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1.
The differential cross sections of quasielastic scattering of a 25 MeV/u ^6He from ^9Be target have been measured.The double-folding model approach is applied to generate the real part of the optical potential. The imaginary potential parameters as well as some of the real potential parameters are studied in comparison with the experimental data. The effect of the unstable nucleus is discussed.  相似文献   
2.
1 Results In this contribution we deal with photophysical and photoelectrical study of novel fluorene-thiophene copolymers, and thiophene-based oligomers and polymers, the syntheses of which are reported in our other contributions. Information about electronic structure of the polymers was obtained from cyclic voltammetry and absorption spectroscopy. The absorption of the polymers under study covers the whole visible region; the low band-gap polymer (Eg=1.35 eV) exhibited the long-wavelength absorption ...  相似文献   
3.
The effect of an applied magnetic field on an inhomogeneous superconductor is studied and the value of the upper critical magnetic field Hc3 at which superconductivity can nucleate is estimated. In addition, the authors locate the concentration of the order parameter, which depends on the inhomogeneous term a(x). Unlikely to the homogeneous case, the order parameter may concentrate in the interior of the superconducting material, due to the influence of the inhomogeneous term a(x).  相似文献   
4.
实验测量了83A MeV 14,15C的核反应总截面(σR)及15C产生14,15C和14C产生13C的动量分布(P//). 分析得到了15C产生14C和13C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而14C产生13C的FWHM为195±21MeV/c. 从15C和14C产生13C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而15C产生14C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到15C的σR比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P//和σR进行了探讨. P//和σR的分析结果同时显示15C的最后一个中主要处于s1/2态, 具有中子晕结构.  相似文献   
5.
6.
以3β-取代5-甾烯-17-酮与碳酸二甲酯经Claisen综合,所得产物再分别与肼或羟胺反应,设计合成了几种3β-取代5-甾烯并-1-取代[17,6-C]吡唑啉-5-酮和3β-取代5-甾烯并[17,16-C]异恶唑啉-5-酮,其结构经元素分析、IR、^1H NMR和^13C NMR确证。  相似文献   
7.
朱世秋  E.I.RAU 《中国物理快报》2002,19(9):1329-1332
We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity.  相似文献   
8.
9.
The present paper establishes sufficient conditions for the uniformly bounded of any solution of (1.1) and which tend to zero as t → ∞.  相似文献   
10.
The nonlocal initial problem for nonlinear nonautonomous evolution equati-ons in a Banach space is considered. It is assumed that the nonlinearities havethe local Lipschitz properties. The existence and uniqueness of mild solutionsare proved. Applications to integro-differential equations are discussed.The main tool in the paper is the normalizing mapping (the generalizednorm).  相似文献   
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