新型海参硫酸软骨素葡萄糖受体及葡萄糖醛酸受体的高效合成

以D-葡萄糖为起始原料,经9步反应合成了2-O-苄基-3-O-烯丙基-1-O-对甲氧基苯基α-D-葡萄糖(9);将9的6-位伯羟基经叔丁基二苯基硅烷基(TBDPS)保护,首次合成了正交保护的新型葡萄糖受体2-O-苄基-3-O-烯丙基6-O-叔丁基二苯基硅烷基1-O-对甲氧基苯基α-D-葡萄糖(Ⅱ),总收率28.2%;将9的6-位伯羟基氧化糖醛酸化后,再经甲酯化,以25.0%的总收率首次合成了新型葡萄糖醛酸受体2-O-苄基-3-O-烯丙基-1-O-对甲氧基苯基α-D-葡萄糖醛酸甲酯(Ⅲ),化合物结构经¹H NMR,¹³C NMR, IR和HR-MS(ESI)表征。     

含希夫碱侧基聚酯及其锌配合物的合成和性能

经多步反应合成2种新型含希夫碱侧基聚酯(P5,P6),进一步与醋酸锌反应得到2种聚酯锌配合物(P5-Zn,P6-Zn)。 采用元素分析、FT-IR、UV-Vis、¹H NMR、GPC、TG、DSC和荧光光谱等技术手段对其结构和性能进行表征。 P5和P6均溶于四氢呋喃(THF)、氯仿(CHCl₃)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮法(NMP)等有机溶剂,P5-Zn和P6-Zn部分溶于THF及CHCl₃,溶于DMF、DMAc、DMSO、NMP等有机溶剂。 P5和P6的重均相对分子质量M_w及相对分子质量分布指数PDI分别为4164、6148 g/mol和1.42、1.43。 P5、P6、P5-Zn和P6-Zn的5%失重温度分别为339、348、367和358℃。 P5、P6、P5-Zn和P6-Zn的玻璃化转变温度T_g分别为88.8、123.3、39.8和63.8 ℃。 P5和P6的DMF溶液(5×10^-5 mol/L)在418和416 nm处发射弱紫色荧光,P5-Zn和P6-Zn的DMF溶液(5×10^-5 mol/L)在505和506 nm处发射强绿色荧光,固体P5-Zn和P6-Zn在527和532 nm处发射强绿色荧光。     

(4-环戊二烯基苯甲酸-铁-甲苯)六氟磷酸盐键合硅胶固定相的制备及色谱性能

基于二茂铁独特的分子结构及其作为新型液相色谱分离基质的潜质,制备了新型(4-环戊二烯基苯甲酸-铁-甲苯)六氟磷酸盐键合硅胶固定相,利用红外光谱、元素分析、热重分析等手段对其进行了表征。分别选取多环芳烃、萘胺位置异构体、硝基苯胺位置异构体、硝基咪唑类化合物和有机磷化合物溶质作为探针,对其色谱性能进行了评价。结果表明,该色谱固定相能提供 π-电子转移、 π-π 作用、偶极-偶极作用及与底物的静电相互作用等多种作用力,并探讨了可能的分离机理。     

疲劳驾驶检测中基于稀疏表示的眼睛状态识别研究

为了解决传统接触式疲劳驾驶检测方法影响驾驶、检测算法识别率较低等问题,本文提出一种基于稀疏表示的眼睛状态识别的方法。利用K-SVD(K均值奇异值分解)方法对输入的训练集构造过完备冗余字典,利用正交匹配追踪法对测试的图像进行稀疏表示,然后根据重构图像和测试图像之间的误差,确定测试图像所属的类别,判断出测试图像的状态。实验中将K-SVD和OMP(正交匹配追踪)方法与其它字典学习和稀疏表示方法进行对比,结果表明,利用K-SVD字典学习算法结合OMP算法获得了较好的识别效果。     

气体流量对TYUT型MPCVD装置沉积大面积金刚石膜的影响

使用自行研制的频率为2.45 GHz的TYUT型MPCVD装置,以H2和CH4为气源,在功率为8 kW、基片温度为1000℃、气体流量为100～800 sccm条件下,进行了直径为65 mm的大面积金刚石膜的沉积实验.使用扫描电镜、X射线衍射仪、数字千分尺和Raman光谱仪等仪器分别对金刚石膜的表面形貌、取向、厚度和品质进行了表征.实验结果表明,气体流量的变化会对金刚石膜的晶粒尺寸,晶体取向,沉积速率,厚度均匀性和品质产生较大的影响.气体流量在300～600 sccm范围内制备的金刚石膜才兼具晶粒尺寸均匀性好、表面缺陷少和品质高的优点.     

