电子束蒸发沉积Ir膜真空紫外反射特性

Ir是一种重要的真空紫外反射材料,在太阳物理、宇宙物理、生命科学、大气物理、同步辐射等方面有着十分重要的应用.对电子束蒸发沉积Ir膜在真空紫外波段的反射特性进行了系统的理论和实验研究.根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.根据计算和前期实验结果,采用电子束蒸发方法,在石英、K9玻璃基片上沉积了不同厚度的Ir膜,在入射波长120 nm处获得了近30%正入射反射率,对应的Ir膜厚度为12 nm.过厚或过薄均不利于Ir膜反射率的提高.经退火处理后,Ir膜中张应力有所释放但并未消除,同时晶粒平均尺寸显著增大,反射率下降.     

双核铜(Ⅱ)-β-丙氨酸缩水杨醛席夫碱配合物与血清蛋白相互作用的共振瑞利散射光谱

合成了双核铜-β-丙氨酸缩水杨醛席夫碱配合物([Cu2(HL)2](NO3)2·2H2O,简称CuL).在与血清白蛋白相互作用的过程中,发现它们结合会引起蛋白共振瑞利散射(RRs)的急剧增强.最大RRS峰位于470/470nm.对体系的适宜反应条件、影响因素及散射强度与蛋白质浓度的关系进行了研究.结果表明,在一定浓度范围内,蛋白质浓度与散射强度成正比.该方法有较高的灵敏度,对牛血清白蛋白(BSA)和人血清蛋白(HSA)的检测范围为5.0-30.5ng/mL.考察了共存物质的干扰影响,并对蛋白质合成样品和实际样品进行分析,结果满意.     

椭圆外导体-矩形内导体同轴线的特性阻抗

本文提出用图形逼近和取尺寸上、下限值的几何平均值的方法,计算椭圆外导体-矩形内导体同轴线特性阻抗。矩形截面内导体的内切共焦椭圆和外接共焦椭圆,通过保角变换,变成同心圆。矩形变成近于矩形的闭合曲线,二同心圆分别为它的最小值和最大值,取二者的几何平均值,与同轴椭圆截面外导体同时变成的同心圆,构成一个标准同轴线,得到了特性阻抗公式。并由此推导出椭圆外导体-微带内导体、圆形外导体-方形内导体、圆形外导体-矩形内导体及圆形外导体-微带内导体等各种同轴线的特性阻抗的初等函数表示式。给出了上述几种同轴线的特性阻抗准确数值。 关键词：     

Semiclassical approximation for transmission through open Sinai billiards

We use a semiclassical approximation to study the transport through the weakly open chaotic Sinai quantum billiards which can be considered as the schematic of a Sinai mesoscopic device,with the diffractive scatterings at the lead openings taken into account.The conductance of the ballistic microstructure which displays universal fluctuations due to quantum interference of electrons can be calculated by Landauer formula as a function of the electron Fermi wave number,and the transmission amplitude can be expressed as the sum over all classical paths connecting the entrance and the exit leads.For the Sinai billiards,the path sum leads to an excellent numerical agreement between the peak positions of power spectrum of the transmission amplitude and the corresponding lengths of the classical trajectories,which demonstrates a good agreement between the quantum theory and the semiclassical theory.     

M2B7-(M=Mg,Zn)团簇的双重芳香性促进Mg-Mg和Zn-Zn单键的形成

本文使用密度泛函理论设计了两个无需配体的具有Mg-Mg和Zn-Zn单键的团簇Mg₂B₇^-和Zn₂B₇^-. 这两种团簇的全局能量最低构型均以M₂²⁺(B₇^3-)的形式存在,其中M-M单键处于准平面六边形形状的B₇部分的上方. 化学键分析证实了这些团簇中Mg-Mg和Zn-Zn单键的存在,这些单键是在异常稳定的B₇^3-的驱动下生成的. 该B₇^3-部分同时具有σ和π双重芳香性. 计算得到Mg₂B₇^-和Zn₂B₇^-的垂直跃迁能分别为2.79 eV和2.94 eV.     

Stray light analysis of low-level-light optical system with LightTools software北大核心CSCD

为解决低照度微弱信号探测的微光光学系统杂散光问题,研究了杂散光的原理和特性。利用光学系统建模软件LightTools对微光光学系统进行仿真建模,并开展杂散光分析。为减少杂散光,在物镜筒的筒壁加工消光螺纹,并针对不同形式的消光螺纹,开展了能量仿真模拟。仿真结果表明,采用螺距0.35 mm的消光螺纹,能够将杂散光系数从7%降低到4%。仿真分析结果与实验结果一致,为其他微弱信号探测光学系统在设计阶段对杂散光进行消除提供了指导。     

荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究

忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件. 根据φ-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型, 以三次非线性荷控忆阻器模型为例, 对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析. 结果表明: 荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字形紧磁滞回线特性, 随其参数符号的不同, 荷控忆阻器呈现出无源性和有源性, 导致其电路特性发生相应的变化; 相比无源荷控忆阻器, 有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用. 制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路, 实验测量结果很好地验证了理论分析结果. 关键词： 荷控忆阻器 等效电路 伏安关系 电路特性     

基于传热窄点分析的跨临界CO2系统稳态性能研究

基于传热窄点研究了固定气体冷却器进出口水温时,高低不同的进水温度、不同的出水温度、排气压力、蒸发温度、过热度以及换热面积对于系统性能的影响。结果表明:随着进出口水温的升高和换热面积的减小,系统COP逐渐减小,并且最优高压压力逐渐升高;随着蒸发温度的升高,系统COP逐渐增加,最优高压压力逐渐升高;增加过热度只会在排气压力较低时提高系统的COP。当处于部分负荷工况时,冷端温差随负荷率的增加而减小;对于气冷器进出口水温温差大的工况,当负荷率小于1时传热窄点会位于换热器中间位置。在负荷率到达1时,传热窄点恰好移动到冷端。当负荷率大于1时,传热窄点一直稳定在冷端;对于气冷器进出口水温温差小的工况,当负荷率小于1时,传热窄点就已经到达冷端,并随着负荷率的增大一直稳定在冷端;部分负荷下的COP总是小于设计负荷下的COP,实际负荷偏离设计负荷越远,系统的COP越小。     

机器学习方法在储层分类中的应用

油气田开发中有效储层和非有效储层的样本点存在混合带时,两类储层的划分是一个难点问题.从统计学上来看,其本质是一个含噪声的小样本二分类问题,可以采用机器学习方法,充分挖掘有试油成果的样本点的数据信息.分别利用线性判别分析、支持向量机、多层感知机神经网络建立储层分类模型,利用10次10折交叉验证法进行模型评估与优选,并利用全部样本点建立了有效的储层分类模型,最后将模型推广应用到样本分布的三种不同情形.结果表明,线性支持向量机模型具有最好的分类效果和很强的泛化能力,对于区分有效储层和非有效储层是有效的,可以在油气田开发中进行推广.     

High Thermoelectric Properties of PbTe Doped with Bi2Te3 and Sb2Te3

The composition-dependent thermoelectric properties of lead telluride (PbTe) doped with bismuth telluride (Bi2Te3), antimony telluride (Sb2Te3) and (BiSb)2Te3 have been studied at room temperature. All the sampies exhibit small thermal conductivity. The figures of merit, 7.63, 1.03 and 8.97 x 10-4, have been obtained in PbTe with these dopants, respectively. These values are several times higher than those of PbTe containing other dopants with small grain sizes. The high thermoelectric performance is explained by electronic topological transition induced by alloying. The results indicate that these dopants are effective to enhance the thermoelectric performance of PbTe.