采用高温溶液法生长了不同掺质浓度的较大尺寸掺Nd3+和Nb5+KTP(KTNNP)晶体,以X射线单晶衍射仪测定了所生长晶体的晶胞参数,以等离子发射光谱(ICP-AES)法系统测定了晶体中的掺质浓度。实验结果显示,掺Nd3+和Nb5+后,KTP晶体生长习性和形态发生了很大的变化,而且体系中Nd3+的分配系数明显增大,并随Nb5+浓度的增大而增大,从而体现了Nb5+对Nd3+的协同效应。另外,掺质后,晶体的单胞体积一般略有增大,但未呈现出规律性。     

新型有机热释电晶体——酒石酸铵系列晶体研究

本文从晶体结构对称性的观点出发,寻找新型有机热释电晶体材料,选取了具有P21空间群结构的酒石酸铵系列晶体作为研究对象,用水溶液缓慢降温法生长了酒石酸铵及其掺质酒石酸铵晶体,掺质分别为尿素、溴化铵和甘氨酸,研究了晶体生长形态并作了比较.测定了酒石酸铵系列晶体的红外光谱、晶胞参数和主要热释电性能.发现酒石酸铵系列晶体的热释电性能,其品质因子具有与TGS晶体相同的数量级.     

掺质TGS系列晶体生长与性能研究

采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.     

立方体AgCl微晶中[Fe(CN)_6]~(4-)引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟

为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 .通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命 .调整相关模拟参数 ,于常温下得到由 [Fe(CN) 6 ]4 - 引入的SETs阱深为0 115eV ,电子俘获截面为 2 136× 10 - 1 7cm2 .