基于Eu/Tb/SnO2纳米晶体共掺杂二氧化硅玻璃的三激活剂光致发光自参考光学温度测量(英文)

自参考光学温度计在快速响应和高精度方面显示出竞争优势,因为可以规避一些不可避免的外部因素,如浓度变化、激发波动和检测器损耗。本文报道了Eu/Tb/SnO₂纳米晶体共掺杂二氧化硅玻璃的三激活剂光致发光。基于Eu³⁺(⁵D₀-⁷F₂跃迁,620 nm)/Eu²⁺(4f⁶5d-⁸S_7/2跃迁,434 nm)和Eu³⁺(⁵D₀-⁷F₂跃迁,620 nm)/Tb³⁺(⁵D₄-⁷F₅跃迁,542 nm)的非热耦合能级的温度依赖性荧光强度比可用于298～773 K宽范围内的自参考温度探测。在773 K时,最大相对热灵敏度S_r可达2.3%·K     

莫道桑榆晚 为霞尚满天——老年珠算心算学习感悟

老年朋友学习珠算心算,动手又动脑,可以增强体质,有助于益智健脑,延缓衰老,预防老年痴呆。珠心算能增长知识,丰富晚年生活,促进身心健康,还能增进人与人之间的相互交流,也能让学有所成的老年朋友为传播珠算文化、服务社会发挥余热。     

煤超临界抽提产物中的地球化学标记物

用硅胶柱色谱分离结合色—质谱分析,对五种煤的超临界抽提(SCG)物中正己烷冲出馏分的组成进行了检测。结果表明,C_(13)—C_(35)正构烷烃是其主要成份,此外还含有姥鲛烷、植烷、环烷烃等地球化学标记物。环烷烃中以五环三萜烷的C_(27)、C_(29)—C_(30)的藿烷类(17αH,21βH)、莫烷类(17βH,21αH)为主,并有一定量的C_(27)、C_(29)、C_(30)藿烯及生物藿烷,三环二萜烷量很少。试验还表明,煤阶和操作条件对上述组分的含量及分布特征(如莫烷类/藿烷类,C_(27)藿烯量等)有一定影响。所有样品中甾烷的含量都很低。     

具有生物活性的金属配合物研究(Ⅶ)——对氨基水杨酸稀土配合物的合成、性质、抗结核菌及毒性研究

本文报道了14种对氨基水杨酸稀土配合物的合成,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、摩尔电导、差热分析、X射线粉末衍射等手段对配合物进行了性质测定,确定了该系列化合物的组成为RE(PAS)₃nH₂O(RE=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Y,PAS为对氨基水杨酸根,n=1～3)。红外光谱证明稀土元素与配体中的羧基和其邻部位的羟基形成稳定的六元螯合环。抗结核菌及抑菌毒性实验表明,稀土配合物的毒性比对氨基水杨酸钠的毒性小;抗结核菌的作用比对氨基水杨酸钠的作用略强。     

薄层扫描法测定水中痕量阴离子表面活性剂

本文报告了一个可以鉴定水中痕量阴离子表面活性剂的薄层扫描法。应用大孔树脂GDX-502作为吸附剂除去干扰离子,回收率85％。乙基紫染料阳离子与阴离子表面活性剂形成紫色缔合物,用甲苯一次萃取,在硅胶G板上,应用日本岛津CS-930双波长薄层扫描仪扫描定量。提供了一个大孔树脂处理-溶剂萃取缔合物-薄层扫描分析水样中阴离子表面活性剂的方法。     

稀土五磷酸盐晶体的组成分析

稀土五磷酸盐晶体作为激光或发光材料正在引起人们的注意.其中五磷酸钕和五磷酸镨均是化学计量比激光材料,五磷酸铈是一种迄今为止余辉最短的闪烁体材料,五磷酸铽能发出较强的绿色萤光.但至今对稀土五磷酸盐晶体的组成分析却无详细报导.Ln P_5O_(14)晶体的化学稳定性好,在许多溶剂中不溶解,一般认为仅能用强碱熔融,而在用碱熔融时     

HfO2薄膜生长应力演化研究

薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性,对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义.搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置,再结合薄膜厚度的实时监控,实现了对薄膜应力演化过程的观测.对HfO2薄膜的生长过程做了实时研究.结果显示,在所研究条件下,HfO2薄膜的生长应力随厚度的增加,在360～660 MPa范围内变化;沉积温度越高,沉积真空度越高,张应力越大;在真空度较高的沉积条件下,薄膜应力强烈地受到基底表面的影响,随着薄膜厚度的增加,应力也趋于稳定.     

用带Peano余项的Taylor公式代换求极限应取到哪一项

指出了用带Peano余项的Taylor公式代换求极限应取到的项数,并给予证明。     

激发态Cs(5D)原子间碰撞能量转移

用激光二步激发Cs原子至8S态,从谱线的波长及强度可以确定Cs原子的辐射及碰撞过程,5D态主要是由8S→7P→5D跃迁布居的.在1016-1017Cs密度范围内,测量了碰撞能量合并5D 5D→nL 6S(nL=9D,11S,7F)速率系数,因5D→6P(3.0-3.6μm)处于红外本实验不能探测,利用一个已经测量过的过程(即6P 5D→6S 7D)作相对测量,对于9D,11S和7F态,其平均速率系数分别为(8.4±4.2)×10-10,(7.3±3.6)×10-10和(9.7±4.8)×10-10cm3s-1.讨论了碰撞转移过程11S 6S 7F 6S对速率系数的影响.     

Self-screening of the polarized electric field in wurtzite gallium nitride along [0001] direction

The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices.