激光驻波场中钠原子沉积图样的理论研究

原子在近共振激光驻波场中受光的作用力汇聚沉积，形成以激光半波长为周期的光栅结构. 利用半经典模型对钠原子束在不饱和驻波场中的运动行为进行了理论研究，用数值方法模拟出在考虑横向温度、纵向速度和自由飞程后钠原子沉积的光栅结构，通过半高宽、对比度对最终沉积图样进行表征，分析了这些因素对沉积的影响，为正在开展的原子光刻实验提供了必要的理论依据. 关键词： 原子沉积 半经典模型 激光驻波场     

不同形状DU合金破片侵彻性能研究北大核心CSCD

为研究不同形状贫铀(Depleted Uranium,DU)合金破片的侵彻性能,首先进行了终点弹道实验,得到了圆柱形DU破片侵彻20 mm厚Q235B钢靶的终点弹道相关参数.然后通过AUTODYN软件进行了相应终点弹道仿真模拟,结果表明,仿真与实验结果基本一致,验证了仿真结果的正确性.随后又在原仿真的基础上增加了圆柱形、立方形和球形破片以不同着靶姿态侵彻靶板的数值仿真.结果表明,在相同质量和相同初速的条件下,棱角着靶姿态的立方体、楞线着靶姿态的立方体和球形破片的侵彻能力依次减弱,圆柱形和平行着靶姿态的立方形破片侵彻能力最差.若均以垂直姿态着靶,圆柱形破片侵彻能力要强于立方体,以棱角或楞线着靶姿态着靶的立方体具有更强的侵彻能力.     

一维铜(核)-镍(壳)纳米结构的制备及其表面增强拉曼光谱

采用多孔阳极氧化铝模板(AAO)结合直流电化学沉积法, 通过一种新的两步法合成一维铜(核)-镍(壳)纳米结构. 首先制备铜纳米线, 然后对AAO进行扩孔, 利用铜纳米线和AAO孔壁之间的间隙,沉积镍纳米线/纳米管. 通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其结构和形貌进行表征分析, 所得结果验证了这种方法的可行性. 以腺嘌呤为探针分子研究此种纳米结构的表面增强拉曼散射(SERS)效应, 结果表明, 这种一维纳米材料是一种潜在的SERS活性基底, 拓宽了过渡金属在SERS中的应用.     

不同形状DU合金破片侵彻性能研究

为研究不同形状贫铀(Depleted Uranium,DU)合金破片的侵彻性能,首先进行了终点弹道实验,得到了圆柱形DU破片侵彻20mm厚Q235B钢靶的终点弹道相关参数。然后通过AUTODYN软件进行了相应终点弹道仿真模拟,结果表明,仿真与实验结果基本一致,验证了仿真结果的正确性。随后又在原仿真的基础上增加了圆柱形、立方形和球形破片以不同着靶姿态侵彻靶板的数值仿真。结果表明,在相同质量和相同初速的条件下,棱角着靶姿态的立方体、楞线着靶姿态的立方体和球形破片的侵彻能力依次减弱,圆柱形和平行着靶姿态的立方形破片侵彻能力最差。若均以垂直姿态着靶,圆柱形破片侵彻能力要强于立方体,以棱角或楞线着靶姿态着靶的立方体具有更强的侵彻能力。     

生根粉对丹参茎扦插生根的影响

为确定生根粉对丹参茎扦插生根的影响,采用二因素随机区组试验设计,以4年生丹参茎为材料,珍珠岩为基质,使用不同质量浓度的生根粉处理丹参茎段。结果表明：丹参茎扦插生根以腋(侧)芽基部分生组织产生不定根为主要生根类型,此外,还有愈伤组织生根、皮部生根。生根粉0.2 g/L处理6,12 h; 0.5 g/L处理3 h,生根率最高,达100%。扦插后第60天起,丹参根开始现红,现红率12.22%;扦插第148天现红率达54.55%。     

动态负荷电流游程长度特性对电能表误差的影响

针对动态负荷电流游程长度特性对电能表误差影响的问题,首先重点分析了典型动态负荷信号的随机波动时变特性,据此建立动态负荷信号的非平稳调制模型;其次通过模型分解研究动态负荷电流信号的游程特性,建立智能电能表各单元的动态模型,采用典型游程长度信号作为仿真测试信号,仿真分析了负荷典型电流游程长度特性对电能表动态误差的影响;最后采用具有典型游程长度特性的二进制通断键控（OOK）动态测试信号进行实验验证。实验结果表明,动态负荷电流游程长度特性是导致智能电能表动态误差的重要因素。     

用硅钨酸催化臭氧氧化降解聚乙烯醇模拟废水

以臭氧氧化不易生物降解的聚乙烯醇（PVA）模拟废水, 考察典型杂多酸（HPA）对臭氧氧化的催化作用. 先在3种典型杂多酸中筛选出对臭氧氧化PVA具有催化效果的硅钨酸（HSiW）, 考察反应时间、 臭氧质量浓度、 体系pH值、 催化剂用量和反应温度对PVA去除率的影响, 再通过正交实验确定去除PVA的最佳条件. 结果表明： 体系的pH值对PVA去除率影响最大, 催化剂用量的影响最小; HSiW催化臭氧氧化体系去除PVA的最佳条件为ρ(O₃)=25 mg/L, 反应温度30 ℃, 体系pH=8.3, 催化剂用量250 mg/L, 在该条件下降解反应5 min, PVA去除率即可达98.3%; HSiW未改变臭氧氧化降解PVA的基本途径, HSiW可促进臭氧分解, 生成更多的HO·, 并可催化臭氧与PVA的直接反应.     

Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer

We investigate the spin relaxation time of holes in an ultrathin neutral InAs monolayer （1.5 ML） and compare with that of electrons, using polarization-dependent time-resolved photoluminescence （TRPL） experiments. With excitation energies above the GaAs gap, we observe a rather slow relaxation of holes （τ1h = 196± 17 ps） that is in the magnitude similar to electrons （t1e= 354 ± 32 ps） in this ultrathin sample. The results are in good agreement with earlier theoretical prediction, and the phonon scattering due to spin-orbit coupling is realized to play a dominant role in the carrier spin kinetics.