Control of symmetric properties of metamorphic In_(0.27)Ga_(0.73)As layers by substrate misorientation

Asymmetry in dislocation density and strain relaxation has a significant impact on device performance since it leads to anisotropic electron transport in metamorphic materials. So it is preferred to obtain metamorphic materials with symmetric properties. In this paper, we grew metamorphic In_(0.27)Ga_(0.73) As epilayers with symmetric low threading dislocation density and symmetric strain relaxation in two (110) directions using In Al Ga As buffer layers on 7°misoriented Ga As(001)substrates. To understand the control mechanism of symmetric properties of In_(0.27)Ga_(0.73) As layers by the substrate miscut angles, In_(0.27)Ga_(0.73) As grown on 2°and 15°misoriented substrates were also characterized as reference by atomic force microscopy, transmission electron microscopy, and high resolution triple axis x-ray diffraction. The phase separation and interaction of 60°misfit dislocations were found to be the reasons for asymmetry properties of In_(0.27)Ga_90.73 As grown on 2and 15°substrates, respectively. Photoluminescence results proved that the In_(0.27)Ga_(0.73) As with symmetric properties has better optical properties than the In_(0.27)Ga_(0.73) As with asymmetric properties at room temperature. These results imply that high quality metamorphic In_(0.27)Ga_(0.73) As can be achieved with controllable isotropic electron transport property.     

具有随机时滞和异步相关噪声的非线性系统的高斯滤波器设计

针对随机时滞和异步相关噪声情况下的状态估计问题,提出了一种改进的高斯滤波算法(GF),并给出了其适用于高维系统的实现形式—随机时滞和异步相关容积卡尔曼滤波器(CKF-RDCN)。首先,通过满足Bernoulli分布的互不相关随机序列,来描述系统观测数据中可能存在的随机时滞现象,将量测噪声作为状态变量用以实现对观测时滞后验概率密度的估计。其次,利用一阶斯特林插值公式来近似估计,由于过程噪声和量测噪声异步相关,而导致的含有随机变量的多维积分问题。最后,依据三阶球径容积法则,给出了CKF-RDCN滤波算法的详细设计。此外,经典GF算法是所提出的改进GF算法的特例,其作为一个通用的非线性滤波算法框架,根据不同的后验概率密度估计方法,可以有不同的实现形式。仿真结果表明,相比于扩展卡尔曼滤波算法(EKF)以及容积卡尔曼滤波算法(CKF),CKF-RDCN在解决含有观测时滞和相关噪声系统的状态估计问题时,具有更高的精度和更好的数值稳定性。     

一个广义变系数KP方程的Pfaffianization化

通过使用Pfaffianization化程序, 产生一个广义耦合的变系数KP方程组, 并且利用pfaffian技术给出了耦合变系数KP方程组的Wronski型pfaffian式解和Gram型pfaffian式解.     

新型高功率MPCVD金刚石膜装置的数值模拟与实验研究

根据高功率MPCVD装置所需要具备的条件,提出一种新型的高功率MPCVD装置结构.先使用HFSS软件对模型的各部分尺寸进行了初步优化;然后使用COMSOL软件通过对高功率、高气压条件下气体电离形成等离子体时的电场和等离子体分布的模拟,并对气体进出方式进行了验证;最后根据模拟结果建立了新型MPCVD装置,并使用所制造的装置在高功率、高气压条件下进行了大面积金刚石膜的制备.结果表明:所提出的高功率MPCVD装置模型经过结构优化后,在基片上方对电场具有较好的聚焦能力,强度高于同类装置;高功率、高气压条件下所产生的等离子体也仅在基片上方均匀分布,与石英环之间被中间腔体隔离,有效避免其对石英环的刻蚀;所设计的进出气方式能够保证反应气体在基片表面均匀分布;使用所制造的装置能够在高功率、高气压条件下实现大面积高品质金刚石膜的快速沉积.     

n-型多孔Si/TiO2纳米线异质结构的制备及光电化学性能

采用光辅助电化学腐蚀法制备了n-型多孔硅衬底, 再采用水热法在其表面生长TiO₂纳米线制得了三维n-型多孔Si/TiO₂纳米线异质结构. 通过X射线衍射、 扫描电子显微镜和X射线能量散射等表征证实了n-型多孔Si/TiO₂纳米线异质结构的形成. 紫外-可见漫反射光谱测试结果表明, n-型多孔硅与TiO₂纳米线的复合提高了紫外-可见波段的光吸收. 光电性能测试结果表明, 3个样品中n-型多孔Si/TiO₂纳米线异质结作为光电极的光电流最高, 这说明n-型多孔Si/TiO₂纳米线作为光电极具有更高的光电化学分解水性能.