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91.
92.
Magnetointersubband Oscillations of the Two-Dimensional Electron Gas in AlxGa1-xN/GaN Heterostructures
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Shubnikov-de Haas (SdH) measurements are performed over a temperature range of 1.5-20 K in Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures with two subbands occupied. In addition to an intermodulation between two sets of SdH oscillations from the first and second subbands, a beating in oscillatory magnetoresistance at 12K is observed, due to the mixing of the first subband SdH oscillations and ‘magnetointersubband‘ (MIS) oscillations. A phase shift of π between the SdH and MIS oscillations is also clearly identified. Our experimental results, i.e. that the SdH oscillations dominate at low temperature and MIS oscillations dominate at high temperature, fully comply with the expected behaviour of MIS oscillations. 相似文献
93.
94.
研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0 .47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不 同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1.5T)下由迁移率谱和 多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d 2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换
关键词:
InAlAs/InGaAs单量子阱
SdH振荡
二维电子气
磁致子带间散射 相似文献
95.
通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率.用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象.同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG迁移率的主要散射机理. 相似文献
96.
97.
^132,134,136,137^Ba(n,p),^132,134^Ba(n,2n)反应截面测量 总被引:1,自引:0,他引:1
98.
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100.
气相色谱-串联质谱法测定沉积物中有机磷酸酯 总被引:3,自引:0,他引:3
比较了不同提取方法、净化方法对沉积物样品中有机磷酸酯(Organophosphate esters,OPEs)的富集、净化效果,建立了气相色谱-串联质谱法(GC-MS/MS)检测沉积物中8种OPEs的分析方法.用20 mL正己烷-丙酮混合液(1∶1,V/V)、涡流振荡+超声提取两次,Florisil固相萃取柱净化、8 mL乙酸乙酯洗脱,浓缩后将溶剂置换成正己烷,采用DB-5MS毛细管柱(30 m×0.25 mm ×0.25 μm)进行分离,质谱检测器在选择反应监测模式(SRM)下进行分析,内标法定量.结果表明,此前处理方法操作简单、溶剂耗量少;在3个添加浓度水平下,OPEs(除TEP外)的回收率在80%~ 120%之间,检出限为0.31 ~ 65 ng/L,且有良好的精密度与准确度. 相似文献