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本文推导了任意形状排列四探针测量小圆形薄片电阻率时同时考虑厚度和半径影响的修正因子表达式:作为特例,计算了直线和方形两种常用的探针排列情况下的修正因子,并用直线四探针对硅单晶片进行实验测量.结果表明所推导的公式可较准确地测量任意厚度小圆形薄片的电阻率. 相似文献
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n-GaAs/p-GaAs / p-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构背电场背反射薄层电池的短路电流密度计算结果表明:在通常情况下,要提高电池的短路电流密度,必须尽可能减小结深x_j;基区厚度H_1的变化对短路电流密度也有重要影响,在给定的基区扩散长度L_1下,H_1存在一最佳值,为了得到比较大的短路电流密度,建议x_j<0.05μm,H_1=2μm,n-GaAs区少子扩出长度L_r>x_j,L_1>2H_1。 相似文献
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采用有效质量理论6带模型,研究量子结构变化对In0.53Ga0.47As/InP量子阱和量子线光学性质的影响。计算结果表明量子线结构可以更低的注入电子浓度下,得到更高的光学增益,而且具有光学各向异性。说明量子线结构比量子阱结构提高量子激光器光学性能。 相似文献
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对面心立方(fcc)、体心立方(bcc)和六角密堆积(hcp)三种不同结构的晶体,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型”,研究其根据费米球确定的费米能级EF与根据自由电子能带模型计算的平均键能Em。研究结果表明,由自由电子能带模型计算所得3种不同结构晶体(因而电子密度也不一样)的平均键能Em等于各自自由电子系统的费米能级EF。平均键能Em是我们在异质结带阶理论计算中建议的一种参考能级,研究结果在深化对平均键能Em物理实质认识的同时,提供了一种借助于自由电子能带模型计算自由电子系统费米能级EF的新方法。 相似文献
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在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△Ev值理论计算方法,该方法在Si为衬底,以Ge为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的Si/Ge异质结价带偏移△Ev值计算中,分别得到0.731eV,0.243eV和0.521eV的计算结果。 相似文献
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《初中英语课程标准》中明确提出初中英语课程的总目标是培养学生的综合语言运用能力,并强调在进一步发展学生综合语言运用能力的基础上,着重提高学生用英语获取信息、处理信息、分析问题和解决问题的能力,尤其是要提高学生用英语进行思维和表达的能力。从这一目标中我们可以看出语言实践、语言交际在英语学习中的重要性。 相似文献
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彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法,研究了宽带隙高温半导体,合金型应变层异质界面C/BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBxC2(1-x)合金衬底上的C/BN应变层异质结的价带偏移△Ev。结果表明:C/BNxC2(1-x)和BN/NBxC2(1-x)的△Ev随x的变化是非线性的,而应变层C/BN的△Ev随x的变化是接近于线性;三种异质结的△Ev值随x的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Emv随x的变化规律。 相似文献
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本存贮器系双极镍铬熔丝型可编写(一次)唯读存贮器。它包括地址缓冲、译码驱动、存贮矩阵和箝位电路四部分。可用于存贮常数、特定函数和圈定指令,具有高速和程序编制灵活的特点。本文着重介绍它的工作原理、版图设计和结果分析。 相似文献