银催化剂上乙烯氧化反应动力学的研究

本文研究了加压下乙烯氧化反应动力学,根据实验结果,总结及归纳出二个动力学模型。文中还对反应历程进行了讨论。     

基于不同梁模型的弯曲变形分析与实验教学探讨

梁的弯曲变形是基础力学的核心内容之一,以往实验教学中的变形分析通常基于Euler-Bernoulli梁模型进行,而对工程中常见的Timoshenko梁涉及较少,这种变形模式的单一性和局限性教学无疑落后于当前力学学科人才培养的发展趋势.为了使本科生深入理解梁弯曲行为并掌握更为全面的实验技术,本文通过理论分析和模型优化,研...     

Tan-Charm粒子工厂

 所谓“Tau-Charm（t-C）粒子工厂”,是在低背景条件下极大量地产生t轻子和C（粲）粒子的加速器以及相关实验装置的总称。具体说,它包括一个工作能区3-5GeV、峰值亮度¹0³³cm（-2）s^-1的双环e⁺e^-对撞机和相应的高性能实验谱仪。t-C粒子工厂主要用来研究我们至今知之不多的三个费米子t、V_t轻子与C夸克的物理学。     

形象思维与数学教学

“形象”的特点是直观。无疑,它是相对于一般人的感官的一般感知限度而言的。类此于形象之直观,“抽象”的特点是什么?迄今为止,还没有一个约定俗称的名字,不妨暂以“理想”相称。 经验证明,直观的信息易于识记、提取,理想的信息则难于识记、提取,尚未引起人们特别关注的一个特殊事实是,某些形象相当理想,而某些抽象则相当直观.前者如中国京剧艺术中不同个性     

酥性奶油饼干在藏畅销

随着旅游事业的不断发展,西藏的食品行业迫切需要扩大品种、提高质量。自治区人民政府拨给拉萨食品厂专款,准备扩大生产。但是,由于西藏技术力量薄弱,且条件(如电力、湿度等等)与内地不同,照搬内地的配方经常行不通.例如,食品厂主要技术人员在上海学了三年,学了一百零六种点心的作法,回来只能作出四种,效果并不理想;对另外一百零二种为何做不出来,摸不清头脑,只好出高工资请外地的师傅来教.如何开展科学试验,是急待解决的问题,正交试验法及时传入西藏,使我们大开眼界,好比久旱遇到了及时雨. 西藏大部分食品都是用酥油和猪油制作的,而汉族同…     

一个均匀电场漂移室和电子漂移速度的测量

本文描述了一个小型均匀电场漂移室的结构和工作. 在电场强度E≤2.5kV/cm的范围内, 测量了氩气/甲烷, 氩气/二氧化碳和自淬灭流光四类十三种混合气体的电子漂移速度. 讨论了各种气体的特点和应用场合.     

非球面透镜的高精度模压

<正> 一、前言高性能的光学透镜通常是通过磨削、抛光等工序制成。而最近,通过对塑料和玻璃两方面的研究,采用高精度金属模具直接模压成形,批量生产非球面透镜。目前,已研制了电视机投影仪塑料镜头,袖珍唱盘的塑料物镜等。而光     

漂移室退化效应的观测

利用5MeV的电子束照射漂移室, 在Ar/CO₂, Ar/CH₄及Ar/iC₄H₁₀等不同气体混合物条件下研究了漂移室的暗电流, 输出脉冲幅度, 能量分辨及计数率坪曲线随单位长度阳极丝上所收集到的总电荷数的变化.     

用于低动量高精度测量的漂移室氦基混合气体性能的研究

报道了用小型均匀场漂移室对不同比例的氦基混合气体He/CH₄(80/20,70/30)和He/iC₄H₁₀(85/15,80/20,70/30)的电子漂移速度和用正比计数管对上述气体的电子放大系数测量的结果,实验结果同用Garfield程序包计算的结果进行了比较,符合得很好. 对He/CH₄(80/20)混合气体得到漂移速度ud≈2.7cm/μs,其放大系数M在适当工作电压下能控制在10⁴—10⁵之间,这种混合气体可以作为低动量高精度测量的漂移室工作气体较为理想的候选者.     

Self-screening of the polarized electric field in wurtzite gallium nitride along [0001] direction

The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices.