带形域内裂纹对SH波散射问题的边界元解

采用边界元法研究含裂纹的带形域各向同性弹性体，裂纹对SH波的散射问题，推导出带形域情况下不同边界条件的各种Green函数，导出了以裂纹张开位移为未知数的边界积分方程，计算出表面散射场和总位移．算例表明，利用所提供的格林函数和边界元格式解答带形域的散射问题比较方便．     

一类具变号非线性项二阶m点边值问题的正解

利用一个新的不动点定理,研究一类具有变号且依赖一阶导数非线性项二阶m点边值问题正解的存在性,得到了正解存在的充分条件.     

介质层厚对含负折射率介质Bragg微腔的影响

研究了介质层厚对含负折射率介质一维光子晶体Bragg微腔的缺陷模和双稳态的影响.在中心频率附近将传输矩阵各矩阵元采用泰勒级数展开并取一级近似,得到了缺陷模频率与介质层厚的关系式及品质因子公式.研究结果表明：一级近似法能很好地解释中心频率附近介质层厚对缺陷模频率的影响.理想Bragg微腔结构的缺陷模品质因子最大;递增正折射率介质层厚和增大缺陷层介质层厚、递减负折射率介质层厚及同时等量递减正和负折射率介质层厚,均可使缺陷模红移,双稳态阈值降低.     

三环无源谐振腔在光纤激光器中的选频特性

利用琼斯矩阵对一种三环嵌套的无源谐振腔的选频特性进行了分析,并根据无源谐振腔选频的原理,设计了一种基于三环嵌套无源谐振腔的掺铒光纤激光器.实验结果表明:三环嵌套的无源谐振腔具有良好的选频特性,当泵浦功率为159 mW时,得到了稳定的单纵模激光信号输出;输出功率的最大波动为0.04 dB,输出中心波长最大漂移为0.016...     

用于燃料电池质子交换膜的含萘及氮杂环结构的新型磺化聚酰亚胺的合成及性能

将自制的4,4'-二氨基二苯醚-2,2'-二磺酸基(ODADS)、 含氮杂环芳香二胺1,2-二氢-2-(4-氨基苯基)-4-[4-(4-氨基苯氧基)-苯基]-二氮杂萘-1-酮(DHPZ-DA)和1,4,5,8-萘四甲酸二酐(NTDA)进行直接缩合聚合反应, 通过改变磺化二胺单体的含量来改变聚合物的磺化度, 成功地合成了一系列高分子量的不同磺化度的六元环聚酰亚胺(SPIs), 其特性粘度在0.55-1.47 dL/g. 采用FTIR和 1H NMR技术表征了聚合物的结构. 研究了经溶液浇铸成磺化聚合物膜的理化性质. 结果表明, 随着聚合物磺化度的增大, 膜的含水率和离子交换能力增大, 尺寸稳定性、 对水的稳定性以及抗氧化性降低.     

Thermus thermophilus木糖异构酶与木糖醇的分子对接及模型分析

在1BXB结构基础上, 通过分子对接方法构建木糖异构酶与抑制剂木糖醇的复合物模型, 为合理设计解除木糖醇对木糖异构酶的抑制及进一步揭示木糖醇对该酶抑制机理提供参考.     

智能交通环境下多信息反馈效应的跟驰模型研究综述

智能交通环境下,驾驶员可实时获取前方多辆车行驶状态信息,并根据反馈信息合理调整自身车辆运行状态,以期实现前后多车协同行驶的目标。本文简要回顾了跟驰模型近70年的发展历程,重点聚焦理论驱动跟驰模型,系统梳理了智能交通环境下多信息反馈效应跟驰模型的相关研究,给出了不同信息反馈作用下各模型的具体表征及其特性,归纳出多信息反馈效应跟驰模型动力学方程的一般形式。最后展望了该模型未来的发展趋势,为进一步完善跟驰理论及模型提供有益的参考。     

SQUID结合涡旋电流法用于铍材残余应力检测的可行性

涡旋电流法是材料无损检测常用方法之一，近年国际上多个研究小组对用于金属材料内残余应力检测开展了研究，涡旋电流法被认为是无损检测确定材料内残余应力的潜在方案。文中从实验和电磁场数值模拟两方面对此问题开展研究。     

态|ψ3(3)〉q中广义磁场分量的N次方Y压缩效应

构造了由多模复共轭相干态|{Z_j^*}〉_q、多模复共轭虚相干态|{iZ_j^*}〉_q和多模真空态|{Q_j} 〉_q这三态的线性叠加所组成的第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场|ψ₃⁽³⁾〉_q.利用多模压缩态理论研究了态|ψ₃⁽³⁾〉_q中广义磁场分量的任意偶数次广义非线性等幂次N次方Y压缩特性.结果发现:在压缩次数N取偶数,只要各模的初始相位φ_j(j=1,2,3,…,…,q),态间的初始相位差(θ_i-θ₂)(i=1,3)和各单模相干态光场平均光子数R_j²之和 分别满足各自的取值条件,态|ψ₃⁽³⁾〉_q的广义磁场分量(即第一正交相位分量)就可呈现出周期性变化的、任意偶数次的广义非线性等幂次N次方Y压缩效应.     

电子束共蒸发技术制备高T_cNb-Ge薄膜及其分析

在750—1050℃的基体温度范围内,对Nb-Ge进行了电子束共蒸发实验.在10~(-5)—10~(-6)托压力下,以数埃/秒的沉积速度蒸发于800—950℃的基体上获得了20—21.9K的高临界温度Nb-Ge薄膜.X-射线结构分析表明基本上为A15结构,或者含有少量的其它相.研究了T_(c)与成分、电阻率比以及点阵参数间的关系.发现在较高温度下沉积时,富Ge薄膜往往伴随四方结构T2相存在;相反,在较低温度下沉积时多出现六方结构的σ-Nb_5Ge_3相。基体表面状态对亚稳A15-Nb_3Ge相的形成或有一定的影响.