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991.
高增益间接驱动惯性约束聚变物理过程 总被引:12,自引:4,他引:12
本文从理论上讨论辐射驱动高增益激光聚变的物理过程,着重研究靶丸内爆动力学。为此,我们设想了一种靶型,估计了有关的主要特征量,包括各种效率,靶丸环境温度、燃料的压缩和热斑点火等。此外,文章强调必须控制三种有害因素,即非对称内爆,混合和流体力学不稳定性。 相似文献
992.
By virtue of the density operator's P-representation in the coherent state representation, we derive a new quantum mechanical photon counting distribution formula. As its application, we calculate photon counting distributions for some given light fields. It is found that the pure squeezed state's photon counting distribution is related to the Legendre function, which is a new result. 相似文献
993.
网络入侵检测系统OqIDS)大量的警报数据使得安全管理员在进行安全评估时,需要花费大量的精力,分析效率极低。NIDS之所以会有这样大量的警报数据主要是由于误报、重报或信息冗余度太大造成的。很多误报是可以找到原因或规律的,可以设计一种过滤算法将有规律的误报过滤掉,从而减少误报。在IBM苏黎世研究实验室相关研究工作的基础上,设计出了一种基于规则的警报过滤模型和算法。其模型见图1。 相似文献
994.
硅泡沫垫层材料同其他高分子材料一样同样存在老化的问题,在使用和贮存过程中会受到温度、湿度、氧化、应力等因素的影响而发生老化,性能劣化。因此,研究其相对薄弱环节的贮存老化性能是很重要的。 相似文献
995.
A novel method for fabricating dual-wavelength fiber Bragg gratings (FBGs) by using one phase mask is developed. The method is based on a double-exposure technique. Our technique lends itself to writing gratings with controllable reflectivity and separation of two Bragg wavelengths. A grating with two equal transmission peaks of 20.25 dB is obtained by this method and the separation of the two Bragg wavelengths is about 0.8 nm. With the grating, we demonstrate a dual-wavelength erbium-doped fiber ring laser whose interval of the two peaks is 0.8 nm. The laser's peak powers can get 3.1 mW above and have a good stability. 相似文献
996.
引入整数因子伸缩的向量值正交小波与向量值小波包的概念.运用仿酉向量滤波器理论和矩阵理论,给出具有整数因子伸缩的向量值正交小波存在的充要条件.提供了紧支撑向量值正交的构建算法,给出了相应的构建算例.利用时频分析方法与算子理论,刻画了一类向量值正交小波包的性质,得到了整数伸缩的向量值小波包的正交公式. 相似文献
997.
为了解高中数学概念课师生言语互动行为的特征,本研究以四节“第十届高中青年数学教师课例展示与培训活动”中的课堂实录为研究对象,运用MFIAS系统,采用视频分析法,从编码频次、时长、代码覆盖率等角度进行分析,研究后提出教学建议如下:优化教师语言比例,提高课堂提问质量;灵活运用课堂反馈,积极营造和谐氛围;加强课堂生生互动,焕发课堂生机活力. 相似文献
998.
基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级. 相似文献
999.
1000.