全文获取类型
收费全文 | 1496篇 |
免费 | 447篇 |
国内免费 | 609篇 |
专业分类
化学 | 1027篇 |
晶体学 | 75篇 |
力学 | 100篇 |
综合类 | 47篇 |
数学 | 330篇 |
物理学 | 973篇 |
出版年
2024年 | 11篇 |
2023年 | 44篇 |
2022年 | 75篇 |
2021年 | 66篇 |
2020年 | 51篇 |
2019年 | 46篇 |
2018年 | 75篇 |
2017年 | 48篇 |
2016年 | 60篇 |
2015年 | 46篇 |
2014年 | 116篇 |
2013年 | 74篇 |
2012年 | 84篇 |
2011年 | 89篇 |
2010年 | 97篇 |
2009年 | 116篇 |
2008年 | 129篇 |
2007年 | 125篇 |
2006年 | 132篇 |
2005年 | 116篇 |
2004年 | 95篇 |
2003年 | 116篇 |
2002年 | 73篇 |
2001年 | 77篇 |
2000年 | 50篇 |
1999年 | 64篇 |
1998年 | 49篇 |
1997年 | 51篇 |
1996年 | 28篇 |
1995年 | 41篇 |
1994年 | 30篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 46篇 |
1991年 | 36篇 |
1990年 | 28篇 |
1989年 | 17篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 15篇 |
1986年 | 14篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 18篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 6篇 |
1978年 | 2篇 |
1976年 | 2篇 |
1965年 | 2篇 |
1961年 | 3篇 |
1955年 | 2篇 |
排序方式: 共有2552条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
132.
对于均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题给出几点注记.首先应用G reen公式对具有非线性边界反馈控制的均值K IRCHHOFF板所决定的非线性系统的能量衰减速度进行了重新推导,从而修正了前人的结果.然后应用极大单调函数的定义和分部积分技巧,对均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题所决定的非线性算子A的极大单调性给出了重新证明,进而更正了已有文献中相应证明的欠妥之处. 相似文献
133.
用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响. 相似文献
134.
X射线光栅微分相衬成像对由轻元素构成的物质的内部探测具有传统吸收成像无法比拟的优势, 尤其在癌症的早期诊断和轻元素材料及器件的无损检测等领域应用潜力巨大. 大视场成像是影响该技术从实验室走向实际应用的重要因素. 针对大视场成像的客观需求, 基于菲涅耳衍射原理和光栅结构特征, 建立了量化物理模型用于分析影响成像视场的因素, 提出了实现大成像视场的有效途径, 为未来大视场光栅微分相衬成像方法的设计和应用提供理论依据. 相似文献
135.
使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的三维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规律.实验结果表明:激光刻蚀得到的微阵列结构能够有效抑制镀金表面二次电子产额(secondary electron yield,SEY),且抑制能力明显优于诸多其他表面处理技术;微阵列结构对SEY的抑制能力与其孔隙率及深宽比呈现正相关,且孔隙率对SEY的影响更为显著.使用蒙特卡罗模拟方法并结合二次电子发射唯象模型和电子轨迹追踪算法,仿真了各微结构表面二次电子发射特性,模拟结果从理论上验证了微阵列结构孔隙率及深宽比对表面SEY的影响规律.本文获得了能够剧烈降低镀金表面SEY的微阵列结构,理论分析了SEY对微结构特征参数的依赖规律,对开发空间微波系统中低SEY表面及提高镀金微波器件性能有重要意义. 相似文献
136.
137.
138.
139.
针对在普通实验室和医院实现40—100keVX射线相衬成像的需求,考虑到成像系统参数、X射线源空间相干特性及光栅衍射效率,设计出硅基相位光栅结构参数.利用我们已发展的光助电化学刻蚀技术研制出直径为5英寸的相位光栅,其空间周期为5.6μm,线宽为2.8μm,深度为40—70μm.在理论分析的基础上,通过提高硅片两端有效工作电压和修正Lehmann电流密度公式,解决了实际刻蚀过程中出现的钻蚀问题.由实验结果可知,本方案对制作大面积高精度相位光栅十分有效。 相似文献
140.
采用电阻阻错结的无序二维约瑟夫森结阵列模型,数值研究超导薄膜中垂直磁场引起的涡旋运动.通过分析磁场激发产生的涡旋度Ne及低频电压噪声S0的变化特性,得到如下结论:在无序超导体中固定温度不变,随着磁场的减弱涡旋液态经过准有序的布拉格相,涡旋玻璃相重新进入到低磁场下的钉扎稀磁液相. 由于在涡旋玻璃相中,电流驱动下的噪声值表现出一个峰,表明系统处于无序与有序相互竞争的亚稳态,并且临界电流应有峰值效应. 计算得到噪声值的变化与Okuma等得到的无序超导MoxSi1-x膜实验现象一致,并能解释磁场降低引起的重新进入钉扎的稀磁液相行为.
关键词:
约瑟夫森结阵列
磁通玻璃
重新进入
峰值效应 相似文献