真空中氧化铝陶瓷沿面耐压试验

真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验，对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较，并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。     

等离子体中的迁移系数

从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。     

Effects of Post-Thermal Treatment on Quality of SiC Grown by PVT Method

We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals.     

造纸污泥与废水污泥流化床焚烧时NO_x和SO_2的排放特性研究

1前言流化床焚烧污犯是近年来发达国家广泛采用的方法，它能很好地实现污泥的稳定化、无害化、减容化和资源化处理。燃煤流化床锅炉污染物排放方面已做了大量的研究工作，由于污泥与煤在结构和性质方面的差异较大，因此有必要对流化床焚烧污泥时污染物排放特性进行研究。本文详细研究了造纸、废水污泥在流化床中焚烧时污泥水份、运行床温及过量空气对NO。和SO。的排放特性及污泥N－＋NO。、S－SO。的转化率的影响，并对这两种性质差异较大的污泥焚烧时的NO。和502的生成特性进行了对比分析，取得了许多有价值的结果，为污泥流化床焚烧…     

线性复值随机跳跃——扩散方程隐Miltein格式的渐近稳定性

给出了线性复值随机跳跃－扩散方程隐Ｍｉｌｔｅｉｎ格式的渐近均方的必要条件，并揭示了离散步长的稳定区域与格式隐性之间的关系。     

Bi—2223相高温超导体结晶过程的宏观研究

本根据ＤＴＡ实验测得的降温曲线上的放热峰，探讨了Ｂｉ－２２２３相高温超导体的昌过程及其温度特性曲线，相变的观特征与宏观动力学特征，结果表明，用热分析方法研究高温超导体结晶过程中相变的宏观特征及其规律，对实用化成材的热处理工艺技术有着积极的实践意义。     

合肥光源二分割三角型光位置检测器的研制

介绍了一种用于合肥光源的二分割三角型光位置检测器的研制,对其主要性能(如灵敏度和线性范围)进行了理论分析和实际测量,测量结果与理论分析相当吻合.文中还给出了光位置测量系统的组成     

误差杆的概念及其应用

介绍了误差杆的概念及其在实验作图中的应用。     

在重力场和磁场影响下自旋刚性航天器的周期运动

考虑重力场和磁场对轴对称航天器本体的影响，研究其质心在圆形轨道上的运动,通过降低系统的运动方程数，并将它变成为一个带电粒子在电磁场作用下的平面运动．确认系统运动是稳定的，并通过Liapunov全纯积分定理，构建其近似的周期运动.     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。