基于隧道效应的微机械角速率传感器

提出了一种基于隧道效应的微机械角速率传感器的设计方案,还针对隧穿检测和电容检测进行了比较。并指出基于隧道效应的微机械角速率传感器将极大提高传感器的灵敏度。     

一种快速有效的捷联系统初始对准算法

在捷联惯性系统中，初始对准是影响系统输出精度的最重要环节，陀螺漂移是引起对准误差的主要原因。本文在对捷联系统误差进行分析的基础上，结合卡尔曼滤波器的滤波特性，提出一种把陀螺随机常值漂移标定与初始对准进行多级组合的卡尔曼滤波方法。     

Synthesis and Crystal Structure of[Cu（dppb）（NO_3）]_2（dppb=1,4-Bis（diphenylphosphino）butane）

The synthesis and molecular structure of a new dinuclear copper(Ⅰ) complex [Cu(dppb)(NO 3)] 2 are reported.The compound crystallizes in the monoclinic system,space group P2 1 /n with a=12.830(3),b=10.899(2),c=19.666 (4),β=104.69(3)°,V=2660.1(9)3,Z=4,D c=1.378 g/cm 3,F(000)=1144,the final R=0.0600 and wR=0.0668 for 2951 observed reflections with I > 2σ(Ⅰ).The complex contains a folded Cu 2 P 4 core structure,with two Cu(Ⅰ) atoms being bridged by a pair of dppb ligands to form a 14-membered Cu 2 P 4 C 8 zigzag ring.The ligand sphere of each metal center is completed by a nitrate anion in a chelating fashion.     

图形处理器并行计算用于离子发动机粒子模拟

为了研究离子发动机羽流对航天器的影响,采用质点网格-蒙特卡罗碰撞方法对离子发动机羽流中的交换电荷离子进行了模拟。利用计算设备统一架构技术,开发出一套基于图形处理器的并行粒子模拟程序。随机数生成采用并行MT19937伪随机数生成器算法,电场方程使用完全近似存储格式的代数多重网格法求解。r-z轴对称坐标系中,在z=0 m处获得的电流密度均值为4.5×10-5 A/m2,图形处理器所得结果与中央处理器模拟结果吻合。在16核心的NVIDIA GeForce 9400 GT图形显示卡上,取得相对于Intel Core 2 E6300中央处理器4.5~10.0倍的加速比。     

朴素积分概念的构建与教学实践

从分析积分概念的历史演变入手,旨在挖掘积分概念最直观最本质的思想,指出现代积分概念实际上是牛顿-莱布尼茨公式的产物.对初学者而言,积分概念的教学应当遵循历史发生学的过程,充分考虑学生的认知规律,采用朴素的积分概念,突出其无穷小求和的本质,从而使学生的学习从"冰冷的美丽"回归到"火热的思考"[1].     

完全有序的全同金属纳米点阵列的生长与研究

利用分子束外延在半导体Si(111)衬底上第一次成功地制备了尺寸相同、空间分布均匀的金属纳米团簇阵列.文章作者提出的这种“幻数稳定团簇+模板”的方法并不局限于制备某一种金属团簇阵列,且生长出的金属纳米点阵列非常稳定.用扫描隧道显微镜(STM)原位分析结合第一性原理计算,确定了金属纳米点的原子结构以及这些结构的形成机理.     

金属材料深冷处理后的耐磨性试验与研究

作者研究了深冷处理对20、20CrMnTi、40Cr、GCr15等结构钢在油润滑条件下的耐磨性及紫铜电加热头使用寿命的影响。在不同温度处理后,用扫描电镜、铁谱仪等手段对试样的金相组织、残余奥氏体量、磨痕表面和磨屑的分析,並进行了性能试验,研究了深冷处理的作用。     

商榷

第32届IMO试题如图 1,P为ΔABC内任意一点,求证：∠1,∠2,∠3中至少有一个不大于30°．     

图的距离不大于β的点可区别的全染色

提出了D (β)-点可区别全染色这一概念, 即对图G的一个正常全染色, 距离不大于β的任意两点有不同的色集, 其中, 每个点的色集由该点和其邻边的颜色所组成. 讨论了一些特殊图的距离不大于2的任意两点可区别全染色, 同时提出了一个猜想和一个未解决问题.     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