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132.
钛酸钾晶须通常是直径和长度在微米量级的无机晶须 ,可用K2 O·nTiO2 表示其组成 ,n =1,2 ,4 ,6 ,8,[1] .六钛酸钾晶须具有耐高温、耐腐蚀、纤维拉伸强度高、导热系数小、红外反射率高 ,硬度低的特点 .在民用及工业方面有很多应用 .如催化剂载体、离子吸附交换材料、高温过滤器、绝热材料、耐摩擦材料等[2~ 5] .钛酸钾纳米线的合成尚未见报道 .我们在用电弧产生的N2 等离子体热解焦油时 ,生成了一种直径 9~ 2 0nm长约几百纳米线 .X射线能谱定量分析表明这种纳米线化学组成为K2 Ti8O15,是一种新的非化学计量化合物 .试验装… 相似文献
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本文讨论聚苯胺自支撑膜的电子自旋共振(ESR)和磁学性能与成膜、拉伸处理以及质子掺杂等因素的影响,实验结果表明,聚苯胺膜的磁学性能与它的粉末样品相似,其磁化率表现为与温度无关的泡利型顺磁性和符合居里定律的顺磁性之和,质子掺杂后,其磁学性能也随绝缘体-半导体-金属态相变而变化,并且质子掺杂后自旋密度的增加符合“质子化导致自旋不成对”的机理,拉伸后的聚苯胺的泡利自旋和居里自旋均比其粉末和薄膜样品明显提高,这可能是由于拉伸取向增强了聚苯胺链上醌环上氮原子上弧对电子间的相互作用所致。
关键词: 相似文献
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Preparation of Ni-B Coating on Carbonyl Iron and Its Microwave Absorption Properties in the X Band
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Ni-B coated carbonyl iron particles (CI@Ni-B) are prepared by the electroless plating technique. The structure, morphology, and antioxidant properties of the CI@Ni-B particles are analyzed. The results demonstrate that the CI particles have been coated with intact spherical-shell Ni-B coating, indicating the core-shell structure of CI@Ni-B particles, and the Ni-B coating can prevent the further oxidation of the CI particles. Compared with the raw CI particles/paraffin coatings with the same coating thickness of 2.0mm and particles content of 70%, the CI@Ni-B particles/paraffin coatings possess higher microwave absorption (the RL exceeding -10 dB is obtained in the whole X band (8.2-12.4GHz) with minimal RL of -3f.OdB at 9.2GHz). 相似文献
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对薄层柱壳爆炸膨胀断裂过程的研究 总被引:8,自引:2,他引:8
本文提出了一个用于描述动态破坏发展过程的损伤度函数。从这个损伤度函数出发,把材料特征性方程取为强化粘塑性本构方程形式,导出了薄层柱壳爆炸膨胀运动在两种近似下(恒定膨胀速度近似合恒定应变速率近似)断裂判据的解析表达式。结果分析表明,在上述条件下,存在着一个动态断裂“塑性峰”,在这个峰值条件的应变率下,柱壳出现贯穿断裂时刻的应变最大。以软钢为算例,本断裂判据可以比较好地解释Иванов和陈大年等给出的实验结果。这时,动态断裂“塑性峰”对应的应变率为4×104 s-1,相应的应变约为60%~80%。 相似文献
136.
137.
Nb/Al-AlOx/Nb tunnel junctions are often used in the studies of macroscopic quantum phenomena and superconducting qubit applications of the Josephson devices. In this work, we describe a convenient and reliable process using electron beam lithography for the fabrication of high-quality, submicron-sized Nb/Al-AlOx/Nb Josephson junctions. The technique follows the well-known selective Nb etching process and produces high-quality junctions with Vm=100 mV at 2.3 K for the typical critical current density of 2.2 kA/cm^2, which can be adjusted by controlling the oxygen pressure and oxidation time during the formation of the tunnelling barrier. We present the results of the temperature dependence of the sub-gap current and in-plane magnetic-field dependence of the critical current, and compare them with the theoretical predictions. 相似文献
138.
139.
SOLUTE REDISTRIBUTION IN THE INITIAL TRANSIENT REGION OF DIRECTIONAL SOLIDIFICATION SPECIMEN
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The solute redistribution during initial transient process of directional solidification of a binary alloy is associated with the solid-liquid interface advancing velocity which will pass a hysteretic process approaching to the externally imposed velocity. In the present paper, a new accelerated growth equation, dV/dt = μG[m/G·(dGL*)/dt+Ve-V] is deduced, based on which a new formula for the initial transient solute redistribution is obtained with the reasonable assumption that the solid-liquid interface advancing velocity changes exponentially during solidification. It shows that the kinematic effect dominates solidification at high velocity while the coupling effect of thermal and mass transportation controls that at lower velocity.In addition, another new equation to calculate the time required for a planar interface to lose stability is also found. Since the effects of the imposed thermal gradient are taken into account in the new equations, they are more reasonable and satisfactory than those given by Tiller et al. and by Smith et al. 相似文献
140.