多窗口二维实时图象读出系统软件设计

智能化及数字图象分析处理技术已成为开发高级高速摄影及测量仪器的重要途径。本文中作者按照软件工程的观点,以现代窗口软件为基础,对我们研制的新型皮秒扫描相机的多窗口二维图象读出系统软件,从基本设计思想、系统组织结构以至具体实现细节作了阐述,与传统一维图象读出系统软件相比,该系统由于以窗口管理为基础,具有多窗口功能并综合了菜单驱动系统及其它一些高级软件策略;可在二维(甚至三维)空间对研究对象的性态作出定量的测量分析;具有实时性强等特点,在高速摄影领域将得到广泛的应用。     

水溶性卟啉自由碱的非均相金属插入反应

水溶性卟啉自由碱的非均相金属插入反应刘志贤，周永洽，段长胜，申泮文（河北师范大学化学系，石家庄０５００１６）（南开大学，天津３０００７１）陈钢进（浙江师范大学，金华３２１００４）卟啉自由碱与金属供体反应生成金属卟啉的反应称为金属插入反应。元素周期表中...     

富氧空位的非晶氧化铜高选择性电催化还原CO2制乙烯（英文）

过量化石能源的消耗导致大气中的二氧化碳含量不断上升,由此引发包括温室效应在内的环境问题。对此,常温常压下的电催化二氧化碳还原手段为制备高附加值的化工原料和实现碳循环提供了一种很有前景的技术储备。在众多的二氧化碳还原产物中,碳氢化合物尤其是乙烯,它作为塑料和其他化工产品的重要原料受到广泛的关注。电催化二氧化碳还原制乙烯工艺不仅可适配于现有的生产设备也可作为取代目前工业化的裂解方法。近年来,研究者们为了开发高效的电催化二氧化碳还原制乙烯催化剂开展了大量的研究。不过值得注意的是,大部分研究集中于铜基材料。尽管目前研究者取得了很多成果,但仍缺少可高选择性产乙烯的二氧化碳还原催化剂。如何设计出可活化二氧化碳分子,同时对*CO和*COH中间物有强吸附能力的催化剂是研究难点。针对此问题,本文中通过真空蒸镀的方法制备出一种富氧空位的非晶氧化铜纳米薄膜催化剂。受益于纳米薄膜的构建和氧空位的引入,该催化剂可快速进行电荷和物质的交换,并利于二氧化碳分子的吸附及优化还原中间产物的亲和力,进而表现出优异的电催化二氧化碳制乙烯的性能。结果表明,在加有0.1 mol·L^-1碳酸氢钾溶液的H型电...     

基于二醛微晶纤维素功能化C18的反相/亲水色谱固定相的制备

通过十八烷基胺的氨基与二醛微晶纤维素的醛基共价键合,制备了基于二醛微晶纤维素(DMCC)官能化C₁₈的新型反相/亲水色谱固定相(C₁₈-DMCC/SiO₂),该色谱固定相被用于反相色谱(RPLC)和亲水相互作用色谱(HILIC)模式。C₁₈-DMCC/SiO₂色谱柱展现了良好的疏水选择性和芳香选择性,在反相色谱模式下可分离烷基苯和多环芳烃(PAHs)。苯胺类、酚类和糖苷类等极性化合物被用于评估该色谱柱在反相色谱模式下的极性选择性,商品C₁₈柱作对照柱,色谱评价结果令人满意。核酸碱基被用于评估C₁₈-DMCC/SiO₂色谱柱的亲水色谱性能。通过考察有机溶剂含量对分析物保留的影响,发现该新型色谱固定相具有反相/亲水色谱的典型特征。     

杯芳烃在液相色谱固定相领域的应用及进展

杯芳烃是一类由苯酚单元通过亚甲基桥连的超分子化合物,具有独特的主客体识别性能,是继冠醚和环糊精之后第三代超分子化合物的主要代表。其被广泛应用于离子通道、有机催化反应、跨膜转运、纯化、色谱分离等方面。基于杯芳烃易于修饰的特点,选取不同性质的化合物进行衍生化,可以制备出具有不同识别能力和高选择性的杯芳烃衍生物,进而应用于不同色谱分离模式,可实现复杂样品的分离分析。该文从杯芳烃、杯芳烃衍生物和杯杂芳烃3个方面综述了近年来杯芳烃在液相色谱固定相方面的研究应用及进展,并对杯芳烃在色谱分离领域的发展提出了展望。     

以氧化锌为锌源的手性金属-有机骨架的合成及其用于联糠醛外消旋体的选择性吸附

通过使用氧化锌代替传统的金属无机盐为锌源,制备了手性金属-有机骨架（CMOF）[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n并对其手性分离性能进行了考察。将ZnO和L-苹果酸按物质的量之比1：1溶于水中,在室温下静置24 h即可得到[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n。以100 mg[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n为吸附剂,将250 μL 1 g/L的联糠醛外消旋体加入其中,并以4.5 mL异丙醇和1 mL甲醇为萃取剂和洗脱剂进行选择性吸附实验,最终滤液使用高效液相色谱仪（HPLC）进行分析。结果表明,[Zn（L-mal）（H₂O）₂]_n对R-联糠醛具有较好的选择性吸附,其对映体过量（ee）值为20%。该工作为CMOF的绿色制备提供了一定的方法和经验并拓展了其在手性分离领域的应用。     

Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

Using measured capacitance-voltage curves and current-voltage characteristics for the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with different gate lengths and drain-to-source distances,the influence of drain bias on the electron mobility is investigated.It is found that below the knee voltage the longitudinal optical(LO) phonon scattering and interface roughness scattering are dominant for the sample with a large ratio of gate length to drain-to-source distance(here 4/5),and the polarization Coulomb field scattering is dominant for the sample with a small ratio(here 1/5).However,the above polarization Coulomb field scattering is weakened in the sample with a small drain-to-source distance(here 20 μm) compared with the one with a large distance(here 100 μm).This is due to the induced strain in the AlGaN layer caused by the drain bias.     

Effect of high-temperature buffer thickness on quality of AlN epilayer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition

The effect of an initially grown high-temperature AlN buffer (HT-AlN) layer's thickness on the quality of an AlN epilayer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) in a two-step growth process is investigated. The characteristics of AlN epilayers are analyzed by using triple-axis crystal X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). It is shown that the crystal quality of the AlN epilayer is closely related to its correlation length. The correlation length is determined by the thickness of the initially grown HT-AlN buffer layer. We find that the optimal HT-AlN buffer thickness for obtaining a high-quality AlN epilayer grown on sapphire substrate is about 20 nm.     

Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance-voltage curves,the polarization sheet charge density and relative permittivity are analyzed and calculated by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the values of relative permittivity and polarization sheet charge density of AlN/GaN diode are both much smaller than the ones of AlGaN/GaN diode,and also much lower than the theoretical values.Moreover,by fitting the measured forward I–V curves,the extracted dislocations existing in the barrier layer of the AlN/GaN diode are found to be much more than those of the AlGaN/GaN diode.As a result,the conclusion can be made that compared with AlGaN/GaN diode the Schottky metal has an enhanced influence on the strain of the extremely thinner AlN barrier layer,which is attributed to the more dislocations.