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本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术,研究了R2Fe4/3W2/3O7(R=Er、Yb、Dy)化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa,1 200 ℃条件下,六方相R2Fe4/3W2/3O7化合物按两种方式分解,而直接由R2O3,Fe2O3和WO3原料出发,经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同,均为R2WO6、RFeO3、WO3和Fe2O3的多相聚合物。同时给出了R2Fe4/3W2/3O7六方相高温高压下的稳定区范围。 相似文献
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采用密度泛函理论方法在B3LYP/6-31G*水平上对6个新型含氧亚甲基和亚胺桥键液晶化合物分子的几何结构进行优化计算,讨论了取代基H,CH3,CH3O,C2H5O,NO2,Cl对分子电荷、前线轨道能量和电子吸收光谱等性质的影响.在此基础上使用含时密度泛函理论方法计算了分子第一激发态的电子垂直跃迁能,得到最大吸收波长λmax.计算表明,取代基的引入导致最大吸收波长红移. 相似文献
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建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。 相似文献
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We use a semiclassical approximation to study the transport through the weakly open chaotic Sinai quantum billiards which can be considered as the schematic of a Sinai mesoscopic device,with the diffractive scatterings at the lead openings taken into account.The conductance of the ballistic microstructure which displays universal fluctuations due to quantum interference of electrons can be calculated by Landauer formula as a function of the electron Fermi wave number,and the transmission amplitude can be expressed as the sum over all classical paths connecting the entrance and the exit leads.For the Sinai billiards,the path sum leads to an excellent numerical agreement between the peak positions of power spectrum of the transmission amplitude and the corresponding lengths of the classical trajectories,which demonstrates a good agreement between the quantum theory and the semiclassical theory. 相似文献
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本文使用密度泛函理论设计了两个无需配体的具有Mg-Mg和Zn-Zn单键的团簇Mg2B7-和Zn2B7-. 这两种团簇的全局能量最低构型均以M22+(B73-)的形式存在,其中M-M单键处于准平面六边形形状的B7部分的上方. 化学键分析证实了这些团簇中Mg-Mg和Zn-Zn单键的存在,这些单键是在异常稳定的B73-的驱动下生成的. 该B73-部分同时具有σ和π双重芳香性. 计算得到Mg2B7-和Zn2B7-的垂直跃迁能分别为2.79 eV和2.94 eV. 相似文献